Продукція > GT0

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
GT0036-17M000NMB Technologies CorporationDescription: HYBRID 17 STEP MOTOR LOW BACKLAS
Features: Flatted Shaft
Packaging: Bulk
Voltage - Rated: 24VDC
Size / Dimension: Square - 1.654" x 1.654" (42.00mm x 42.00mm)
Type: Hybrid Gear Motor
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Wire Leads
Step Angle: 0.5°
Torque - Holding (oz-in / mNm): 49.56 / 350
Coil Type: Unipolar
Diameter - Shaft: 0.236" (6.00mm)
Mounting Hole Spacing: 1.220" (31.00mm)
Length - Shaft and Bearing: 0.787" (20.00mm)
NEMA Frame Size: 17
Current Rating (Amps): 1 A
Coil Resistance: 3.1 Ohms
Steps per Revolution: 720
товар відсутній
GT0043Marathon MotorsDescription: 1800RPM, 75HP, 3PH, 230/460V, 36
Packaging: Bulk
Voltage - Rated: 208 ~ 230/460VAC
Function: Standard
RPM: 1800 RPM
Type: AC Motor
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+391578.67 грн
GT0072-17M000NMB Technologies CorporationDescription: HYBRID 17 STEP MOTOR LOW BACKLAS
Features: Flatted Shaft
Packaging: Bulk
Voltage - Rated: 24VDC
Size / Dimension: Square - 1.654" x 1.654" (42.00mm x 42.00mm)
Type: Hybrid Gear Motor
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Wire Leads
Step Angle: 0.25°
Torque - Holding (oz-in / mNm): 99.1 / 700
Coil Type: Unipolar
Diameter - Shaft: 0.236" (6.00mm)
Mounting Hole Spacing: 1.220" (31.00mm)
Length - Shaft and Bearing: 0.787" (20.00mm)
NEMA Frame Size: 17
Current Rating (Amps): 1 A
Coil Resistance: 3.1 Ohms
Steps per Revolution: 1440
товар відсутній
GT01-C100R4-8PMITSUBISHIDescription: MITSUBISHI - GT01-C100R4-8P - RS-422-KABEL, 10M, GRAPHISCHES TERMINAL
Art des Zubehörs: Kabel, RS-422
Zur Verwendung mit: Grafische Bedienterminals der Produktreihe GT10 GOT1000 von Mitsubishi
Produktpalette: GT10
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
GT01-C10R4-8PMITSUBISHIDescription: MITSUBISHI - GT01-C10R4-8P - RS-422-KABEL, 1M, GRAPHISCHES TERMINAL
Art des Zubehörs: Kabel, RS-422
Zur Verwendung mit: Grafische Bedienterminals der Produktreihe GT10 GOT1000 von Mitsubishi
Produktpalette: GT10
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2523.84 грн
GT01-C30R2-6PMITSUBISHIDescription: MITSUBISHI - GT01-C30R2-6P - RS-232-KABEL, 3M, GRAPHISCHES TERMINAL
Art des Zubehörs: Kabel, RS-232
Zur Verwendung mit: Grafische Bedienterminals der Produktreihe GT10 GOT1000 von Mitsubishi
Produktpalette: GT10
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
GT01-C30R4-8PMITSUBISHIDescription: MITSUBISHI - GT01-C30R4-8P - RS-422-KABEL, 3M, GRAPHISCHES TERMINAL
tariffCode: 85444290
Art des Zubehörs: Kabel, RS-422
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Grafische Bedienterminals der Produktreihe GT10 GOT1000 von Mitsubishi
usEccn: EAR99
Produktpalette: GT10
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5115.04 грн
GT0100N/A00+ PLCC
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GT0100-17M000NMB Technologies CorporationDescription: HYBRID 17 STEP MOTOR LOW BACKLAS
Features: Flatted Shaft
Packaging: Bulk
Voltage - Rated: 24VDC
Size / Dimension: Square - 1.654" x 1.654" (42.00mm x 42.00mm)
Type: Hybrid Gear Motor
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Wire Leads
Step Angle: 0.18°
Torque - Holding (oz-in / mNm): 141.63 / 1000
Coil Type: Unipolar
Diameter - Shaft: 0.236" (6.00mm)
Mounting Hole Spacing: 1.220" (31.00mm)
Length - Shaft and Bearing: 0.787" (20.00mm)
NEMA Frame Size: 17
Current Rating (Amps): 1 A
Coil Resistance: 3.1 Ohms
Steps per Revolution: 2000
товар відсутній
GT011N03D5EGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH ESD 30V 209A DFN5*6-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6503 pF @ 15 V
товар відсутній
GT011N03D5EGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH ESD 30V 209A DFN5*6-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6503 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT011N03D5EGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH ESD 30V 209A DFN5*6-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6503 pF @ 15 V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.99 грн
10+ 85.62 грн
100+ 66.6 грн
500+ 52.97 грн
1000+ 43.15 грн
2000+ 40.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT011N03MEGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH ESD 30V A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V
товар відсутній
GT011N03MEGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH ESD 30V A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+65.94 грн
Мінімальне замовлення: 800
GT013N04D5GOFORD SemiconductorN-CH,40V,195A,RD(max) Less Than 1.7mOhm at 10V,VTH 2V to 4V, DFN5x6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.1 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT013N04D5Goford SemiconductorDescription: N40V,195A,RD<1.7M@10V,VTH2.0V~4.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3927 pF @ 20 V
товар відсутній
GT013N04TIGoford SemiconductorDescription: N40V, 220A,RD<2.5M@10V,VTH2.0V~5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3986 pF @ 20 V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.28 грн
10+ 80.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT016N10TLGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 362A TOLL-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10037 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+111.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000
GT016N10TLGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 362A TOLL-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10037 pF @ 50 V
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.47 грн
10+ 222.78 грн
100+ 180.25 грн
500+ 150.36 грн
1000+ 128.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT016N10TLGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 362A TOLL-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10037 pF @ 50 V
товар відсутній
GT019N04D5
Код товару: 200326		Транзистори > Польові N-канальні
очікується 200 шт:
200 шт - очікується
GT019N04D5Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 120A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 20 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.66 грн
15000+ 16.49 грн
30000+ 14.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT019N04D5Goford SemiconductorDescription: N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 20 V
на замовлення 4670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.99 грн
10+ 46.37 грн
100+ 32.12 грн
500+ 25.19 грн
1000+ 21.44 грн
2000+ 19.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
GT019N04D5Goford SemiconductorDescription: N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 20 V
товар відсутній
GT02-110-019ICE ComponentsPulse Transformers SMT Gate Driver Transformer 1:1
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+294.69 грн
10+ 266.67 грн
25+ 210.49 грн
100+ 151.83 грн
250+ 143.55 грн
500+ 133.89 грн
1000+ 125.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT0200-17M000NMB Technologies CorporationDescription: HYBRID 17 STEP MOTOR LOW BACKLAS
Features: Flatted Shaft
Packaging: Bulk
Voltage - Rated: 24VDC
Size / Dimension: Square - 1.654" x 1.654" (42.00mm x 42.00mm)
Type: Hybrid Gear Motor
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Wire Leads
Step Angle: 0.09°
Torque - Holding (oz-in / mNm): 212.44 / 1500
Coil Type: Unipolar
Diameter - Shaft: 0.236" (6.00mm)
Mounting Hole Spacing: 1.220" (31.00mm)
Length - Shaft and Bearing: 0.787" (20.00mm)
NEMA Frame Size: 17
Current Rating (Amps): 1 A
Coil Resistance: 3.1 Ohms
Steps per Revolution: 4000
товар відсутній
GT020Z-2POWER ONE07+
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GT023N10MGoford SemiconductorDescription: N100V,140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+143.7 грн
Мінімальне замовлення: 800
GT023N10MGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 226A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+96.37 грн
Мінімальне замовлення: 800
GT023N10TGoford SemiconductorDescription: N100V, 140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8086 pF @ 50 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.95 грн
10+ 183.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT023N10TLGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 330A TOLL-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8058 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+99.6 грн
Мінімальне замовлення: 2000
GT023N10TLGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 330A TOLL-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8058 pF @ 50 V
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.36 грн
10+ 199.06 грн
100+ 161.04 грн
500+ 134.34 грн
1000+ 115.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT023N10TLGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 330A TOLL-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8058 pF @ 50 V
товар відсутній
GT025N06AD5Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 170A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5044 pF @ 30 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+45.99 грн
15000+ 40.92 грн
30000+ 36.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT025N06AD5Goford SemiconductorDescription: N60V, 170A, RD<2.2M@10V,VTH1.2V~
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5044 pF @ 30 V
на замовлення 4641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.18 грн
10+ 98.27 грн
100+ 78.21 грн
500+ 62.11 грн
1000+ 52.7 грн
2000+ 50.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT025N06AD5Goford SemiconductorDescription: N60V, 170A, RD<2.2M@10V,VTH1.2V~
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5044 pF @ 30 V
товар відсутній
GT025N06AMGoford SemiconductorDescription: N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5119 pF @ 30 V
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.7 грн
10+ 95.18 грн
100+ 75.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT025N06AMGoford SemiconductorDescription: N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5119 pF @ 30 V
товар відсутній
GT025N06AMGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 170A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1600+55 грн
8000+ 51.32 грн
Мінімальне замовлення: 1600
GT025N06AM6Goford SemiconductorDescription: N60V,170A,RD<2.0M@10V,VTH1.2V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5058 pF @ 30 V
товар відсутній
GT025N06ATGoford SemiconductorDescription: N60V, 170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4954 pF @ 30 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.94 грн
50+ 93.77 грн
100+ 77.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT025N06ATGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 170A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+51.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000
GT025N06D5Goford SemiconductorDescription: N60V,RD(MAX)<2.7M@10V,RD(MAX)<3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 25 V
товар відсутній
GT025N06D5Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 170A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.49 грн
15000+ 43.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT025N06D5Goford SemiconductorDescription: N60V,RD(MAX)<2.7M@10V,RD(MAX)<3.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 25 V
на замовлення 7076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.91 грн
10+ 101.58 грн
100+ 80.87 грн
500+ 64.21 грн
1000+ 54.48 грн
2000+ 51.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT03-111-034-BICE ComponentsPulse Transformers SMT Gate Driver Transformer 1:1:1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 169-178 дні (днів)
2+319.65 грн
10+ 257.94 грн
100+ 165.63 грн
500+ 140.1 грн
5000+ 133.89 грн
10000+ 129.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT03-111-052-AICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
товар відсутній
GT03-111-069-BICE ComponentsPulse Transformers SMT Gate Driver Transformer 1:1:1
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+312.4 грн
10+ 252.38 грн
100+ 162.18 грн
500+ 137.34 грн
5000+ 131.12 грн
10000+ 126.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT03-111-110-AICE ComponentsPulse Transformers SMT Gate Driver Transformer 1:1:1
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+315.62 грн
10+ 285.71 грн
25+ 225.67 грн
100+ 162.18 грн
250+ 153.21 грн
500+ 144.24 грн
1000+ 135.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT03-122-055-AICE ComponentsPulse Transformers SMT Gate Driver Xfmr 1:2.5:2.5
товар відсутній
GT0300-17M000NMB Technologies CorporationDescription: HYBRID 17 STEP MOTOR LOW BACKLAS
Features: Flatted Shaft
Packaging: Bulk
Voltage - Rated: 24VDC
Size / Dimension: Square - 1.654" x 1.654" (42.00mm x 42.00mm)
Type: Hybrid Gear Motor
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Wire Leads
Step Angle: 0.06°
Torque - Holding (oz-in / mNm): 212.44 / 1500
Coil Type: Unipolar
Diameter - Shaft: 0.236" (6.00mm)
Mounting Hole Spacing: 1.220" (31.00mm)
Length - Shaft and Bearing: 0.787" (20.00mm)
NEMA Frame Size: 17
Current Rating (Amps): 1 A
Coil Resistance: 3.1 Ohms
Steps per Revolution: 6000
товар відсутній
GT030N08TGoford SemiconductorDescription: N85V,200A,RD<3.0M@10V,VTH2.0V~4.
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5822 pF @ 50 V
товар відсутній
GT030PCM32-ARP-120Amphenol IndustrialCircular MIL Spec Connector 4 CONDUCTOR RECPT 120 AMPS 4 AWG
товар відсутній
GT030PCM32-ARP-80Amphenol Industrial OperationsDescription: CONN RCPT MALE 4POS SILVER SCREW
товар відсутній
GT030PCM32-ARP-80Amphenol IndustrialCircular MIL Spec Connector 4 CONDUCTOR RECPT 80 AMPS 4-6 AWG
товар відсутній
GT0312-90Ondrives.US CorpDescription: SHAFT, 0.0312 DIA. X 9IN LG
Packaging: Bulk
Type: Shaft, Ground
Specifications: 0.031" Dia x 9.000" L (0.78mm x 228.60mm)
Part Status: Active
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+659.19 грн
5+ 571.51 грн
10+ 546.35 грн
25+ 494.52 грн
50+ 482.37 грн
GT035N06TGoford SemiconductorDescription: N-CH, 60V,170A, RD(MAX)<3.5M@10V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5064 pF @ 30 V
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+150.05 грн
10+ 130.05 грн
100+ 104.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT035N10MGoford SemiconductorDescription: N100V, 190A,RD<3.5M@10V,VTH2V~4V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6188 pF @ 50 V
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.87 грн
10+ 151.18 грн
100+ 120.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT035N10MGoford SemiconductorDescription: N100V, 190A,RD<3.5M@10V,VTH2V~4V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6188 pF @ 50 V
товар відсутній
GT035N10QGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 190A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6516 pF @ 50 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.69 грн
10+ 183.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT035N10TGoford SemiconductorDescription: N100V,190A,RD<3.5M@10V,VTH2.0V~4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6057 pF @ 50 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.63 грн
10+ 149.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT035N12TGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 120V 180A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8336 pF @ 60 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.75 грн
10+ 174.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT04-111-063-BICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
на замовлення 8503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.52 грн
10+ 242.06 грн
120+ 150.45 грн
240+ 147 грн
600+ 140.79 грн
1080+ 136.65 грн
2880+ 131.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT04-111-126-AICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+322.06 грн
10+ 260.32 грн
100+ 161.49 грн
250+ 158.73 грн
500+ 152.52 грн
1000+ 147.69 грн
2880+ 141.48 грн
GT04-111-126-BICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+322.06 грн
10+ 260.32 грн
120+ 161.49 грн
240+ 158.04 грн
600+ 151.83 грн
1080+ 147 грн
2880+ 141.48 грн
GT04-111-189-AICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+362.32 грн
10+ 292.06 грн
100+ 182.19 грн
1000+ 153.9 грн
5000+ 151.83 грн
10000+ 145.62 грн
GT04-111-252-AICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+411.43 грн
10+ 331.75 грн
120+ 207.04 грн
240+ 202.21 грн
600+ 194.62 грн
1080+ 188.41 грн
2880+ 181.5 грн
GT04-111-252-BICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+404.19 грн
10+ 326.19 грн
120+ 203.59 грн
240+ 198.76 грн
600+ 191.17 грн
1080+ 184.95 грн
2880+ 178.74 грн
GT04-111-315-AICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
товар відсутній
GT04-111-315-BICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+433.98 грн
10+ 350.79 грн
100+ 218.77 грн
250+ 213.94 грн
500+ 205.66 грн
1000+ 198.76 грн
2000+ 191.86 грн
GT04-111-378-AICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+444.44 грн
10+ 358.73 грн
100+ 223.6 грн
1000+ 189.79 грн
5000+ 187.03 грн
10000+ 179.43 грн
GT04-111-378-BICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+418.68 грн
10+ 338.09 грн
120+ 210.49 грн
240+ 205.66 грн
600+ 197.38 грн
1080+ 191.17 грн
2880+ 184.95 грн
GT04-122-252-AICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
товар відсутній
GT04-122-378-AICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
товар відсутній
GT040N04TIGoford SemiconductorDescription: N40V, 110A,RD<4M@10V,VTH1.0V~2.5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2303 pF @ 20 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.67 грн
10+ 56.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
GT0410EMFairchild04+05+ SOIC-14
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GT0410EMFAIRCHIL..09+ SOP14
на замовлення 1758 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GT0416AMarathon MotorsDescription: MOTOR 7.5HP 1750RPM 213JM DPPE 3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GT042P06TGoford SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH,-60V,-160A,RD(MAX)<
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9151 pF @ 30 V
товар відсутній
GT042P06TGOFORD SemiconductorP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+92.38 грн
Мінімальне замовлення: 130
GT042P06TGoford SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 160A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
товар відсутній
GT045N10D5Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 120A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4217 pF @ 50 V
товар відсутній
GT045N10D5Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 120A DFN5*6-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4217 pF @ 50 V
на замовлення 4847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.66 грн
10+ 101.79 грн
100+ 81.06 грн
500+ 64.37 грн
1000+ 54.61 грн
2000+ 51.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT045N10MGoford SemiconductorDescription: N100V, 120A,RD<4.5M@10V,VTH2V~4V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4198 pF @ 50 V
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.42 грн
10+ 100.14 грн
100+ 79.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT045N10MGoford SemiconductorDescription: N100V, 120A,RD<4.5M@10V,VTH2V~4V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4198 pF @ 50 V
товар відсутній
GT045N10MGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+54.46 грн
Мінімальне замовлення: 800
GT045N10TGoford SemiconductorDescription: N100V, 150A,RD<4.8M@10V,VTH2V~4V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4198 pF @ 50 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.69 грн
10+ 96.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT0468-60Ondrives.US CorpDescription: SHAFT, 0.0468 DIA. X 6IN LG
Packaging: Bulk
Type: Shaft, Ground
Specifications: 0.046" Dia x 6.000" L (1.18mm x 152.40mm)
Part Status: Active
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+624.85 грн
5+ 541.32 грн
10+ 517.6 грн
25+ 468.88 грн
GT05-14SAmphenol IndustrialCircular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories Dummy Rcpt 14S Shell Rvs Bay Cpling Conn
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7276.97 грн
5+ 6974.6 грн
10+ 5870.94 грн
25+ 5688.06 грн
GT05-20(025)Amphenol IndustrialCircular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories Dummy Receptacle
товар відсутній
GT05AIDTQFP
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GT05AIDTQFP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GT06-111-049ICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
на замовлення 5612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+335.75 грн
10+ 303.97 грн
25+ 240.17 грн
100+ 172.53 грн
250+ 162.87 грн
400+ 153.21 грн
800+ 143.55 грн
GT06-111-100ICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
на замовлення 17587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+347.83 грн
10+ 313.49 грн
25+ 247.76 грн
100+ 179.43 грн
250+ 168.39 грн
500+ 158.73 грн
1200+ 149.07 грн
GT06-122-053ICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
на замовлення 1147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+239.94 грн
10+ 218.25 грн
100+ 132.51 грн
250+ 113.87 грн
500+ 107.66 грн
1200+ 98 грн
2400+ 94.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT060N04D3Goford SemiconductorDescription: N40V,RD(MAX)<6.5M@10V,RD(MAX)<10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1282 pF @ 20 V
на замовлення 13550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.79 грн
10+ 37.6 грн
100+ 26.07 грн
500+ 20.44 грн
1000+ 17.39 грн
2000+ 15.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
GT060N04D3Goford SemiconductorDescription: N40V,RD(MAX)<6.5M@10V,RD(MAX)<10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1282 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.24 грн
10000+ 14.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT060N04D3Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1282 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.59 грн
15000+ 11.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT060N04D3GOFORD SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin DFN EP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT060N04D5Goford SemiconductorDescription: N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1276 pF @ 20 V
товар відсутній
GT060N04D5Goford SemiconductorDescription: N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1276 pF @ 20 V
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.55 грн
10+ 35.66 грн
100+ 24.66 грн
500+ 19.34 грн
1000+ 16.46 грн
2000+ 14.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
GT060N04D52Goford SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 62A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1276pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
товар відсутній
GT060N04KGoford SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, 40V,54A,TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1279 pF @ 20 V
товар відсутній
GT060N04KGoford SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, 40V,54A,TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1279 pF @ 20 V
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.51 грн
10+ 42.99 грн
100+ 29.79 грн
500+ 23.36 грн
1000+ 19.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
GT060N04TGoford SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, 40V,60A,TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1301 pF @ 20 V
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.98 грн
10+ 46.44 грн
100+ 36.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
GT060N04TGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1301 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000
GT060N10TGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 116A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5365 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+43.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000
GT060N10TGOFORD SemiconductorGT060N10T
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+49.46 грн
Мінімальне замовлення: 242
GT060N10TGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 116A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5365 pF @ 50 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.7 грн
10+ 94.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT0625-180Ondrives.US CorpDescription: SHAFT, 0.0625 DIA. X 18IN LG
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1226.56 грн
5+ 1063.81 грн
10+ 1016.65 грн
GT0625-240Ondrives.US CorpDescription: SHAFT, 0.0625 DIA. X 24IN LG
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1699.86 грн
5+ 1473.72 грн
10+ 1408.51 грн
25+ 1275.46 грн
GT0625-30Ondrives.US CorpDescription: SHAFT, 0.0625 DIA. X 3IN LG
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.96 грн
5+ 240.25 грн
10+ 229.32 грн
25+ 207.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT0625-360Ondrives.US CorpDescription: SHAFT, 0.0625 DIA. X 36IN LG
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GT0625-50Ondrives.US CorpDescription: SHAFT, 0.0625 DIA. X 5IN LG
товар відсутній
GT0625-90Ondrives.US CorpDescription: SHAFT, 0.0625 DIA. X 9IN LG
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+556.17 грн
5+ 481.8 грн
10+ 460.81 грн
25+ 417.44 грн
50+ 407.23 грн
GT065P06D5Goford SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5326 pF @ 30 V
товар відсутній
GT065P06D5Goford SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5326 pF @ 30 V
на замовлення 4720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.26 грн
10+ 84.33 грн
100+ 67.15 грн
500+ 53.32 грн
1000+ 45.24 грн
2000+ 42.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT065P06TGoford SemiconductorDescription: P-60V,-82A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VTH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5335 pF @ 30 V
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.97 грн
10+ 91.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT06PCM32-ARS-120(36OS)Amphenol IndustrialCircular MIL Spec Connector 4 CONDUCTOR PLUG 120 AMPS 4 AWG
товар відсутній
GT06PCM32-ARS-30(29R)Amphenol Industrial OperationsDescription: CONN PLUG FMALE 4P SILVER SCREW
Features: Backshell
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Female Sockets
Color: Olive Drab
Current Rating (Amps): 30A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 4
Orientation: N (Normal)
Shell Size - Insert: 32
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Fastening Type: Reverse Bayonet Lock
Termination: Screw
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Contact Finish - Mating: Silver
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Shell Material: Aluminum
Shell Finish: Olive Drab Cadmium
Primary Material: Metal
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12718.72 грн
GT06PCM32-ARS-30(29R)Amphenol IndustrialCircular MIL Spec Connector 4 CONDUCTOR PLUG 30 AMPS 8-10 AWG
товар відсутній
GT06PCM32-ARS-40(29R)Amphenol Industrial OperationsDescription: CONN PLUG FMALE 4P SILVER SCREW
Features: Backshell
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Female Sockets
Color: Olive Drab
Current Rating (Amps): 40A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 4
Orientation: N (Normal)
Shell Size - Insert: 32
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Fastening Type: Reverse Bayonet Lock
Termination: Screw
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Contact Finish - Mating: Silver
Shell Material: Aluminum
Shell Finish: Olive Drab Cadmium
Primary Material: Metal
товар відсутній
GT06PCM32-ARS-40(29R)Amphenol IndustrialCircular MIL Spec Connector 4 CONDUCTOR PLUG 40 AMPS 8-10 AWG
товар відсутній
GT06PCM32-ARS-50(29)Amphenol Industrial OperationsDescription: CONN PLUG FMALE 4P SILVER SCREW
Features: Backshell
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Female Sockets
Color: Olive Drab
Current Rating (Amps): 50A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 4
Orientation: N (Normal)
Shell Size - Insert: 32
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Fastening Type: Reverse Bayonet Lock
Termination: Screw
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Contact Finish - Mating: Silver
Shell Material: Aluminum
Shell Finish: Olive Drab Cadmium
Primary Material: Metal
товар відсутній
GT06PCM32-ARS-50(29)Amphenol IndustrialCircular MIL Spec Connector 4 CONDUCTOR PLUG 50 AMPS 4-6 AWG
товар відсутній
GT06PCM32-ARS-70(29OS)Amphenol Industrial OperationsDescription: CONN PLUG FMALE 4P SILVER SCREW
Features: Backshell
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Female Sockets
Color: Olive Drab
Current Rating (Amps): 70A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 4
Orientation: N (Normal)
Shell Size - Insert: 32
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Fastening Type: Reverse Bayonet Lock
Termination: Screw
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Contact Finish - Mating: Silver
Shell Material: Aluminum
Shell Finish: Olive Drab Cadmium
Primary Material: Metal
товар відсутній
GT06PCM32-ARS-70(29OS)Amphenol IndustrialCircular MIL Spec Connector 4 CONDUCTOR PLUG 70 AMPS 4-6 AWG
товар відсутній
GT07-110-013ICE ComponentsPulse Transformers SMT Gate Drive Trans 100uH 1:1 6250Vac
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+281.8 грн
10+ 254.76 грн
25+ 201.52 грн
100+ 144.93 грн
250+ 142.86 грн
500+ 121.46 грн
1000+ 120.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT07-110-027ICE ComponentsPulse Transformers SMT Gate Drive Trans 340uH 1:1.1 6250Vac
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+368.76 грн
10+ 333.33 грн
25+ 262.94 грн
100+ 189.79 грн
250+ 179.43 грн
500+ 167.7 грн
1000+ 157.35 грн
GT0781-50Ondrives.US CorpDescription: SHAFT, 0.0781 DIA. X 5IN LG
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+580.8 грн
5+ 503.65 грн
10+ 481.08 грн
25+ 435.82 грн
GT080N08D5Goford SemiconductorDescription: N85V,65A,RD<8.5M@10V,VTH2.0V~4.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1885 pF @ 50 V
товар відсутній
GT080N10KGoford SemiconductorDescription: N100V, 75A,RD<8M@10V,VTH1V~3V, T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2056 pF @ 50 V
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.74 грн
10+ 86.27 грн
100+ 67.1 грн
500+ 53.37 грн
1000+ 43.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT080N10KGoford SemiconductorDescription: N100V, 75A,RD<8M@10V,VTH1V~3V, T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2056 pF @ 50 V
товар відсутній
GT080N10KGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 65A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
GT080N10KIGoford SemiconductorDescription: N100V,65A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2394 pF @ 50 V
товар відсутній
GT080N10MGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 70A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2125 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1600+42.5 грн
Мінімальне замовлення: 1600
GT080N10MGoford SemiconductorDescription: N100V, 70A,RD<7.5M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2125 pF @ 50 V
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.01 грн
10+ 84.97 грн
100+ 67.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT080N10MGoford SemiconductorDescription: N100V, 70A,RD<7.5M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2125 pF @ 50 V
товар відсутній
GT080N10TGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 70A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+40.4 грн
Мінімальне замовлення: 2000
GT080N10TGoford SemiconductorDescription: N100V, 70A,RD<8M@10V,VTH1.0V~3.0
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2257 pF @ 50 V
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.01 грн
10+ 84.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT080N10TIGoford SemiconductorDescription: N100V,65A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2328 pF @ 50 V
товар відсутній
GT08885PRO ELECDescription: PRO ELEC - GT08885 - Heizgerät rohrförmig 1ft, 45W
tariffCode: 85162999
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Nennleistung: 45W
euEccn: NLR
Netzsteckertyp: Netzstecker separat erhältlich
hazardous: false
Betriebsspannung: 240V
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Außentiefe: -
Außenhöhe: -
usEccn: EAR99
Außenbreite: 1ft
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1391.21 грн
3+ 1279.73 грн
GT08886PRO ELECDescription: PRO ELEC - GT08886 - Heizgerät rohrförmig 2ft, 80W
tariffCode: 85162999
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Nennleistung: 80W
euEccn: NLR
Netzsteckertyp: Netzstecker separat erhältlich
hazardous: false
Betriebsspannung: 240V
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Außentiefe: -
Außenhöhe: -
usEccn: EAR99
Außenbreite: 2ft
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1674.56 грн
3+ 1535.98 грн
GT08887/GT08609PRO ELECDescription: PRO ELEC - GT08887/GT08609 - Heizgerät rohrförmig 3ft, 135W
tariffCode: 85162999
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Nennleistung: 135W
euEccn: NLR
Netzsteckertyp: Netzstecker separat erhältlich
hazardous: false
Betriebsspannung: 240V
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Außentiefe: -
Außenhöhe: -
usEccn: EAR99
Außenbreite: 3ft
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2243.59 грн
3+ 2056.23 грн
GT08892PRO ELECDescription: PRO ELEC - GT08892 - Schutz für Heizung 2ft
tariffCode: 85162999
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2476.62 грн
3+ 2371.33 грн
GT088N06TGoford SemiconductorDescription: N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 30 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.92 грн
10+ 61.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
GT090N06D52Goford SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 62W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
товар відсутній
GT090N06D52Goford SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 62W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.59 грн
15000+ 25.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT090N06D52Goford SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 62W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
на замовлення 4239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.88 грн
10+ 62.97 грн
100+ 49.02 грн
500+ 38.99 грн
1000+ 31.76 грн
2000+ 29.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
GT090N06D52GOFORD SemiconductorDual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT090N06KGoford SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, 60V,45A,TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 30 V
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.72 грн
10+ 49.46 грн
100+ 34.26 грн
500+ 26.87 грн
1000+ 22.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
GT090N06KGoford SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, 60V,45A,TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 30 V
товар відсутній
GT090N06SGoford SemiconductorDescription: N60V,14A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.4V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1378 pF @ 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
товар відсутній
GT095N04D3Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 47A DFN3*3-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 947 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.37 грн
13+ 23.15 грн
100+ 16.08 грн
500+ 11.78 грн
1000+ 9.58 грн
2000+ 8.56 грн
Мінімальне замовлення: 11
GT095N04D3Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 47A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 947 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT095N04D5Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 54A DFN5*6-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.06 грн
10+ 33.43 грн
100+ 23.23 грн
500+ 17.02 грн
1000+ 13.83 грн
2000+ 12.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
GT095N04D5Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 54A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT095N10D5Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 55A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 35A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.61 грн
15000+ 20.12 грн
30000+ 18.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT095N10D5GOFORD SemiconductorN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT095N10D5Goford SemiconductorDescription: N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 35A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
на замовлення 14841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+76.15 грн
10+ 59.52 грн
100+ 46.31 грн
500+ 36.84 грн
1000+ 30.01 грн
2000+ 28.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
GT095N10D5Goford SemiconductorDescription: N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 35A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.77 грн
10000+ 27.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT095N10KGoford SemiconductorDescription: N100V, RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)
на замовлення 3979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.12 грн
10+ 70.88 грн
100+ 55.26 грн
500+ 42.84 грн
1000+ 33.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
GT095N10KGoford SemiconductorDescription: N100V, RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
GT095N10SGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 11A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-SOP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.69 грн
16000+ 18.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000