Продукція > C3M

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
C3MSwitchcraft Inc.Description: CONN RCPT MALE XLR 3P SOLDER CUP
Packaging: Bulk
Features: Ground
Connector Type: Receptacle, Male Pins
Color: Silver
Voltage Rating: 125VAC
Current Rating (Amps): 15A
Mounting Type: Panel Mount
Number of Positions: 3
Orientation: Keyed
Shell Size - Insert: XLR
Fastening Type: Latch Lock
Termination: Solder Cup
Mounting Feature: Flange
Contact Finish - Mating: Silver
Part Status: Active
Shell Material: Zinc
Shell Finish: Nickel
Primary Material: Metal
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+759.97 грн
25+ 623.68 грн
100+ 565.48 грн
C3MSWITCHCRAFT/CONXALLDescription: SWITCHCRAFT/CONXALL - C3M - CONNECTOR, XLR, PLUG, 3 POSITION
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
Kontaktüberzug: Nickel Plated Contacts
rohsCompliant: YES
Ausführung: Plug
Anzahl der Kontakte: 3Contacts
euEccn: NLR
Steckverbindermaterial: Metal Body
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: C Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+922.83 грн
10+ 839.99 грн
25+ 750.96 грн
C3MSwitchcraftXLR Connectors 3 PIN MALE RECEPT
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
C3M-000000000000-NAAdvanced EnergyDescription: CONFIG DC PWR MOD 3000W
Packaging: Bulk
Type: DC Output Module
Approval Agency: IEC
Part Status: Active
Power (Watts): 3000 W
Standard Number: 60601-1; 60601-1-2
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+93684.21 грн
5+ 88603.4 грн
C3M-000000000000-NBAdvanced EnergyDescription: CONFIG DC PWR MOD 3000W
Packaging: Bulk
Type: DC Output Module
Approval Agency: IEC
Part Status: Active
Power (Watts): 3000 W
Standard Number: 60601-1; 60601-1-2
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+93684.21 грн
5+ 88603.4 грн
C3M0010090DWolfspeedC3M0010090D
товар відсутній
C3M0010090KWolfspeedC3M0010090K
товар відсутній
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2822.22 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0015065DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3509.46 грн
30+ 2832 грн
120+ 2643.21 грн
C3M0015065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+3039.31 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3721.48 грн
10+ 3292.59 грн
25+ 3130.37 грн
50+ 2919.28 грн
100+ 2465.61 грн
500+ 2342.85 грн
C3M0015065DWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-3, Industrial, Gen 3
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3607.08 грн
10+ 3156.35 грн
30+ 2678.4 грн
60+ 2434.09 грн
120+ 2432.02 грн
270+ 2424.43 грн
510+ 2423.05 грн
C3M0015065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+4007.75 грн
10+ 3545.87 грн
25+ 3371.16 грн
50+ 3143.84 грн
100+ 2655.27 грн
500+ 2523.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2306.76 грн
60+ 2006.67 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2232.89 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0015065KWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-4, Industrial, Gen 3
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3599.03 грн
10+ 3181.74 грн
30+ 2679.09 грн
60+ 2489.3 грн
120+ 2445.82 грн
270+ 2401.65 грн
510+ 2349.89 грн
C3M0015065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 57220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2620.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
C3M0015065KWolfspeedC3M0015065K
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2057.16 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0015065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2620.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2577.03 грн
10+ 2420.74 грн
25+ 2417.03 грн
50+ 2295 грн
100+ 1993.38 грн
500+ 1902.22 грн
C3M0015065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2802.39 грн
10+ 2631.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
C3M0015065KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 96A; Idm: 418A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 418A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0015065KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3509.46 грн
30+ 2832 грн
120+ 2643.21 грн
C3M0015065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 3334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2775.27 грн
10+ 2606.95 грн
25+ 2602.96 грн
50+ 2471.54 грн
100+ 2146.72 грн
500+ 2048.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2602.22 грн
10+ 2443.7 грн
C3M0015065KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 96A; Idm: 418A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 418A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товар відсутній
C3M0015065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+4714.5 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0015065K-MWolfspeed, Inc.Description: MVF 200MM QUALIFIED MATERIAL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V
товар відсутній
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+5134.81 грн
Мінімальне замовлення: 450
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4503.7 грн
10+ 4456.29 грн
25+ 4400.74 грн
50+ 4215 грн
100+ 3878.96 грн
C3M0016120DWolfspeedMOSFET 1.2kV 15mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5668.27 грн
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+4850.14 грн
10+ 4799.08 грн
25+ 4739.25 грн
50+ 4539.23 грн
100+ 4177.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
C3M0016120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 1000 V
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5017.46 грн
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+5529.8 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+3642.51 грн
Мінімальне замовлення: 450
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0016120KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 556W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 556W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 28.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 211nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0016120KWolfspeedMOSFET SiC MOSFET G3 1200V 16mOhms
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6824.47 грн
10+ 6141.26 грн
30+ 5094.54 грн
60+ 4982.05 грн
120+ 4858.52 грн
C3M0016120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0016120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6561.99 грн
5+ 6138.51 грн
10+ 5715.03 грн
50+ 5060.96 грн
C3M0016120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 1000 V
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6284.33 грн
30+ 5270.51 грн
120+ 4997.22 грн
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0016120KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 556W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 556W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 28.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 211nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товар відсутній
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+5162.96 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0021120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 469W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 1000 V
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2867.44 грн
30+ 2313.78 грн
120+ 2159.53 грн
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2258.35 грн
10+ 2124.33 грн
25+ 2086.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2097.03 грн
10+ 1972.59 грн
25+ 1937.78 грн
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2193.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
C3M0021120DWolfspeedMOSFET 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2946.05 грн
10+ 2600.79 грн
30+ 2195.3 грн
60+ 2058.66 грн
270+ 2017.94 грн
510+ 1948.24 грн
1020+ 1902.69 грн
C3M0021120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0021120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товар відсутній
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0021120KWolfspeedMOSFET 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 3282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2764.09 грн
10+ 2566.66 грн
30+ 2018.63 грн
60+ 1991.03 грн
120+ 1925.46 грн
270+ 1923.39 грн
510+ 1921.32 грн
C3M0021120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0021120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2723.58 грн
5+ 2516.1 грн
10+ 2307.84 грн
50+ 2104.9 грн
C3M0021120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 469W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 1000 V
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2867.44 грн
30+ 2313.78 грн
120+ 2159.53 грн
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1690.01 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0025065DWolfspeedMOSFET 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2363.93 грн
10+ 2071.43 грн
60+ 1574.88 грн
2520+ 1396.82 грн
C3M0025065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1282.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
C3M0025065DWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 600 V
товар відсутній
C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2040 грн
10+ 1866.66 грн
25+ 1766.66 грн
50+ 1685.71 грн
100+ 1366.4 грн
C3M0025065J1WolfspeedSiC, MOSFET 25 mΩ, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2060.74 грн
10+ 1835.55 грн
25+ 1817.04 грн
50+ 1507.86 грн
100+ 1341.93 грн
500+ 1179.68 грн
C3M0025065J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 80A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1409.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
C3M0025065J1WolfspeedMOSFET SiC, MOSFET 25 mO, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2316.42 грн
10+ 2030.16 грн
25+ 1645.96 грн
50+ 1594.89 грн
100+ 1543.82 грн
250+ 1440.99 грн
500+ 1325.05 грн
C3M0025065J1WolfspeedSiC, MOSFET 25 mΩ, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1973.33 грн
10+ 1773.33 грн
25+ 1755.55 грн
50+ 1472.86 грн
100+ 1313.49 грн
C3M0025065J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 80A
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2125.13 грн
10+ 1909.74 грн
25+ 1890.6 грн
50+ 1586.15 грн
100+ 1414.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
C3M0025065J1Wolfspeed, Inc.Description: 650V 25 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 271W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 400 V
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2163.46 грн
50+ 1727.3 грн
100+ 1619.34 грн
C3M0025065J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 80A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товар відсутній
C3M0025065J1-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 80A T/R
товар відсутній
C3M0025065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1691.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0025065KWolfspeedC3M0025065K
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1198.07 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1376.29 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0025065KWolfspeedMOSFET 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2316.42 грн
10+ 2030.16 грн
30+ 1645.96 грн
60+ 1594.89 грн
120+ 1543.82 грн
270+ 1440.99 грн
510+ 1325.05 грн
C3M0025065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1482.96 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0025065KWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 600 V
товар відсутній
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1377.04 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0025065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1482.16 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0025065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 25M, 650V, TOLL, T&
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 400 V
товар відсутній
C3M0025065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 25M, 650V, TOLL, T&
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 400 V
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2237.37 грн
10+ 1987 грн
25+ 1897.66 грн
100+ 1592.32 грн
250+ 1518.99 грн
C3M0025065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 77A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товар відсутній
C3M0025065L-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 25mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2396.13 грн
10+ 2098.41 грн
25+ 1702.55 грн
50+ 1649.41 грн
100+ 1596.27 грн
250+ 1489.99 грн
500+ 1369.91 грн
C3M0030090KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0030090K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 900 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3421.9 грн
5+ 3150.93 грн
10+ 2879.19 грн
50+ 2571.45 грн
C3M0030090KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns
Reverse recovery time: 62ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 40A
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 149W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 87nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -4...15V
Mounting: THT
Case: TO247-4
товар відсутній
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+3313.7 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0030090K
Код товару: 143865		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0030090KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 73A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 11mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 600 V
на замовлення 2709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3336.27 грн
30+ 2692.11 грн
120+ 2512.63 грн
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1969.4 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0030090KWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 30mOhm
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3573.27 грн
10+ 3138.09 грн
30+ 2566.6 грн
60+ 2480.33 грн
120+ 2395.44 грн
270+ 2309.87 грн
510+ 2202.9 грн
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3477.03 грн
10+ 3077.03 грн
25+ 2925.92 грн
50+ 2729.28 грн
100+ 2386.9 грн
500+ 2268.57 грн
C3M0030090KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns
Reverse recovery time: 62ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 40A
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 149W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 87nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -4...15V
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3744.5 грн
10+ 3313.73 грн
25+ 3150.99 грн
50+ 2939.23 грн
100+ 2570.51 грн
500+ 2443.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
C3M0032120DWolfspeedMOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2261.67 грн
10+ 2125.39 грн
30+ 1654.93 грн
60+ 1606.62 грн
120+ 1553.48 грн
270+ 1549.34 грн
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1794.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2302.22 грн
10+ 2095.61 грн
25+ 2040.57 грн
50+ 1929.23 грн
100+ 1626.07 грн
500+ 1547.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
C3M0032120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0032120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.032 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1769.79 грн
5+ 1734.17 грн
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1794.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
C3M0032120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 63A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3357 pF @ 1000 V
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2495.67 грн
30+ 1992.06 грн
120+ 1867.56 грн
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2137.78 грн
10+ 1945.92 грн
25+ 1894.81 грн
50+ 1791.43 грн
100+ 1509.92 грн
500+ 1436.82 грн
C3M0032120J1Wolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2283.87 грн
10+ 2071.68 грн
25+ 2026.21 грн
50+ 1914.61 грн
100+ 1594.02 грн
500+ 1485.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
C3M0032120J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2120.74 грн
10+ 1923.7 грн
25+ 1881.48 грн
50+ 1777.86 грн
100+ 1480.16 грн
500+ 1379.68 грн
C3M0032120J1Wolfspeed, Inc.Description: 1200V 32MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 41.4A, 15V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3424 pF @ 1000 V
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2495.67 грн
50+ 1992.06 грн
100+ 1867.56 грн
C3M0032120J1WolfspeedC3M0032120J1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
C3M0032120J1Wolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2124.33 грн
10+ 1958.4 грн
25+ 1922.51 грн
50+ 1822.31 грн
100+ 1541.31 грн
500+ 1442.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
C3M0032120J1WolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 32mO, 1200V, TO-263-7 XL, Industrial
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2710.14 грн
10+ 2373.81 грн
25+ 1925.46 грн
50+ 1866.11 грн
100+ 1805.38 грн
250+ 1684.61 грн
500+ 1549.34 грн
C3M0032120J1Wolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+3229.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
C3M0032120J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1972.59 грн
10+ 1818.52 грн
25+ 1785.18 грн
50+ 1692.14 грн
100+ 1431.22 грн
500+ 1339.68 грн
C3M0032120J1-TRWolfspeedC3M0032120J1-TR
товар відсутній
C3M0032120J1-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товар відсутній
C3M0032120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 63A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3357 pF @ 1000 V
товар відсутній
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2078.06 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0032120KWolfspeedMOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2710.14 грн
10+ 2373.81 грн
30+ 1925.46 грн
60+ 1866.11 грн
120+ 1805.38 грн
270+ 1684.61 грн
510+ 1549.34 грн
C3M0032120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0032120K - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.032 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2605.91 грн
5+ 2382.94 грн
10+ 2159.98 грн
50+ 1943.87 грн
100+ 1735.94 грн
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1929.63 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1400.96 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 71230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1794.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0040120DWolfspeedC3M0040120D
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+941.22 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0040120DWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2130.58 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0040120DWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1888.73 грн
30+ 1507.58 грн
120+ 1413.35 грн
C3M0040120D
Код товару: 198825		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0040120DWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2022.54 грн
10+ 1771.43 грн
30+ 1436.85 грн
60+ 1391.99 грн
120+ 1347.13 грн
270+ 1257.42 грн
510+ 1156.66 грн
C3M0040120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0040120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1931.59 грн
C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0040120D-MVFWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
товар відсутній
C3M0040120J1WolfspeedSiC, MOSFET, 40mΩ, 1200V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+916.59 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0040120J1WolfspeedSiC, MOSFET, 40mΩ, 1200V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
товар відсутній
C3M0040120J1WolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7XL, Industrial
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2022.54 грн
10+ 1771.43 грн
25+ 1436.85 грн
50+ 1391.99 грн
100+ 1347.13 грн
250+ 1257.42 грн
500+ 1156.66 грн
C3M0040120J1WolfspeedSiC, MOSFET, 40mΩ, 1200V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
товар відсутній
C3M0040120J1Wolfspeed, Inc.Description: 1200V 40 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1862.61 грн
50+ 1486.81 грн
100+ 1393.88 грн
500+ 1116.25 грн
C3M0040120J1WolfspeedC3M0040120J1
товар відсутній
C3M0040120J1-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2022.54 грн
10+ 1771.43 грн
25+ 1436.85 грн
50+ 1391.99 грн
100+ 1347.13 грн
250+ 1257.42 грн
500+ 1156.66 грн
C3M0040120J1-TRWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40 M SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1908.89 грн
10+ 1633.6 грн
100+ 1428.75 грн
C3M0040120J1-TRWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40 M SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1266.09 грн
Мінімальне замовлення: 800
C3M0040120J1-TRWolfspeedC3M0040120J1-TR
товар відсутній
C3M0040120J1-TRWolfspeedSiC, MOSFET, 40m, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial, Gen 3
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1841.87 грн
10+ 1671.08 грн
25+ 1581.89 грн
50+ 1378.77 грн
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+923.51 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0040120KWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2152.84 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0040120KWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-247-4, Industrial
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2022.54 грн
10+ 1771.43 грн
30+ 1436.85 грн
60+ 1391.99 грн
120+ 1347.13 грн
270+ 1257.42 грн
510+ 1156.66 грн
C3M0040120KWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1888.73 грн
30+ 1507.58 грн
120+ 1413.35 грн
510+ 1131.84 грн
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1019.64 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0045065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+728.74 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0045065DWolfspeedMOSFET 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1472.62 грн
10+ 1279.36 грн
30+ 1082.12 грн
60+ 1022.08 грн
120+ 962.04 грн
270+ 931.68 грн
510+ 871.63 грн
C3M0045065DWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 45 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 600 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1343.02 грн
30+ 1046.94 грн
C3M0045065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0045065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0045065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0045065J1WolfspeedSiC, MOSFET 45mΩ, 650V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
товар відсутній
C3M0045065J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товар відсутній
C3M0045065J1MACOMMOSFET SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1472.62 грн
10+ 1279.36 грн
25+ 1082.12 грн
50+ 1022.08 грн
100+ 962.04 грн
250+ 931.68 грн
500+ 871.63 грн
C3M0045065J1WolfspeedSiC, MOSFET 45mΩ, 650V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+802.81 грн
100+ 775.7 грн
C3M0045065J1WolfspeedMOSFET SiC, MOSFET 45mO, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1472.62 грн
10+ 1279.36 грн
25+ 1082.12 грн
50+ 1022.08 грн
100+ 962.04 грн
250+ 931.68 грн
500+ 871.63 грн
C3M0045065J1Wolfspeed, Inc.Description: 650V 45 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1343.02 грн
50+ 1046.94 грн
100+ 985.36 грн
500+ 838.03 грн
C3M0045065J1-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET 45M, 650V TO-263-7XL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
товар відсутній
C3M0045065J1-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товар відсутній
C3M0045065J1-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, T&R, Industrial, Gen 3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1472.62 грн
10+ 1279.36 грн
25+ 1082.12 грн
50+ 1022.08 грн
100+ 962.04 грн
250+ 931.68 грн
500+ 871.63 грн
C3M0045065J1-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET 45M, 650V TO-263-7XL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
товар відсутній
C3M0045065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+897.44 грн
Мінімальне замовлення: 14
C3M0045065KMACOMMOSFET 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1426.73 грн
10+ 1241.27 грн
30+ 1059.35 грн
60+ 942.03 грн
120+ 906.83 грн
270+ 890.27 грн
1020+ 788.82 грн
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+825.7 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0045065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 6567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1336.18 грн
11+ 1192.91 грн
25+ 1181.02 грн
50+ 1124.31 грн
100+ 926 грн
500+ 816.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
C3M0045065KWolfspeedMOSFET 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1439.61 грн
10+ 1252.38 грн
30+ 1062.11 грн
60+ 962.04 грн
120+ 929.61 грн
270+ 894.41 грн
510+ 848.17 грн
C3M0045065KWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 49A SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 600 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1356.45 грн
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 6567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1240.74 грн
10+ 1107.7 грн
25+ 1096.67 грн
50+ 1044 грн
100+ 859.85 грн
500+ 758.28 грн
C3M0045065LWolfspeedC3M0045065L
товар відсутній
C3M0045065LWolfspeedMOSFET
товар відсутній
C3M0045065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
товар відсутній
C3M0045065L-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 45mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1279.39 грн
10+ 1111.11 грн
25+ 939.96 грн
50+ 887.51 грн
100+ 835.75 грн
250+ 809.52 грн
500+ 757.07 грн
C3M0045065L-TRWolfspeedC3M0045065L-TR
товар відсутній
C3M0045065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1195.2 грн
10+ 1013.7 грн
100+ 876.7 грн
500+ 745.62 грн
C3M0060065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+732.55 грн
18+ 700.8 грн
25+ 693.78 грн
50+ 662.31 грн
100+ 589.96 грн
Мінімальне замовлення: 17
C3M0060065DWolfspeedC3M0060065D
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+566.02 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 11250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+764.59 грн
900+ 702.22 грн
4500+ 702.07 грн
9000+ 676.86 грн
Мінімальне замовлення: 450
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+658.89 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0060065DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1131.75 грн
30+ 881.86 грн
120+ 830 грн
510+ 705.9 грн
C3M0060065DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0060065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+621.03 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0060065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+725.93 грн
Мінімальне замовлення: 17
C3M0060065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+709.57 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0060065DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+680.22 грн
10+ 650.74 грн
25+ 644.22 грн
50+ 615 грн
100+ 547.82 грн
C3M0060065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 11250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+813.62 грн
2700+ 758.11 грн
5400+ 716.05 грн
8100+ 659 грн
Мінімальне замовлення: 450
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+576.67 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0060065DWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-247-3, Industrial, Gen 3
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1239.93 грн
10+ 1076.98 грн
30+ 910.97 грн
60+ 859.9 грн
120+ 809.52 грн
270+ 783.99 грн
510+ 733.61 грн
C3M0060065JWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+876.14 грн
100+ 832.34 грн
250+ 817.58 грн
500+ 726.38 грн
1000+ 620.08 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A Automotive 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
товар відсутній
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A Automotive 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+884.37 грн
100+ 831.78 грн
250+ 814.15 грн
500+ 713.14 грн
1000+ 601.19 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0060065JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 99A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 136W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товар відсутній
C3M0060065JWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+952.4 грн
100+ 895.76 грн
250+ 876.77 грн
500+ 768 грн
1000+ 647.44 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0060065JWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 60mO, 650V, TO-263-7, Industrial, Gen 3
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1239.93 грн
10+ 1077.78 грн
25+ 911.66 грн
50+ 759.83 грн
100+ 700.48 грн
250+ 695.65 грн
500+ 651.48 грн
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A Automotive 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+813.55 грн
100+ 772.89 грн
250+ 759.18 грн
500+ 674.5 грн
1000+ 575.79 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0060065JWolfspeedC3M0060065J
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+627.21 грн
100+ 568.96 грн
200+ 540.54 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0060065JWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+725.93 грн
Мінімальне замовлення: 17
C3M0060065JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 36A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1142.2 грн
50+ 890.17 грн
100+ 837.8 грн
500+ 712.53 грн
C3M0060065JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 99A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 136W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0060065J-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-263-7 T&R, Industrial, Gen 3
товар відсутній
C3M0060065J-TRWolfspeedC3M0060065J-TR
товар відсутній
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+977.04 грн
10+ 882.96 грн
25+ 880.37 грн
50+ 796.28 грн
100+ 644.58 грн
C3M0060065KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 37A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1131.75 грн
30+ 881.86 грн
C3M0060065KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0060065KMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 60 mohm, 650V, TO-247-4, Industrial, Gen 3
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1240.74 грн
10+ 1077.78 грн
30+ 879.92 грн
60+ 783.99 грн
120+ 741.89 грн
C3M0060065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1052.19 грн
13+ 950.88 грн
25+ 948.09 грн
50+ 857.54 грн
100+ 694.16 грн
Мінімальне замовлення: 12
C3M0060065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+725.93 грн
Мінімальне замовлення: 17
C3M0060065KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товар відсутній
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A Automotive Tube
товар відсутній
C3M0060065LWolfspeedMOSFET
товар відсутній
C3M0060065LWolfspeedC3M0060065L
товар відсутній
C3M0060065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 3.64mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+569.67 грн
Мінімальне замовлення: 2000
C3M0060065L-TRWolfspeedC3M0060065L-TR
товар відсутній
C3M0060065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 3.64mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 400 V
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+966.76 грн
10+ 820.03 грн
100+ 709.19 грн
500+ 603.15 грн
1000+ 553.24 грн
C3M0060065L-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TOLL,T&R, Industrial
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1034.62 грн
10+ 899.21 грн
25+ 760.52 грн
50+ 718.43 грн
100+ 675.64 грн
250+ 654.93 грн
500+ 612.15 грн
C3M0065065DWolfspeedC3M0065065D
товар відсутній
C3M0065090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 30ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 36A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1315.49 грн
3+ 1198.64 грн
C3M0065090DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 2623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1353.47 грн
30+ 1055.04 грн
120+ 992.97 грн
510+ 844.5 грн
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+727.05 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0065090D
Код товару: 182273		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0065090DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1373.4 грн
5+ 1275.86 грн
10+ 1177.54 грн
50+ 1033.04 грн
100+ 897.17 грн
250+ 868.64 грн
C3M0065090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 30ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 36A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1096.25 грн
3+ 961.87 грн
C3M0065090DWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1403.38 грн
10+ 1284.13 грн
30+ 1010.35 грн
60+ 963.42 грн
120+ 913.04 грн
270+ 899.24 грн
510+ 853 грн
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+925.36 грн
Мінімальне замовлення: 13
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0065090J
Код товару: 148769		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
C3M0065090JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1229.41 грн
5+ 1192.24 грн
10+ 1155.08 грн
50+ 964.74 грн
100+ 824.18 грн
250+ 823.51 грн
C3M0065090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+968.51 грн
3+ 850.44 грн
C3M0065090JWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
на замовлення 15360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1230.27 грн
10+ 1173.01 грн
25+ 1017.25 грн
50+ 904.76 грн
100+ 826.09 грн
250+ 825.4 грн
500+ 785.37 грн
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1205.18 грн
10+ 1109.26 грн
25+ 1098.15 грн
50+ 1037.93 грн
100+ 838.89 грн
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1297.89 грн
11+ 1194.59 грн
25+ 1182.62 грн
50+ 1117.77 грн
100+ 903.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
C3M0065090JCREEN-MOSFET 900V 35A C3M0065090J Cree/Wolfspeed TC3M0065090J
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1+875.74 грн
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1281.01 грн
100+ 1268.07 грн
250+ 1255.12 грн
500+ 1197.81 грн
1000+ 1097.6 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0065090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1162.21 грн
3+ 1059.78 грн
C3M0065090JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 4286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1378.85 грн
50+ 1074.79 грн
100+ 1011.58 грн
500+ 860.33 грн
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
C3M0065090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1378.85 грн
10+ 1169.63 грн
100+ 1011.58 грн
C3M0065090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+952 грн
Мінімальне замовлення: 800
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+731.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0065090J-TRWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
C3M0065090J-TRWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
на замовлення 2709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1424.31 грн
10+ 1242.86 грн
25+ 1066.94 грн
50+ 1053.14 грн
100+ 939.96 грн
250+ 928.23 грн
500+ 914.42 грн
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0065090J-TRWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
C3M0065100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0065100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1321.41 грн
10+ 1189.78 грн
25+ 1162.44 грн
50+ 1093.71 грн
100+ 900.99 грн
500+ 799.3 грн
C3M0065100JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 35A; 113.5W; D2PAK-7; 14ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 35A
Power dissipation: 113.5W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 14ns
товар відсутній
C3M0065100JWolfspeedMOSFET 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1157 грн
25+ 1139.68 грн
50+ 912.35 грн
C3M0065100JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 35A; 113.5W; D2PAK-7; 14ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 35A
Power dissipation: 113.5W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 14ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0065100JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065100J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1214.7 грн
5+ 1203.08 грн
10+ 1190.7 грн
50+ 1071.14 грн
100+ 956.89 грн
250+ 925.04 грн
C3M0065100JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1490.83 грн
50+ 1189.96 грн
100+ 1115.59 грн
500+ 893.39 грн
C3M0065100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1423.05 грн
10+ 1281.3 грн
25+ 1251.86 грн
50+ 1177.84 грн
100+ 970.3 грн
500+ 860.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
C3M0065100J-TRCree/WolfspeedDescription: SICFET N-CH 1000V 35A TO263-7
товар відсутній
C3M0065100J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0065100J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0065100J-TRWolfspeedMOSFET 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET
товар відсутній
C3M0065100KMACOMMOSFET 1000V 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
на замовлення 3289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1596.62 грн
10+ 1397.62 грн
30+ 1133.88 грн
60+ 1098.69 грн
120+ 1063.49 грн
270+ 992.41 грн
510+ 912.35 грн
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1124.79 грн
Мінімальне замовлення: 11
C3M0065100KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 35A; 113.5W; TO247-4; 14ns
Mounting: THT
Case: TO247-4
Reverse recovery time: 14ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 35A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113.5W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 35nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0065100KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065100K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.5W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1227.86 грн
5+ 1122.57 грн
10+ 1017.28 грн
50+ 915.86 грн
100+ 818.2 грн
250+ 763.12 грн
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+867.15 грн
C3M0065100KWolfspeedMOSFET 1000V 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1563.61 грн
10+ 1473.81 грн
30+ 1110.42 грн
60+ 1062.11 грн
120+ 1013.11 грн
270+ 1001.38 грн
510+ 912.35 грн
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0065100K
Код товару: 126113		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0065100KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 35A; 113.5W; TO247-4; 14ns
Mounting: THT
Case: TO247-4
Reverse recovery time: 14ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 35A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113.5W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 35nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
товар відсутній
C3M0065100KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 35A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1490.83 грн
30+ 1189.97 грн
120+ 1115.59 грн
510+ 893.39 грн
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+1007.54 грн
1350+ 938.8 грн
2700+ 886.72 грн
4050+ 816.07 грн
Мінімальне замовлення: 450
C3M0075120DMACOMMOSFET 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1472.62 грн
10+ 1279.36 грн
30+ 1082.12 грн
60+ 1022.08 грн
120+ 962.04 грн
270+ 931.68 грн
510+ 871.63 грн
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+997.7 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+942.91 грн
14+ 888.26 грн
Мінімальне замовлення: 13
C3M0075120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 19.7A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1283.6 грн
2+ 802.28 грн
3+ 758.42 грн
C3M0075120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1356.45 грн
30+ 1057.7 грн
120+ 995.5 грн
510+ 846.65 грн
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1074.45 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0075120DWolfspeedMOSFET 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1472.62 грн
10+ 1279.36 грн
30+ 1082.12 грн
60+ 1022.08 грн
120+ 962.04 грн
270+ 931.68 грн
510+ 871.63 грн
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+875.55 грн
10+ 824.81 грн
C3M0075120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 19.7A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1540.32 грн
2+ 999.76 грн
3+ 910.11 грн
C3M0075120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0075120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1415.98 грн
5+ 1315.34 грн
10+ 1213.92 грн
50+ 1064.67 грн
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+997.63 грн
900+ 988 грн
4500+ 977.92 грн
Мінімальне замовлення: 450
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+700.48 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0075120D-AWolfspeed, Inc.Description: 75M 1200V 175C SIC FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1356.45 грн
30+ 1057.7 грн
120+ 995.5 грн
C3M0075120D-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+811.64 грн
C3M0075120D-AMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial, Gen 3
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1472.62 грн
10+ 1279.36 грн
30+ 1082.12 грн
60+ 1022.08 грн
120+ 962.04 грн
C3M0075120D-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+874.08 грн
Мінімальне замовлення: 14
C3M0075120D-AWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial, Gen 3
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1472.62 грн
10+ 1365.08 грн
30+ 1008.28 грн
120+ 962.04 грн
270+ 931.68 грн
510+ 871.63 грн
1020+ 799.86 грн
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1097.7 грн
100+ 993.11 грн
250+ 987.11 грн
500+ 875.86 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0075120JWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
на замовлення 3363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1086.96 грн
10+ 1070.63 грн
50+ 823.33 грн
100+ 796.41 грн
500+ 774.33 грн
C3M0075120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 18ns
товар відсутній
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1182.14 грн
100+ 1069.5 грн
250+ 1063.04 грн
500+ 943.23 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0075120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 18ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0075120JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0075120J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1086.96 грн
5+ 1069.92 грн
10+ 1052.12 грн
50+ 864.1 грн
100+ 769.76 грн
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0075120JWolfspeedC3M0075120J
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+692.43 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+867.48 грн
2000+ 867.33 грн
5000+ 867.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000
C3M0075120JMACOMMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
на замовлення 3558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1272.95 грн
10+ 1129.36 грн
25+ 976.53 грн
50+ 960.66 грн
100+ 867.49 грн
250+ 862.66 грн
500+ 792.96 грн
C3M0075120JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
на замовлення 5562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1356.45 грн
50+ 1057.71 грн
100+ 995.5 грн
500+ 846.65 грн
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+1007.54 грн
2000+ 938.8 грн
4000+ 886.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000
C3M0075120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0075120J-TRWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
товар відсутній
C3M0075120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
товар відсутній
C3M0075120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0075120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0075120J1WolfspeedC3M0075120J1
товар відсутній
C3M0075120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0075120K - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30.8A, 1.2kV, 0.075 Ohm, 15V, 2.5V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 4584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1505.79 грн
5+ 1371.86 грн
10+ 1237.92 грн
50+ 1096.3 грн
100+ 966.85 грн
250+ 938.31 грн
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1428.81 грн
10+ 1262.15 грн
25+ 1235.18 грн
50+ 1046.86 грн
100+ 873.81 грн
500+ 787.05 грн
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1538.72 грн
10+ 1359.24 грн
25+ 1330.2 грн
50+ 1127.38 грн
100+ 941.02 грн
500+ 847.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1548.29 грн
10+ 1366.73 грн
25+ 1337.38 грн
50+ 1132.77 грн
100+ 945.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
C3M0075120KMACOMMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1503.22 грн
10+ 1305.55 грн
60+ 982.06 грн
270+ 872.32 грн
510+ 841.96 грн
1020+ 817.11 грн
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+897.44 грн
Мінімальне замовлення: 14
C3M0075120KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 18ns
товар відсутній
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1437.7 грн
10+ 1269.11 грн
25+ 1241.85 грн
50+ 1051.86 грн
100+ 877.51 грн
C3M0075120KWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1472.62 грн
10+ 1279.36 грн
30+ 1082.12 грн
60+ 1022.08 грн
120+ 962.04 грн
270+ 931.68 грн
510+ 871.63 грн
C3M0075120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1445.29 грн
30+ 1154.17 грн
120+ 1082.02 грн
510+ 866.5 грн
C3M0075120KWolfspeed1200V, 75 mOhm, G3 SiC MOSFET
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+693.24 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0075120KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 18ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0075120K-AWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1472.62 грн
10+ 1279.36 грн
30+ 1082.12 грн
60+ 1022.08 грн
120+ 962.04 грн
270+ 931.68 грн
510+ 871.63 грн
C3M0075120K-AWolfspeed, Inc.Description: 75M 1200V 175C SIC FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1390.8 грн
10+ 1179.84 грн
C3M0075120K-AWolfspeedC3M0075120K-A
товар відсутній
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1545.1 грн
10+ 1352.06 грн
25+ 1303.16 грн
50+ 1176.77 грн
100+ 984.83 грн
500+ 876.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
C3M0075120K-AMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial, G3
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1472.62 грн
10+ 1279.36 грн
30+ 1082.12 грн
60+ 1022.08 грн
120+ 962.04 грн
270+ 931.68 грн
510+ 871.63 грн
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1434.74 грн
10+ 1255.48 грн
25+ 1210.07 грн
50+ 1092.71 грн
100+ 914.48 грн
500+ 813.59 грн
C3M0120065DWolfspeed, Inc.Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+658.44 грн
10+ 572.95 грн
30+ 546.31 грн
120+ 445.17 грн
270+ 425.15 грн
C3M0120065DWolfspeedC3M0120065D
товар відсутній
C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+401.63 грн
10+ 381.63 грн
25+ 371.18 грн
50+ 356.14 грн
100+ 299.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0120065DWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+578.9 грн
10+ 515.87 грн
30+ 404.42 грн
120+ 374.74 грн
270+ 365.08 грн
510+ 327.81 грн
C3M0120065D
Код товару: 178862		Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній
C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+427.78 грн
10+ 405.11 грн
25+ 393.33 грн
50+ 377.29 грн
100+ 316 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0120065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0120065JWolfspeed, Inc.Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+658.44 грн
10+ 572.95 грн
50+ 546.31 грн
100+ 445.17 грн
250+ 425.15 грн
500+ 387.64 грн
1000+ 332.09 грн
C3M0120065JWolfspeedC3M0120065J
товар відсутній
C3M0120065JWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-263-7, Industrial
на замовлення 2639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+495.97 грн
10+ 441.27 грн
50+ 365.77 грн
100+ 327.81 грн
C3M0120065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+416.44 грн
10+ 393.7 грн
25+ 391.56 грн
50+ 373.14 грн
100+ 311.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0120065J-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-263-7 T&R, Industrial, Gen 3
товар відсутній
C3M0120065J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0120065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+621.7 грн
10+ 557.78 грн
25+ 527.04 грн
50+ 503.14 грн
100+ 384.19 грн
C3M0120065KWolfspeed, Inc.Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+658.44 грн
10+ 572.95 грн
30+ 546.31 грн
120+ 445.17 грн
270+ 425.15 грн
510+ 387.64 грн
C3M0120065KWolfspeedC3M0120065K
товар відсутній
C3M0120065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+404.37 грн
900+ 347.26 грн
1800+ 340.22 грн
Мінімальне замовлення: 450
C3M0120065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0120065KWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 120mO, 650V, TO-247-4, Industrial
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+501.61 грн
10+ 461.9 грн
30+ 388.54 грн
120+ 358.18 грн
270+ 347.83 грн
510+ 331.26 грн
1020+ 327.81 грн
C3M0120065LWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A
товар відсутній
C3M0120065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 650V, TOLL, I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
товар відсутній
C3M0120065L-TRWolfspeedC3M0120065L-TR
товар відсутній
C3M0120065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 650V, TOLL, I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
товар відсутній
C3M0120090DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+857.02 грн
30+ 667.99 грн
120+ 628.7 грн
510+ 534.7 грн
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0120090DCREEN-MOSFET 900V 23A C3M0120090D Cree/Wolfspeed TC3M0120090D
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+470.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+478.67 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0120090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 23A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 97W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.3nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: THT
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+800.51 грн
2+ 571.51 грн
3+ 570.8 грн
5+ 539.88 грн
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 14375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+692.96 грн
10+ 642.15 грн
25+ 631.41 грн
50+ 603.86 грн
100+ 488.03 грн
500+ 387.68 грн
C3M0120090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 23A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 97W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.3nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 118 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+960.61 грн
2+ 712.19 грн
3+ 684.95 грн
5+ 647.86 грн
C3M0120090DWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120mOhm
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+844.6 грн
10+ 737.3 грн
30+ 569.36 грн
120+ 550.72 грн
270+ 502.41 грн
510+ 482.4 грн
C3M0120090DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0120090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+879.47 грн
5+ 802.06 грн
10+ 723.86 грн
50+ 612.49 грн
100+ 548.12 грн
250+ 515.61 грн
C3M0120090D
Код товару: 165992		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0120090JWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120 mOhm
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+911.43 грн
10+ 788.89 грн
50+ 664.6 грн
100+ 576.95 грн
250+ 568.67 грн
500+ 507.94 грн
1000+ 496.2 грн
C3M0120090JCREEN-MOSFET 900V 22A C3M0120090J-TR C3M0120090J Cree/Wolfspeed TC3M0120090J
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+479.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0120090J
Код товару: 126112		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0120090JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 6356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+619.62 грн
50+ 500.62 грн
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0120090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 22A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 17.3nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 144 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1009.85 грн
2+ 746.24 грн
4+ 679.78 грн
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0120090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 22A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 17.3nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+841.54 грн
2+ 598.83 грн
4+ 566.48 грн
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+486.41 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0120090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+519.87 грн
Мінімальне замовлення: 800
C3M0120090J-TRWolfspeedG3 SiC MOSFET 900V, 120 mOhm,
товар відсутній
C3M0120090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0120090J-TRWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 120 mOhm
на замовлення 2936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+664.25 грн
10+ 576.98 грн
50+ 501.03 грн
100+ 496.2 грн
C3M0120090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+619.62 грн
10+ 526.01 грн
100+ 500.61 грн
C3M0120100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0120100JWolfspeedMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1249.6 грн
10+ 1150.79 грн
25+ 986.2 грн
50+ 866.8 грн
100+ 815.73 грн
250+ 801.93 грн
500+ 739.13 грн
C3M0120100JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1166.83 грн
50+ 909.53 грн
100+ 856.03 грн
C3M0120100JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 21.5nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
On-state resistance: 0.12Ω
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+812.12 грн
2+ 614.65 грн
4+ 581.58 грн
10+ 580.86 грн
C3M0120100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0120100JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 21.5nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
On-state resistance: 0.12Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+974.54 грн
2+ 765.95 грн
4+ 697.89 грн
10+ 697.03 грн
C3M0120100JMACOMMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1134.46 грн
10+ 985.71 грн
25+ 850.24 грн
50+ 836.44 грн
100+ 739.82 грн
250+ 733.61 грн
500+ 670.81 грн
C3M0120100J-TRWolfspeedC3M0120100J-TR
товар відсутній
C3M0120100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0120100KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 13.5A; 83W; TO247-4; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 21.5nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -4...15V
Mounting: THT
Case: TO247-4
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 13.5A
On-state resistance: 0.17Ω
товар відсутній
C3M0120100KMACOMMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1085.35 грн
10+ 950 грн
30+ 806.07 грн
60+ 717.74 грн
120+ 690.82 грн
270+ 657 грн
C3M0120100KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0120100K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1 kV, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (20-Jun-2016)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1217.79 грн
5+ 1095.47 грн
10+ 972.38 грн
50+ 849.72 грн
100+ 718 грн
250+ 650.98 грн
C3M0120100KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 13.5A; 83W; TO247-4; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 21.5nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -4...15V
Mounting: THT
Case: TO247-4
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 13.5A
On-state resistance: 0.17Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0120100KWolfspeedMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+878.42 грн
30+ 755.55 грн
C3M0120100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0120100KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 22A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+819.7 грн
30+ 662.14 грн
C3M0120100K
Код товару: 178240		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 35550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+453.63 грн
900+ 421.48 грн
4500+ 419.93 грн
9000+ 400.79 грн
Мінімальне замовлення: 450
C3M0160120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 97W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 256mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0160120DWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 35550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+492.35 грн
8550+ 452.07 грн
17100+ 422.84 грн
25650+ 386.61 грн
Мінімальне замовлення: 450
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+421.56 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0160120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+765.95 грн
30+ 588.53 грн
120+ 526.57 грн
510+ 436.03 грн
1020+ 392.43 грн
C3M0160120D
Код товару: 167206		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+330.92 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0160120DWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+453.98 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0160120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 97W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 256mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
C3M0160120DWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial, Gen 3
на замовлення 2552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+640.1 грн
10+ 552.38 грн
30+ 431.33 грн
120+ 425.81 грн
270+ 398.21 грн
510+ 385.78 грн
C3M0160120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+639.48 грн
5+ 582.96 грн
10+ 530.32 грн
50+ 470.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0160120DWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+470.65 грн
Мінімальне замовлення: 26
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0160120JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
на замовлення 3251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+765.95 грн
50+ 588.52 грн
100+ 526.58 грн
500+ 436.03 грн
1000+ 392.43 грн
C3M0160120JWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+678.54 грн
100+ 569.09 грн
250+ 567.18 грн
500+ 485.23 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+330.92 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0160120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 256mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товар відсутній
C3M0160120JWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 160mO, 1200V, TO-263-7, Industrial, Gen 3
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+830.92 грн
10+ 701.59 грн
50+ 554.17 грн
100+ 508.63 грн
250+ 478.95 грн
500+ 448.58 грн
1000+ 403.73 грн
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+630.07 грн
100+ 528.44 грн
250+ 526.67 грн
500+ 450.57 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0160120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 256mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0160120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 160M, 1200V, TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
товар відсутній
C3M0160120J-TRWolfspeedC3M0160120J-TR
товар відсутній
C3M0160120J-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7 T&R, Industrial, Gen 3
товар відсутній
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 2804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+176.14 грн
69+ 174.38 грн
70+ 172.63 грн
71+ 164.77 грн
100+ 151.07 грн
1000+ 143.52 грн
Мінімальне замовлення: 68
C3M0280090D
Код товару: 123313		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0280090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 7.5A; 54W; TO247-3; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 54W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 20ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+430.14 грн
3+ 366.4 грн
4+ 335.58 грн
9+ 317.46 грн
10+ 316.6 грн
30+ 305.38 грн
C3M0280090DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 8341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+368.04 грн
30+ 283.31 грн
120+ 262.51 грн
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH 900V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+247.18 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0280090DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0280090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11.5 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+328.25 грн
5+ 327.48 грн
10+ 326.71 грн
50+ 302.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
C3M0280090DWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280mOhm
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+268.67 грн
Мінімальне замовлення: 45
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 2804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+163.56 грн
10+ 161.93 грн
25+ 160.3 грн
50+ 153 грн
100+ 140.28 грн
1000+ 133.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
C3M0280090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 7.5A; 54W; TO247-3; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 54W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 20ns
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+358.45 грн
3+ 294.02 грн
4+ 279.65 грн
9+ 264.55 грн
10+ 263.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+249.48 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0280090JWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+591.79 грн
10+ 500 грн
50+ 394.06 грн
100+ 362.32 грн
250+ 340.92 грн
500+ 319.53 грн
1000+ 287.78 грн
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0280090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Reverse recovery time: 20ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 9.5nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+386.32 грн
3+ 302.65 грн
8+ 286.12 грн
10+ 284.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0280090JCREEN-MOSFET 900V 11A C3M0280090J Cree/Wolfspeed TC3M0280090J
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+273.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0280090JMACOMMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+591.79 грн
10+ 500 грн
50+ 394.06 грн
100+ 362.32 грн
250+ 340.92 грн
500+ 319.53 грн
1000+ 287.78 грн
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0280090J
Код товару: 118894		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0280090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Reverse recovery time: 20ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 9.5nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+463.58 грн
3+ 377.15 грн
8+ 343.34 грн
10+ 341.61 грн
50+ 330.4 грн
C3M0280090JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+559.15 грн
10+ 461.24 грн
100+ 384.37 грн
500+ 318.28 грн
1000+ 286.45 грн
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+424.96 грн
100+ 353.63 грн
250+ 346.3 грн
500+ 291.71 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
C3M0280090JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0280090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+617.8 грн
5+ 552.77 грн
10+ 487.74 грн
50+ 429.17 грн
100+ 348.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0280090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+559.15 грн
10+ 461.24 грн
100+ 384.37 грн
C3M0280090J-TRWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 280 mOhm
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+493.56 грн
10+ 416.67 грн
25+ 328.5 грн
100+ 302.28 грн
250+ 284.33 грн
500+ 274.67 грн
C3M0280090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+352.19 грн
1600+ 305.23 грн
Мінімальне замовлення: 800
C3M0280090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0280090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0350120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 5.5A; Idm: 20A; 50W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 525mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 20A
товар відсутній
C3M0350120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 5.5A; Idm: 20A; 50W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 525mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+223.83 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+289.18 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0350120DMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-247-3, Industrial, Gen 3
на замовлення 6110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+553.94 грн
10+ 468.25 грн
30+ 338.85 грн
270+ 298.83 грн
510+ 269.15 грн
1020+ 256.73 грн
C3M0350120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
на замовлення 3244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+509.88 грн
30+ 392.37 грн
120+ 351.05 грн
510+ 290.69 грн
1020+ 261.62 грн
2010+ 245.15 грн
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0350120DWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+553.94 грн
10+ 468.25 грн
30+ 338.85 грн
120+ 338.16 грн
270+ 298.83 грн
510+ 269.15 грн
1020+ 256.73 грн
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+311.43 грн
Мінімальне замовлення: 39
C3M0350120JWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-263-7, Industrial
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+494.36 грн
10+ 472.22 грн
50+ 349.21 грн
100+ 298.14 грн
500+ 273.29 грн
1000+ 256.73 грн
C3M0350120JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 7.2A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 40.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+517.35 грн
50+ 397.83 грн
100+ 355.96 грн
500+ 294.75 грн
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
C3M0350120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 5A; Idm: 20A; 40.8W
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 5A
On-state resistance: 525mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 40.8W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 13nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 20A
товар відсутній
C3M0350120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 5A; Idm: 20A; 40.8W
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 5A
On-state resistance: 525mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 40.8W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 13nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0350120J-TRWolfspeedGen 3 1200V 350 m¿ SiC MOSFET, Tape and Reel
товар відсутній
C3M0350120J-TRWolfspeedC3M0350120J-TR
товар відсутній
C3M0350120J-TRWolfspeedMOSFET Gen 3 1200V 350 mO SiC MOSFET, Tape and Reel
товар відсутній
C3M580000L002ABRACONAbracon
товар відсутній