Продукція > SI1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI100 | Applied Motion | Motor Drives STEPPER MOTOR INDEXER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI100 1LB | 3M | Description: SCOTCH-WELD SURFACE INSENSITIVE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI100 20G BTL | 3M | Description: SURFACT INSENSITIVE INSTANT ADHE | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI100 3G TUBE | 3M | Description: SCOTCH-WELD SURFACE INSENSITIVE Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1000-C-GM | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 64kB, 4kB RAM, +20 dBm, programmable XCVR, QFN42 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1000-C-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin QFN EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1000-C-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN Packaging: Tube Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 85mA Supplier Device Package: 42-QFN (5x7) GPIO: 22 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1000-C-GM | Silicon Labs | SI1000-C-GM SI1000 кількість в упаковці: 43 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1000-C-GMR | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin QFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1000-C-GMR | Silicon Labs | QFN 42/I°/64KB, 4KB RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1000 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1000-CSA2-GM | Silicon Labs | QFN 42/I°/915 MHZ, SNAP ENABLED PROGRAMABLE XCVR SI1000 кількість в упаковці: 43 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1000-CSA2-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN Packaging: Tube Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 85mA Supplier Device Package: 42-QFN (5x7) GPIO: 22 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I²C, SPI, UART Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1000-CSA2-GMR | Silicon Labs | QFN 42/I°/915 MHZ, SNAP ENABLED PROGRAMABLE XCVR SI1000 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1000-E-GM | Silicon Labs | QFN 42/I°/64KB, 4KB RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1000 кількість в упаковці: 43 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1000-E-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1000-E-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1000-E-GM | Silicon Laboratories Inc | Description: MCU 64KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1000-E-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1000-E-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1000-E-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1000-E-GM2 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA Packaging: Tray Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 85mA Supplier Device Package: 42-LGA (5x7) GPIO: 22 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 8652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1000-E-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1000-E-GM2 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 64kB, 4kB RAM, +20 dBm, programmable XCVR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1000-E-GM2 | Silicon Labs | LGA 42/I°/64KB, 4KB RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1000 кількість в упаковці: 43 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1000-E-GM2R | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1000-E-GM2R | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 85mA Supplier Device Package: 42-LGA (5x7) GPIO: 22 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1000-E-GM2R | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1000-E-GM2R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 64kB, 4kB RAM, +20 dBm, programmable XCVR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1000-E-GM2R | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1000-E-GMR | Silicon Labs | LGA 42/I°/64KB, 4KB RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1000 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1000-E-GMR | Silicon Laboratories | SI1000-E-GMR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1000-E-GMR | Silicon Laboratories Inc | Description: MCU 64KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1000-ESA2-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN Packaging: Tube Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 85mA Supplier Device Package: 42-QFN (5x7) GPIO: 22 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1000-ESA2-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 85mA Supplier Device Package: 42-QFN (5x7) GPIO: 22 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI100003 | Bantam Tools | Description: The Bantam Tools Desktop CNC Mil Packaging: Tape & Box (TB) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1000CSA | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1000DK | Silicon Labs | Description: DEVELOPMENT KIT SI101X Packaging: Box For Use With/Related Products: Si100x Frequency: 240MHz ~ 960MHz Type: Transceiver Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1000DK | Silicon Laboratories | Si1000/Si1010 Microcontroller Development Kit 20MHz/24.5MHz CPU Win 2000 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1000DK | Silicon Labs | DEVELOPMENT KIT DEVELOPKIT кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1000K3 | Belden Inc. | Description: SPLICE AUTO SEIZE Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1000PX0713GMR | Silicon Labs | SI1000PX0713GMR SI1000PX0713 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1001 | 3M Electronic Specialty | Wire Identification KE727004662 CLEAR PVC SLEEVE FOR CABLE TIE REF SI1001 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1001-C-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN Packaging: Tube Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 32kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 85mA Supplier Device Package: 42-QFN (5x7) GPIO: 22 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I²C, SPI, UART Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1001-C-GM | Silicon Labs | SI1001-C-GM SI1001 кількість в упаковці: 43 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1001-C-GMR | Silicon Labs | QFN 42/I°/32KB, 4KB RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1001 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1001-E-GM | Silicon Labs | LGA 42/I°/32KB, 4KB RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1001 кількість в упаковці: 43 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1001-E-GM Код товару: 147490 | Мікросхеми > Інші мікросхеми | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
| SI1001-E-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1001-E-GM | Silicon Laboratories Inc | Description: MCU 32KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1001-E-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1001-E-GM2 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA Packaging: Tray Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 32kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 85mA Supplier Device Package: 42-LGA (5x7) GPIO: 22 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I²C, SPI, UART Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1001-E-GM2 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 32kB, 4kB RAM, +20 dBm, programmable XCVR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1001-E-GM2R | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1001-E-GM2R | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1001-E-GM2R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 32kB, 4kB RAM, +20 dBm, programmable XCVR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1001-E-GMR | Silicon Laboratories Inc | Description: MCU 32KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1002-C-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN Packaging: Tube Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 42-QFN (5x7) GPIO: 22 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I²C, SPI, UART Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1002-C-GM | Silicon Labs | SI1002-C-GM SI1002 кількість в упаковці: 43 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1002-C-GMR | Silicon Labs | QFN 42/I°/64KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, SI1002 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1002-CSB2-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1002-E-GM | Silicon Laboratories Inc | Description: MCU 64KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1002-E-GM | Silicon Labs | QFN 42/I°/64KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1002 кількість в упаковці: 43 шт | на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1002-E-GM2 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA Packaging: Tray Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 42-LGA (5x7) GPIO: 22 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I²C, SPI, UART Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 3390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1002-E-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray | на замовлення 1092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1002-E-GM2 | Silicon Labs | LGA 42/I°/64KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1002 кількість в упаковці: 43 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1002-E-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray | на замовлення 1092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1002-E-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray | на замовлення 756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1002-E-GM2 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 64kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR | на замовлення 732 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1002-E-GM2R | Silicon Labs | LGA 42/I°/64KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1002 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1002-E-GM2R | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1002-E-GM2R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 64kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1002-E-GM2R | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1002-E-GMR | Silicon Laboratories Inc | Description: MCU 64KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1002-E-GMR | Silicon Labs | LGA 42/I°/64KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1002 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1002-E-GMR | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1002-ESB2-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1002-ESB2-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1002R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 3-Pin SC-75A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1002R-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Channel 30-V (D-S) | на замовлення 4700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1002R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1003-C-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin QFN EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1003-C-GM | Silicon Labs | SI1003-C-GM/Ultra-Low Power 32 kB, 10-bit ADC SI1003 кількість в упаковці: 43 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1003-C-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN Packaging: Tube Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 32kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 42-QFN (5x7) GPIO: 22 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I²C, SPI, UART Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1003-C-GMR | Silicon Labs | 42-QFN-5X7-LF 42/-40 TO 85 OC/32KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, QF SI1003XXX кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1003-E-GM | Silicon Laboratories Inc | Description: MCU 32KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1003-E-GM | Silicon Labs | LGA-5X7 42/-40 TO 85 OC/32KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, QFN42 кількість в упаковці: 43 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1003-E-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray | на замовлення 364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1003-E-GM2 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 32kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1003-E-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1003-E-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray | на замовлення 364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1003-E-GM2 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA Packaging: Tray Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 32kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 42-LGA (5x7) GPIO: 22 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1003-E-GM2R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 32kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1003-E-GM2R | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1003-E-GM2R | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 32kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 42-LGA (5x7) GPIO: 22 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1003-E-GMR | Silicon Laboratories | SI1003-E-GMR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1003-E-GMR | Silicon Laboratories Inc | Description: MCU 32KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1003-E-GMR | Silicon Labs | LGA 42/I°/32KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1003 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1004-C-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN Packaging: Tube Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 42-QFN (5x7) GPIO: 19 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I²C, SPI, UART Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1004-C-GM | Silicon Labs | SI1004-C-GM/Ultra-Low Power 64 kB, 10-bit ADC SI1004 кількість в упаковці: 43 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1004-E-GM | Silicon Laboratories Inc | Description: MCU 64KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1004-E-GM | Silicon Labs | LGA 42/I°/64KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC SI1004 кількість в упаковці: 43 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1004-E-GM2 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 64kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1004-E-GM2 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1004-E-GM2 | Silicon Labs | LGA 42/I°/64KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC SI1004 кількість в упаковці: 43 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1004-E-GM2R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 64kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1004-E-GM2R | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1004-E-GMR | Silicon Laboratories Inc | Description: MCU 64KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI10040QC | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1005-C-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN Packaging: Tube Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 32kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 42-QFN (5x7) GPIO: 19 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I²C, SPI, UART Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1005-C-GM | Silicon Labs | SI1005-C-GM/Ultra-Low Power 32 kB, 10-bit ADC SI1005 кількість в упаковці: 43 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1005-E-GM | Silicon Laboratories Inc | Description: MCU 32KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1005-E-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1005-E-GM2 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA Packaging: Tray Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 32kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 42-LGA (5x7) GPIO: 19 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I²C, SPI, UART Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1005-E-GM2 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 32kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1005-E-GM2R | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1005-E-GM2R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 32kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1005-E-GMR | Silicon Laboratories Inc | Description: MCU 32KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1007 | на замовлення 31 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1007F | на замовлення 33 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1007G | на замовлення 32 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI100E445JC | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI100MOH-B | NEC | на замовлення 1563 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1010-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN Packaging: Tube Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 16kB Flash, 768B RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 85mA Supplier Device Package: 42-QFN (5x7) GPIO: 15 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I²C, SPI, UART Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1010-A-GM | Silicon Labs | SI1010-A-GM SI1010 кількість в упаковці: 43 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1010-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 2.4V Automotive 42-Pin QFN EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1010-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC TXRX MCU + EZRADIOPRO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1010-A-GMR | Silicon Labs | QFN 42/I°/16KB, 768B RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1010 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1010-C-GM2 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 16kB, 768B RAM, +20 dBm, programmable XCVR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1010-C-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1010-C-GM2 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA Packaging: Tray Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 16kB Flash, 768B RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 85mA Supplier Device Package: 42-LGA (5x7) GPIO: 15 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1010-C-GM2 | Silicon Labs | LGA 42/I°/16KB, 768B RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1010 кількість в упаковці: 43 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1010-C-GM2R | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1010-C-GM2R | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 16kB Flash, 768B RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 85mA Supplier Device Package: 42-LGA (5x7) GPIO: 15 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1010-C-GM2R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 16kB, 768B RAM, +20 dBm, programmable XCVR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI10102R-T1 | на замовлення 150000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1010DK | Silicon Laboratories | Si1010-A Microcontroller Development Kit | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1010DK | Silicon Labs | Description: DEVELOPMENT KIT SI101X Packaging: Box For Use With/Related Products: Si101x Frequency: 915MHz Type: Transceiver Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1010DK | Silicon Labs | DEVELOPMENT KIT DEVELOPKIT кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1011-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN Packaging: Tube Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 8kB Flash, 768B RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 85mA Supplier Device Package: 42-QFN (5x7) GPIO: 15 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I²C, SPI, UART Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1011-A-GM | Silicon Labs | QFN 42/Ultra-Low Power 8 kB, 12-bit ADC MCU with Integrated 240–960 MHz Tra SI1011 кількість в упаковці: 43 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1011-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC TXRX MCU + EZRADIOPRO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1011-A-GMR | Silicon Labs | QFN 42/I°/8KB, 768B RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1011QFN кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1011-C-GM2 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8kB, 768B RAM, +20 dBm, programmable XCVR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1011-C-GM2 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA Packaging: Tray Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 8kB Flash, 768B RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 85mA Supplier Device Package: 42-LGA (5x7) GPIO: 15 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1011-C-GM2R | Silicon Labs | Description: IC MCU 8KB FLASH EZ PRO 42LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1011-C-GM2R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8kB, 768B RAM, +20 dBm, programmable XCVR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1011X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V SC-89 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1011X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V SC-89 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1011X-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -12V -.48A .19W | на замовлення 5644 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1011X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V SC-89 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1012-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 2.4V Automotive 42-Pin QFN EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1012-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1012-A-GM | Silicon Labs | 42-QFN-5X7-LF 42/I°/16KB, 768B RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, QFN42 SI1012 кількість в упаковці: 43 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1012-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1012-A-GMR | Silicon Labs | QFN 42/I°/16KB, 768B RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, SI1012 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1012-A-GMR | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 2.4V Automotive 42-Pin QFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1012-C-GM2 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 16kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR | на замовлення 364 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1012-C-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1012-C-GM2 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA Packaging: Tray Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 16kB Flash, 768B RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 42-LGA (5x7) GPIO: 15 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I²C, SPI, UART Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1012-C-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 3V 42-Pin LGA EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1012-C-GM2 | Silicon Labs | LGA 42/I°/16KB, 768B RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1012 кількість в упаковці: 43 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1012-C-GM2R | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1012-C-GM2R | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 16kB Flash, 768B RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 42-LGA (5x7) GPIO: 15 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I²C, SPI, UART DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1012-C-GM2R | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 3V 42-Pin LGA EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1012-C-GM2R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 16kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1012-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-CHANNEL MOSFET | на замовлення 1002 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1012-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SOT523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 2.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 750 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 16 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1012-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SOT-523 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1012-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SOT523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 2.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 750 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 16 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1012CR-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1012CR-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.33 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 240mW Bauform - Transistor: SC-75A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1012CR-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V SC75A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 240mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V | на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1012CR-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.33 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 240mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: -999 productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm | на замовлення 36262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1012CR-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.63A; Idm: 2A; 0.15W; SC75A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.63A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 0.15W Case: SC75A Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 396mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 900 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1012CR-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1012CR-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1012CR-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.33 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 240mW Bauform - Transistor: SC-75A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 34800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1012CR-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.63A; Idm: 2A; 0.15W; SC75A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.63A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 0.15W Case: SC75A Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 396mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1012CR-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V SC75A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 240mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V | на замовлення 85533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1012CR-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC75A | на замовлення 174533 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1012R | VISHAY | 09+ SOP | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1012R-S6-GE3 | на замовлення 77422 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1012R-T1 | VISHAY | SOT423 | на замовлення 2494 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1012R-T1 | VISHAY | на замовлення 15200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1012R-T1 | VISHAY | 09+ | на замовлення 1279 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1012R-T1 | VISHAY | 0607+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1012R-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1012R-T1-E3 | VISHAY | 06+NOP | на замовлення 2885 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1012R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1012R-T1-E3 | VISHAY | на замовлення 9200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1012R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1012R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V | на замовлення 160597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1012R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1012R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1012R-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.35A; 0.08W; SC75A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.35A Power dissipation: 80mW Case: SC75A Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | на замовлення 2548 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1012R-T1-GE3 | Vishay | N-MOSFET 20V 0.5A SI1012R-T1-GE3 TSI1012r кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1012R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1012R-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V | на замовлення 114988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1012R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V | на замовлення 156000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1012R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 16988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1012R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1012R-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.35A; 0.08W; SC75A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.35A Power dissipation: 80mW Case: SC75A Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2548 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1012R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1012R-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1012R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.41 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm | на замовлення 7182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1012R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1012R-T1-GE3 транзистор Код товару: 57781 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
| SI1012X | VISHAY | на замовлення 8150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1012X-T1 | VISHAY | SC89-3 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1012X-T1 | VISHAY | 2006 SOT23-3 | на замовлення 1738 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1012X-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1012X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1012X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1012X-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V | на замовлення 3052 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1012X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1012X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V | на замовлення 13409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1012X-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.35A; 0.08W; SC89,SOT563 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.35A Power dissipation: 80mW Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1012X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-89 T/R | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1012X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1012X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1012X-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.35A; 0.08W; SC89,SOT563 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.35A Power dissipation: 80mW Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1012X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-89 T/R | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1013-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN Packaging: Tube Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 8kB Flash, 768B RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 42-QFN (5x7) GPIO: 15 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I²C, SPI, UART Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1013-A-GM | Silicon Labs | SI1013-A-GM SI1013 кількість в упаковці: 43 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1013-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 8KB Flash 2.4V Automotive 42-Pin QFN EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1013-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC TXRX MCU + EZRADIOPRO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1013-A-GMR | Silicon Labs | QFN 42/I°/8KB, 768B RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1013 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1013-C-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 8KB Flash 3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1013-C-GM2 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA | на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1013-C-GM2 | Silicon Labs | LGA 42/I°/Ultra Low Power, 16/8 kB, 12/10-Bit ADC MCU with Integrated 240?9 SI1013 кількість в упаковці: 43 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1013-C-GM2 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1013-C-GM2R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1013-C-GM2R | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 8KB Flash 3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1013-C-GM2R | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 8KB Flash 3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1013-C-GM2R | Silicon Labs | Description: IC MCU 8KB FLASH EZ PRO 42LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| Si1013CX-T1-E3 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1013CX-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 190mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V | на замовлення 64406 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1013CX-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1013CX-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 450 mA, 0.63 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 190mW Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1013CX-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1013CX-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1013CX-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1013CX-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 190mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1013CX-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1013CX-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 450 mA, 0.63 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 450mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 190mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 190mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.63ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1013CX-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -450mA; 190mW Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.45A Pulsed drain current: -1.5A Power dissipation: 0.19W Case: SC89 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1013CX-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1013CX-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -450mA; 190mW Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.45A Pulsed drain current: -1.5A Power dissipation: 0.19W Case: SC89 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2990 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1013CX-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -20V Vds 8V Vgs SC89-3 | на замовлення 4208 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1013CX-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1013R | VISHAY | на замовлення 9770 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1013R-T1 | VISHAY | SOT-3 | на замовлення 611 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1013R-T1 | VISHAY | на замовлення 7210 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1013R-T1-E3 | VISHAY | 06+ SOT-523 | на замовлення 1700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1013R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1013R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1013R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1013R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SC-75A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V | на замовлення 97430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1013R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1013R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1013R-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V | на замовлення 84690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1013R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SC-75A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1013R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 2157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1013R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 2157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1013R-T1-GE3 | VISHAY | SI1013R-T1-GE3 SMD P channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1013R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-75A T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1013R/X | 05+ | на замовлення 2690 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1013R/X | 05+ | на замовлення 2690 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1013X | VISHAY | SOT23 06+ | на замовлення 830 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1013X | VISHAY | на замовлення 6300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1013X-T1 | VISHAY | SOT416-B | на замовлення 204000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1013X-T1 | SI | на замовлення 150000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1013X-T1 SOT416-B | VISHAY | на замовлення 273200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1013X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1013X-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1013X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1013X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1013X-T1-E3 SOT416-BL PB-FREE | VISHAY | на замовлення 9200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1013X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1013X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V | на замовлення 19357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1013X-T1-GE3 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1013X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1013X-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -400mA; Idm: -1A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.4A Pulsed drain current: -1A Power dissipation: 0.275W Case: SC89 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 2.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1013X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1013X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-89 T/R | на замовлення 2935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1013X-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -400mA; Idm: -1A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.4A Pulsed drain current: -1A Power dissipation: 0.275W Case: SC89 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 2.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1013X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-89 T/R | на замовлення 2935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1013X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V | на замовлення 9694 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1014-A-GM | Silicon Labs | QFN 42/I°/Ultra-Low Power 16 kB, 12-bit ADC MCU with Integrated 240–960 MHz SI1014 кількість в упаковці: 43 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1014-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 1.8V/2.5V/3.3V Automotive 42-Pin QFN EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1014-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN Packaging: Tube Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 16kB Flash, 768B RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 42-QFN (5x7) GPIO: 15 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1014-A-GMR | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 1.2V Automotive 42-Pin QFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1014-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC TXRX MCU + EZRADIOPRO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1014-A-GMR | Silicon Labs | QFN 42/I°/16KB, 768B RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC SI1014 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1014-C-GM2 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 16kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1014-C-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1014-C-GM2 | Silicon Labs | Description: 16KB 768B RAM XCVR DC-DC 42LGA | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1014-C-GM2R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 16kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1014-C-GM2R | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 80C51 CISC 16KB Flash 3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1014-C-GM2R | Silicon Labs | Description: IC MCU 16KB FLASH EZ PRO 42LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1015-A-GM | Silicon Labs | SI1015-A-GM SI1015 кількість в упаковці: 43 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1015-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1015-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC TXRX MCU + EZRADIOPRO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1015-C-GM2 | Silicon Labs | LGA 42/I°/Ultra Low Power, 16/8 kB, 12/10-Bit ADC MCU with Integrated 240?9 SI1015 кількість в упаковці: 43 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1015-C-GM2 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA | на замовлення 408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1015-C-GM2 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1015-C-GM2R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1015-C-GM2R | Silicon Labs | Description: IC MCU 8KB FLASH EZ PRO 42LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1016 | LATTICE | QFP | на замовлення 22 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1016CX-T1-GE3 | VISHAY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.49A; 0.14W Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.49A Power dissipation: 0.14W Case: SC89 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 396/756mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2/2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1016CX-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1016CX-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1016CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.33 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm Anzahl der Pins: 6Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA hazardous: false Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Produktpalette: - Bauform - Transistor: SOT-563 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds: 20V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V Verlustleistung, p-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm Dauer-Drainstrom Id: 600mA rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.33ohm Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 220mW SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1016CX-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V SC89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 220mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1016CX-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1016CX-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1016CX-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1016CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.33 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm Verlustleistung, p-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pins Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 220mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 37515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1016CX-T1-GE3 | VISHAY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.49A; 0.14W Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.49A Power dissipation: 0.14W Case: SC89 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 396/756mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2/2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1016CX-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1016CX-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1016CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.33 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm Verlustleistung, p-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 220mW SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1016CX-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC89-6 N&P PAIR | на замовлення 98578 шт: термін постачання 63-72 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1016CX-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 220mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) | на замовлення 33572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1016CX-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1016X | VISHAY | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1016X-T1 | VISHAY | на замовлення 57200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1016X-T1 | VISHAY | 0348+ | на замовлення 1523 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1016X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1016X-T1-E3 | VISHAY | 09+ | на замовлення 5808 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1016X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1016X-T1-E3 | VISHAY | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1016X-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.485A/0.37A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1016X-T1-E3-AAA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1016X-T1-ES | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1016X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.485A/0.37A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 2349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1016X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.485A/0.37A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1016X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.485A/0.37A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1016X-T1-GE3 | VISHAY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; complementary pair Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 515/-390mA Power dissipation: 0.28W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 2.7/1.25Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.5/0.75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1016X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.485A SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Active | на замовлення 19695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1016X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N/P-Ch MOSFET 700/1200 mohms@4.5V | на замовлення 31792 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1016X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.485A/0.37A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1016X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.485A SC89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Active | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1016X-T1-GE3 | VISHAY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; complementary pair Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 515/-390mA Power dissipation: 0.28W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 2.7/1.25Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.5/0.75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1020-915-A-DK | Silicon Labs | Development Boards & Kits - Wireless | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1020-915-A-DK | Silicon Labs | Description: KIT DEV WIRELESS SI1020 915MHZ | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1020-915-A-SDK | Silicon Labs | Description: KIT SOFTWARE DEV SI1020 915MHZ | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1020-915-A-SDK | Silicon Labs | Development Boards & Kits - Wireless | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1020-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1020-A-GM | Silicon Labs | SI1020-A-GM SI1020 кількість в упаковці: 43 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1020-A-GMR | Silicon Labs | LGA 85/I°/128KB, 8KB RAM, +20DBM, LCD, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1020 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1020-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1020-B-GM | Silicon Labs | Description: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1020-B-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 128KB Flash 2.5V/3.3V 85-Pin LGA EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1020-B-GM2R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1020-B-GM3 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 128KB Flash 2.5V/3.3V 85-Pin LGA EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1020-B-GM3 | Silicon Labs | Description: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA | на замовлення 439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1020-B-GM3 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1020-B-GM3R | Silicon Labs | Description: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1020-B-GM3R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1020-B-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1020G | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1021-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1021-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1021-B-GM | Silicon Labs | Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1021-B-GM3 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 64kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1021-B-GM3 | Silicon Labs | Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1021-B-GM3R | Silicon Labs | Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1021-B-GM3R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 64kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1021-B-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1021R | VISHAY | на замовлення 13200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1021R-T1 | VISHAY | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1021R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1021R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1021R-T1-E3 | VISHAY | 09+ | на замовлення 279018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1021R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1021R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1021R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1021R-T1-GE3 | VISHAY | SI1021R-T1-GE3 SMD P channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1021R-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -60V Vds 20V Vgs SC75A | на замовлення 18300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1021R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1021R-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1021R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 190 mA, 4 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1021R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V | на замовлення 25525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1021R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 2958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1021R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 2958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1021R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1022-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1022-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1022-B-GM | Silicon Labs | Description: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1022-B-GM3 | Silicon Labs | Description: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1022-B-GM3 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1022-B-GM3R | Silicon Labs | Description: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1022-B-GM3R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1022-B-GM3R | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V 85-Pin LGA EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1022-B-GMR | Silicon Laboratories | Ultra Low Power 128K, LCD MCU Family | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1022-B-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1022DWF | Vishay / Dale | Vishay SI1022R IN WAFER FORM (UNPROBE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1022R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1022R-T1 | VISHAY | SOT23 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1022R-T1 | VISHAY | SOT416-E | на замовлення 63000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1022R-T1 SOT416-E | VISHAY | на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1022R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1022R-T1-E3 | VISHAY | 09+ | на замовлення 102018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1022R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1022R-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1022R-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 330mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SC-75A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 28313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1022R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 3849000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1022R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1022R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V | на замовлення 29125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1022R-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 330mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 250mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SC-75A Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.25ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1022R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A SI1022R-T1-GE3 VISHAY TSI1022r кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1022R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1022R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 2985000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1022R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1022R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1022R-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 250mW Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 11346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1022R-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; 0.13W; SC75A Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.24A On-state resistance: 1.25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.13W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 0.6nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SC75A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3011 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1022R-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC75A | на замовлення 110009 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1022R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1022R-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; 0.13W; SC75A Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.24A On-state resistance: 1.25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.13W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 0.6nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SC75A | на замовлення 3011 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1022R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1022R-T1SOT41 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1022R-TI-E3 | на замовлення 1658 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1023-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1023-A-GMR | Silicon Labs | LGA 85/I°/16KB, 4KB RAM, +20DBM, LCD, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1023LGA кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1023-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1023-B-GM | Silicon Labs | Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1023-B-GM3 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1023-B-GM3 | Silicon Labs | Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1023-B-GM3R | Silicon Labs | Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1023-B-GM3R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1023-B-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| Si1023CX-T1-E3 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1023CX-T1-GE3 | VISHAY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -450mA; 220mW Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.45A Pulsed drain current: -1.5A Power dissipation: 0.22W Case: SC89 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 2.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1023CX-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1023CX-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 220mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 756mOhm @ 350mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Active | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1023CX-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1023CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.63 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.63ohm Verlustleistung, p-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 220mW SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 18620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1023CX-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -20V Vds 8V Vgs SC89-6 | на замовлення 113629 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1023CX-T1-GE3 | VISHAY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -450mA; 220mW Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.45A Pulsed drain current: -1.5A Power dissipation: 0.22W Case: SC89 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 2.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1023CX-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 3328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1023CX-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1023CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.63 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.63ohm Anzahl der Pins: 6Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA hazardous: false Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Produktpalette: TrenchFET Series Bauform - Transistor: SC-89 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds: 20V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V Verlustleistung, p-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm Dauer-Drainstrom Id: 450mA rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.63ohm usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 220mW SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 18620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1023CX-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1023CX-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 220mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 756mOhm @ 350mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Active | на замовлення 59655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1023R-T1 | на замовлення 2938 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1023X | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1023X-T1 | VISHAY | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1023X-T1 | VISHAY | SOT-666 0406+ | на замовлення 16372 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1023X-T1 SOT563-B | VISHAY | на замовлення 24200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1023X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1023X-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.37A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1023X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1023X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1023X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET Dual P-Ch MOSFET 20V 1.2 ohms @ 4.5V | на замовлення 45117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1023X-T1-GE3 | VISHAY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -390mA; 280mW Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -390mA Pulsed drain current: -0.65A Power dissipation: 0.28W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 2.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1023X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.37A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1023X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.37A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 1002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1023X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1023X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.37A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1023X-T1-GE3 | VISHAY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -390mA; 280mW Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -390mA Pulsed drain current: -0.65A Power dissipation: 0.28W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 2.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1023X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) | на замовлення 3001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1023X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.37A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 1002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1024-868-A-DK | Silicon Labs | Description: KIT DEV WIRELESS SI1024 868MHZ | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1024-868-A-DK | Silicon Labs | Development Boards & Kits - Wireless | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1024-868-A-DK | Silicon Laboratories | KIT DEV WIRELESS SI1024 868MHZ | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1024-868-A-SDK | Silicon Labs | Description: KIT SOFTWARE DEV SI1024 868MHZ | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1024-868-A-SDK | Silicon Labs | Development Boards & Kits - Wireless | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1024-868-A-SDK | Silicon Laboratories | Wireless MCU Development Kit | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1024-A-GM | Silicon Labs | QFN 85/I°/128KB, 8KB RAM, +13DBM, LCD, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1024 кількість в упаковці: 43 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1024-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1024-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 128KB Flash 2.5V/3.3V 85-Pin LGA EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1024-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1024-B-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1024-B-GM3 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1024-B-GM3 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1024-B-GM3R | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1024-B-GM3R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1024-B-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1024X | VISHAY | на замовлення 21200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1024X-T1 | VISHAY | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1024X-T1 | VISHAY | SOT-666 | на замовлення 2799 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1024X-T1 | N/A | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1024X-T1 | VISHAY | 04+ | на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1024X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1024X-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1024X-T1-E3 | VISHAY | 30000 | на замовлення 1250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1024X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1024X-T1-E3 | VISHAY | 09+ | на замовлення 6508 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1024X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 700 mohms @ 4.5V | на замовлення 284451 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1024X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 485MA SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) | на замовлення 99134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1024X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1024X-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 515mA; 280mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 515mA Pulsed drain current: 0.65A Power dissipation: 0.28W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 1.25Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1024X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1024X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 485MA SC89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1024X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1024X-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 515mA; 280mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 515mA Pulsed drain current: 0.65A Power dissipation: 0.28W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 1.25Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1024X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1024X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1025-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1025-A-GM | Silicon Labs | LGA 85/I°/64KB, 8KB RAM, +13DBM, LCD, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1025 кількість в упаковці: 43 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1025-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1025-B-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA Packaging: Tray Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 64kB Flash, 8.5kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V Power - Output: 13dBm (Max) Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 85-LGA (6x8) GPIO: 53 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1025-B-GM3 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1025-B-GM3 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 64kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1025-B-GM3R | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1025-B-GM3R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 64kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1025-B-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 64kB Flash, 8.5kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V Power - Output: 13dBm (Max) Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 85-LGA (6x8) GPIO: 53 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1025X | на замовлення 1408 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1025X-T1 | на замовлення 4369 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1025X-T1-E3 | VISHAY | SOT-666 0629+ | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1025X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1025X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1025X-T1-E3 | VISHAY | 09+ | на замовлення 648018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1025X-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1025X-T1-E3 | VISHAY | sot363 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1025X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1025X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1025X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 190 mA, 190 mA, 4 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 190mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 250mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 17133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1025X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 1852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1025X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1025X-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.19A; Idm: -0.65A; 0.13W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.19A Pulsed drain current: -0.65A Power dissipation: 0.13W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1025X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 1852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1025X-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.19A; Idm: -0.65A; 0.13W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.19A Pulsed drain current: -0.65A Power dissipation: 0.13W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1025X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 15V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) | на замовлення 35330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1025X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1025X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -60V Vds 20V Vgs SC89-6 | на замовлення 50021 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1025X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1025X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 15V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1026-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1026-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1026-B-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1026-B-GM3 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1026-B-GM3 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1026-B-GM3R | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1026-B-GM3R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1026-B-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1026DX-T1 | на замовлення 105000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1026X | VISHAY | на замовлення 9200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1026X-E3 | VISHAY | SOT-363 08+ | на замовлення 13991 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1026X-T1 | VISHAY | 0635+ | на замовлення 553 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1026X-T1 | VISHAY | SOT23-6 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1026X-T1 | VISHAY | 09+ | на замовлення 571 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1026X-T1(EVA) | на замовлення 102000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1026X-T1-E3 | VISHAY | на замовлення 2600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1026X-T1-E3 | VISHAY | SOT663 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1026X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1026X-T1-E3 | VISHAY | 09+ | на замовлення 12788 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1026X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1026X-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1026X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1026X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1026X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 305 mA, 1.4 ohm, SC-89, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 305 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 250 Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1026X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1026X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1026X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) | на замовлення 273803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1026X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6 | на замовлення 51436 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1026X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1026X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 305 mA, 1.4 ohm, SC-89, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 305 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 250 Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1026X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1026X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 305 mA, 1.4 ohm, SC-89, Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1026X-T1-GE3 | VISHAY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.22A; 0.13W; SC89,SOT563 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.13W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1026X-T1-GE3 | VISHAY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.22A; 0.13W; SC89,SOT563 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.13W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1026X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) | на замовлення 270000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1027-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA Packaging: Tray Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 16kB Flash, 4.4kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V Power - Output: 13dBm (Max) Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 85-LGA (6x8) GPIO: 53 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I²C, SPI, UART Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1027-A-GM | Silicon Labs | QFN 85/I°/16KB, 4KB RAM, +13DBM, LCD, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1027 кількість в упаковці: 43 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1027-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1027-B-GM | Silicon Labs | Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| Si1027-B-GM3 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +13dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| Si1027-B-GM3 | Silicon Labs | Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1027-B-GM3R | Silicon Labs | Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1027-B-GM3R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +13dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1027-B-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1028X-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET | на замовлення 2756 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1028X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V SC89-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1029X | VISHAY | 01+ | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1029X | VISHAY | 07+ SOT-563 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1029X-T1 | VISHAY | SOT153-HMA | на замовлення 23180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1029X-T1 SOT153-HMA | VISHAY | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1029X-T1 SOT463-H | VISHAY | на замовлення 27200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1029X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 60V SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1029X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 60V SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1029X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 60V SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1029X-T1-E3 | VISHAY | 09+ | на замовлення 1048 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1029X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.305A SC89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA, 190mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 23pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 750nC @ 4.5V, 1700nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1029X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1029X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1029X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1029X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 1.4 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 250mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1029X-T1-GE3 | VISHAY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 0.22/-0.135A Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.22/-0.135A Pulsed drain current: 0.65A Power dissipation: 0.13W Case: SC89 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3/8Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.75/1.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1029X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1029X-T1-GE3 | VISHAY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 0.22/-0.135A Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.22/-0.135A Pulsed drain current: 0.65A Power dissipation: 0.13W Case: SC89 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3/8Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.75/1.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1029X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.305A SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA, 190mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 23pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 750nC @ 4.5V, 1700nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) | на замовлення 14391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1029X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1029X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1029X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P PAIR | на замовлення 72131 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1029X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1029X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 1.4 ohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 305 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4 Verlustleistung Pd: 250 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung, p-Kanal: 250 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: PW Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250 Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1029X-T1SOT153-HMA | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1029X-T1SOT463-H | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1030-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1030-A-GM | Silicon Labs | QFN 85/I°/128KB, 8KB RAM, +20DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1030 кількість в упаковці: 43 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1030-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1030-B-GM3 | Silicon Labs | Description: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1030-B-GM3 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1030-B-GM3R | Silicon Labs | Description: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1030-B-GM3R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1030G | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1031-A-GM | Silicon Labs | QFN 85/I°/64KB, 8KB RAM, +20DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1031 кількість в упаковці: 43 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1031-A-GM | Silicon Labs | Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1031-A-GMR | Silicon Labs | LGA 85/I°/64KB, 8KB RAM, +20DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1031 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1031-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1031-B-GM3 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 64kB, 8kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1031-B-GM3 | Silicon Labs | Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1031-B-GM3R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 64kB, 8kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1031-B-GM3R | Silicon Labs | Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| si1031a-t1-e3 | VIS | sot416 04+ | на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1031R | VISHAY | на замовлення 36200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1031R | VISHAY | 09+ | на замовлення 108818 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1031R-T1 | VISHAY | SOT-323 | на замовлення 10314 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1031R-T1 | VISHAY | 09+ | на замовлення 42018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1031R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1031R-T1-E3 | VISHAY | 09+ | на замовлення 72018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1031R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1031R-T1-E3 | VISHAY | на замовлення 1100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1031R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1031R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 140MA SC75A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V | на замовлення 20366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1031R-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1031R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 140 mA, 8 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 140 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 250 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900 Verlustleistung: 250 Bauform - Transistor: SC-75A Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 8 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 5085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1031R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1031R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 140MA SC75A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V | на замовлення 19800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1031R-T1-GE3 | VISHAY | SI1031R-T1-GE3 SMD P channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1031R-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 20V 150mA 280mW 8.0ohm @ 4.5V | на замовлення 6616 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1031X | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1031X-T1 | VISHAY | SOT416-H | на замовлення 117000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1031X-T1 SOT416-H | VISHAY | на замовлення 240200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1031X-T1-E3 | VISHAY | 09+ | на замовлення 765018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1031X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1031X-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V 150mA 340mW 8.0ohm @ 4.5V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1031X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1031X-T1SOT416-H | VISHAY | на замовлення 234000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1032-80LT | на замовлення 99 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1032-A-GM | Silicon Labs | QFN 85/I°/32KB, 8KB RAM, +20DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1032 кількість в упаковці: 43 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1032-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1032-A-GMR | Silicon Labs | LGA 85/I°/32KB, 8KB RAM, +20DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1032 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1032-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1032-B-GM3 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1032-B-GM3 | Silicon Labs | Description: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1032-B-GM3R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1032-B-GM3R | Silicon Labs | Description: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1032E-70CT | на замовлення 99 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1032R | VISHAY | на замовлення 10080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1032R-T1 | VISHAY | на замовлення 7080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1032R-T1 | VISHAY | SOT-423 | на замовлення 7330 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1032R-T1 | SI | на замовлення 96000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1032R-T1 | VISHAY | 05+ | на замовлення 1055 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1032R-T1 | VISHAY | SOT416 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1032R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1032R-T1-E3 | VISHAY | на замовлення 26800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1032R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1032R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1032R-T1-E3 | VISHAY | 09+ | на замовлення 69018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1032R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1032R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1032R-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1032R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 140 mA, 5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 140 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 250 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900 euEccn: NLR Verlustleistung: 250 Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 5 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1032R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1032R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1032R-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 20V 200mA 280mW 5.0ohm @ 4.5V | на замовлення 138254 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1032R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 140MA SC75A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1032R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1032R-T1-GE3 | VISHAY | SI1032R-T1-GE3 SMD N channel transistors | на замовлення 2969 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1032R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1032R-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1032R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 140 mA, 5 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm | на замовлення 5596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1032R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1032R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 140MA SC75A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V | на замовлення 21689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1032X | VISHAY | на замовлення 58100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1032X-T1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1032X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1032X-T1-E3 | VISHAY | на замовлення 84200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1032X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1032X-T1-E3 | VISHAY | SOT-523 06+ | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1032X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1032X-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1032X-T1-E3 | VISHAY | 09+ | на замовлення 18018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1032X-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 210mA; Idm: 0.6A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.21A Pulsed drain current: 0.6A Power dissipation: 0.34W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1032X-T1-GE3 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1032X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R | на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1032X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V | на замовлення 2634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1032X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1032X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 200 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700 euEccn: NLR Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 5 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1032X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1032X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1032X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1032X-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 210mA; Idm: 0.6A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.21A Pulsed drain current: 0.6A Power dissipation: 0.34W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1032X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R | на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1032X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V | на замовлення 2634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1032X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 20V 200mA 340mW 5.0ohm @ 4.5V | на замовлення 79528 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1033-A-GM | Silicon Labs | QFN 85/I°/16KB, 4KB RAM, +20DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1033 кількість в упаковці: 43 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1033-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA Packaging: Tray Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 16kB Flash, 4.4kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V Power - Output: 20dBm (Max) Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 85mA Supplier Device Package: 85-LGA (6x8) GPIO: 53 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I²C, SPI, UART Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1033-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1033-A-GMR | Silicon Labs | LGA 85/I°/16KB, 4KB RAM, +20DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1033 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1033-B-GM3 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1033-B-GM3 | Silicon Labs | Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1033-B-GM3R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1033-B-GM3R | Silicon Labs | Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1033X-T1 | VISHAY | на замовлення 6600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1033X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1033X-T1-E3 | VISHAY | 06+ | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1033X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1033X-T1-E3 | VISHAY | 09+ | на замовлення 54018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1033X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1033X-T1-E3-E3 | VISHAY | 09+ | на замовлення 9018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1033X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SC89 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1033X-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V 150mA 280mW 8.0ohm @ 4.5V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1034-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 128KB Flash 2.5V/3.3V 85-Pin LGA EP Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1034-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA Packaging: Tray Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 128kB Flash, 8.5kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V Power - Output: 13dBm (Max) Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 85-LGA (6x8) GPIO: 53 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I²C, SPI, UART Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1034-A-GM | Silicon Labs | QFN 85/I°/128KB, 8KB RAM, +13DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1034 кількість в упаковці: 43 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1034-A-GMR | Silicon Labs | LGA 85/I°/128KB, 8KB RAM, +13DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1034 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1034-A-GMR | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 128KB Flash 2.5V/3.3V 85-Pin LGA EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1034-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1034-B-GM3 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 128KB Flash 2.5V/3.3V 85-Pin LGA EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1034-B-GM3 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1034-B-GM3 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1034-B-GM3R | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 128KB Flash 2.5V/3.3V 85-Pin LGA EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1034-B-GM3R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1034-B-GM3R | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1034CX-T1-GE3 | VISHAY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.49A; 0.14W; SC89,SOT563 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.49A Power dissipation: 0.14W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 396mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1034CX-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 220mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1034CX-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1034CX-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC89-6 | на замовлення 65761 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1034CX-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1034CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 610 mA, 0.33 ohm, SC-89, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 610 Verlustleistung Pd: 220 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 Bauform - Transistor: SC-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: TrenchFET Series Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.33 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1034CX-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 220mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) | на замовлення 68149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1034CX-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1034CX-T1-GE3 | VISHAY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.49A; 0.14W; SC89,SOT563 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.49A Power dissipation: 0.14W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 396mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1034CX-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1034CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 610 mA, 0.33 ohm, SC-89, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 610 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 220 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.33 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 3870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1034CX-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1034X-T1-E3 | VISHAY | 09+ | на замовлення 2738 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1034X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1034X-T1-E3 | VISHAY | 06+ SOP | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1034X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1034X-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1034X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 5.0 ohms @ 4.5V | на замовлення 133786 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1034X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1034X-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 190mA; Idm: 0.65A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.19A Pulsed drain current: 0.65A Power dissipation: 0.28W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±5V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1034X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) | на замовлення 7813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1034X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1034X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1034X-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 190mA; Idm: 0.65A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.19A Pulsed drain current: 0.65A Power dissipation: 0.28W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±5V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1034X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SC89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1035-A-GM | Silicon Labs | Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1035-A-GM | Silicon Labs | LGA 85/I°/64KB, 8KB RAM, +13DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1035 кількість в упаковці: 43 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1035-A-GMR | Silicon Labs | QFN 85/I°/64KB, 8KB RAM, +13DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1035 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1035-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1035-B-GM3 | Silicon Labs | Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1035-B-GM3 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 64kB, 8kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1035-B-GM3R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 64kB, 8kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1035-B-GM3R | Silicon Labs | Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1035DL-T1-E3 | на замовлення 1722 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1035X-T1 | VISHAY | SOT-666 0347+ | на замовлення 12321 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1035X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1035X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1035X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1035X-T1-E3 | на замовлення 54000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1035X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.145A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1035X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V SC89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 145mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1035X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 20V 200/150mA 5.0/8.0ohm @ 4.5V | на замовлення 16711 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1035X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 145mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Active | на замовлення 5365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1036-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA Packaging: Tray Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 32kB Flash, 8.5kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V Power - Output: 13dBm (Max) Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 85-LGA (6x8) GPIO: 53 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I²C, SPI, UART Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1036-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1036-B-GM3 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1036-B-GM3 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1036-B-GM3R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1036-B-GM3R | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1036X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1036X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 610mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm Verlustleistung Pd: 220mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung, p-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 220mW Betriebswiderstand, Rds(on): 0.45ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 6545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1036X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1036X-T1-GE3 | VISHAY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 610mA; Idm: 2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 610mA Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 0.22W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2530 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1036X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.61A SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 220mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-6 Part Status: Active | на замовлення 7195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1036X-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V Vds 8V Vgs SC89-6 | на замовлення 51125 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1036X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1036X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm Anzahl der Pins: 6Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Produktpalette: TrenchFET Series Bauform - Transistor: SC-89 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds: 30V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Verlustleistung, p-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm Dauer-Drainstrom Id: 610mA rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.45ohm Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 220mW SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 6545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1036X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1036X-T1-GE3 | VISHAY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 610mA; Idm: 2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 610mA Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 0.22W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 2530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1036X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.61A SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 220mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-6 Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1036X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1037-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1037-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1037-B-GM3 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1037-B-GM3 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1037-B-GM3R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1037-B-GM3R | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1037X-T1 | VISHAY | на замовлення 54000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1037X-T1 | VISHAY | SOT-6 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1037X-T1-E3 | VISHAY | 09+ | на замовлення 123 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1037X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 0.77A SC89 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1037X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 0.77A SC89 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1039X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1039X-T1-E3 | VISHAY | 09+ | на замовлення 728 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1039X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1039X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1039X-T1-E3 | VISHAY | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1039X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1039X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1039X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI104-221 | DELTA | 2005+ | на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1040X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC89-6 Features: Slew Rate Controlled Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Output Type: P-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: High Side Rds On (Typ): 500mOhm Voltage - Load: 1.8V ~ 8V Current - Output (Max): 430mA Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1040X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC89-6 Features: Slew Rate Controlled Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Output Type: P-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: High Side Rds On (Typ): 500mOhm Voltage - Load: 1.8V ~ 8V Current - Output (Max): 430mA Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1040X-T1-GE3 | Vishay | Load Switch with Level-Shift | на замовлення 2280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1040X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1040X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 430 mA, 430 mA, 0.5 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 174mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 174mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1040X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 0.43A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1040X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC89-6 Features: Slew Rate Controlled Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Output Type: P-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: High Side Rds On (Typ): 500mOhm Voltage - Load: 1.8V ~ 8V Current - Output (Max): 430mA Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Active | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1040X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -8V Vds V Vgs SC89-6 | на замовлення 36343 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1040X-T1-GE3 | VISHAY | Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: power switch; high-side; 0.43A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC89-6 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 0.43A Number of channels: 1 Kind of output: P-Channel Mounting: SMD Case: SC89-6 On-state resistance: 0.5Ω Kind of package: reel; tape Supply voltage: 1.8...8V DC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1040X-T1-GE3 | Vishay | Load Switch with Level-Shift | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1040X-T1-GE3 | VISHAY | Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: power switch; high-side; 0.43A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC89-6 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 0.43A Number of channels: 1 Kind of output: P-Channel Mounting: SMD Case: SC89-6 On-state resistance: 0.5Ω Kind of package: reel; tape Supply voltage: 1.8...8V DC кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1040X-T1-GE3 | Vishay | Load Switch with Level-Shift | на замовлення 2280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1040X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1040X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 430 mA, 430 mA, 0.5 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 174mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 174mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1040X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Features: Slew Rate Controlled Package / Case: SOT-563, SOT-666 Output Type: P-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: High Side Rds On (Typ): 500mOhm Voltage - Load: 1.8V ~ 8V Current - Output (Max): 430mA Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Active | на замовлення 11226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1041 | N/A | на замовлення 196 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SI1041A | на замовлення 5750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1041ADY | на замовлення 32200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1041DY-T1 | на замовлення 4893 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1045A | si | SOP-8 | на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1045ADY-T1 | на замовлення 936 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1046R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1046R-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.606A 3-Pin SC-75 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1046R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1046R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1046R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1046X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1046X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1046X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1046X-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V 606mA 0.25W 420mohm @ 4.5V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1047DL | на замовлення 12563 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1047DL-T1-E3 | на замовлення 87000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1049 | SI | TSSOP-16 | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1049AG | на замовлення 1225 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1050G | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1050GH | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1050GS | на замовлення 54380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1050VISHAY | на замовлення 38000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1050X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1050X-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1050X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1050X-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 1.34A; Idm: 6A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 8V Drain current: 1.34A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 236mW Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±5V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 11.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1050X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1050X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 1.34 A, 0.12 ohm, SC-89, Oberflächenmontage Verlustleistung: 236 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | на замовлення 16325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1050X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1050X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1050X-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 1.34A; Idm: 6A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 8V Drain current: 1.34A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 236mW Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±5V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 11.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1050X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V | на замовлення 50009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1050X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1050X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 1.34 A, 0.12 ohm, SC-89, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8 Dauer-Drainstrom Id: 1.34 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 236 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350 Verlustleistung: 236 Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: Trench Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12 Rds(on)-Prüfspannung: 1.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | на замовлення 16325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1050X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 8V Vds 5V Vgs SC89-6 | на замовлення 5925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1050X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1050X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1051X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1051X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1051X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1051X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 8V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1054X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1054X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1054X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 12V 1.32A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1054X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1056X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1056X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1056X-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 1.32A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1056X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V SC-89-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1056X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 1.32A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1056X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V SC-89-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1058X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1058X-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1058X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1058X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V SC89 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1058X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI106-101 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI106-220 | на замовлення 280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1060-A-GM | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 16 kB +20 dBm | на замовлення 2002 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1060-A-GM | Silicon Labs | QFN 36/64kB, 4kB RAM, +20 dBm, programmable XCVR, Pro2 SI1060 кількість в упаковці: 60 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1060-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1060-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1060-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN Packaging: Tray Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -126dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 175MHz, 425MHz ~ 525MHz, 850MHz ~ 1.05GHz Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 70mA ~ 85mA Supplier Device Package: 36-QFN (5x6) GPIO: 15 Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1060-A-GMR | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1060-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1060-A-GMR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 16 kB +20 dBm | на замовлення 2465 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1060-A-GMR | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1061-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | на замовлення 340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1061-A-GM | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 64 kB +20 dBm | на замовлення 2440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1061-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | на замовлення 309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1061-A-GM | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI1061-A-GM - MCU, Application Specific, 32 bit, 25 MHz, 4 KB RAM/32 KB Program, 1.8V to 3.6V in, QFN-36 tariffCode: 85423119 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 10 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: 8051 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: QFN MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: - Programmspeichergröße: 32KB Versorgungsspannung, min.: 1.8V Betriebsfrequenz, max.: 25MHz euEccn: NLR MCU-Familie: Si106x RAM-Speichergröße: 4KB MCU-Baureihe: - Anzahl der Ein-/Ausgänge: 11I/O(s) Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: Si106x Family Microcontrollers productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: I2C, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1061-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | на замовлення 340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1061-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN Packaging: Tray Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -126dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Memory Size: 32kB Flash, 4kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 70mA ~ 85mA Supplier Device Package: 36-QFN (5x6) GPIO: 15 Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I²C, SPI, UART Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1061-A-GMR | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1061-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC TXRX MCU 32KB 4KB RAM 36QFN | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1061-A-GMR | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1061-A-GMR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 64kB +20dBm | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1062-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1062-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN Packaging: Tray Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -126dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA Supplier Device Package: 36-QFN (5x6) GPIO: 15 Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I²C, SPI, UART Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1062-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1062-A-GM | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 32 kB +13 dBm | на замовлення 2444 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1062-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1062-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1062-A-GM | Silicon Labs | QFN 36/64kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR, Pro2 SI1062 кількість в упаковці: 60 шт | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1062-A-GMR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 32kB +13dBm | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1062-A-GMR | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1062-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -126dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA Supplier Device Package: 36-QFN (5x6) GPIO: 15 Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 4748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1062-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -126dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA Supplier Device Package: 36-QFN (5x6) GPIO: 15 Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1062X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89 T/R | на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1062X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1062X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 0.35 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 530mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 220mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 14930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1062X-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 530mA; Idm: 2A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.53A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 0.22W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 762mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 5900 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1062X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V SC89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 220mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1062X-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 530mA; Idm: 2A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.53A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 0.22W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 762mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1062X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC89-3 | на замовлення 44709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1062X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1062X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1062X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1062X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 0.35 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 530mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 220mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 14930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1062X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V SC89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 220mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V | на замовлення 110828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1063-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1063-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN Packaging: Tray Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -126dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Memory Size: 32kB Flash, 4kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA Supplier Device Package: 36-QFN (5x6) GPIO: 15 Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I²C, SPI, UART Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1063-A-GM | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 64kB +13dBm | на замовлення 397 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1063-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1063-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1063-A-GM | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI1063-A-GM - MCU, Application Specific, 32 bit, 25 MHz, 4 KB RAM/32 KB Program, 1.8V to 3.6V in, QFN-36 tariffCode: 85423119 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 10 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: 8051 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: QFN MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: - Programmspeichergröße: 32KB Versorgungsspannung, min.: 1.8V Betriebsfrequenz, max.: 25MHz euEccn: NLR MCU-Familie: Si106x RAM-Speichergröße: 4KB MCU-Baureihe: - Anzahl der Ein-/Ausgänge: 11I/O(s) Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: Si106x Family Microcontrollers productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: I2C, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | на замовлення 384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1063-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1063-A-GMR | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1063-A-GMR | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1063-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC TXRX MCU 32KB 4KB RAM 36QFN | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1063-A-GMR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 64kB +13dBm | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1064-A-GM | Silicon Labs | QFN 36/64kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR, EZRadio SI1064 кількість в упаковці: 60 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1064-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN Packaging: Tray Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -116dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 283MHz ~ 350MHz, 425MHz ~ 525MHz, 850MHz ~ 960MHz Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Data Rate (Max): 500kbps Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA Supplier Device Package: 36-QFN (5x6) GPIO: 15 Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I²C, SPI, UART Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1064-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1064-A-GM | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 32kB +13dBm | на замовлення 434 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1064-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | на замовлення 310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1064-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1064-A-GMR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 32kB +13dBm | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1064-A-GMR | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1064-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC TXRX MCU 64KB 4KB RAM 36QFN | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1065-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1065-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN Packaging: Tray Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -116dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 283MHz ~ 350MHz, 425MHz ~ 525MHz, 850MHz ~ 960MHz Memory Size: 32kB Flash, 4kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Data Rate (Max): 500kbps Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA Supplier Device Package: 36-QFN (5x6) GPIO: 15 Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I²C, SPI, UART Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1065-A-GM | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 Hz 64 kB +13 dBm | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1065-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC TXRX MCU 32KB 4KB RAM 36QFN | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1065-A-GMR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 64kB +13dBm | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1065-A-GMR | Silicon Labs | QFN 36/I°/32KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, EZRADIO SI1065 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1065-A-GMR | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1065X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1065X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1065X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1065X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1065X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1065X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1067X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1067X-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 1.06A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1067X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1067X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1067X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1069X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1069X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1069X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6 | на замовлення 1851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1069X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6 | на замовлення 1851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1069X-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V 0.94A 0.236W 184 mohms @ 4.5V | на замовлення 2705 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1070X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1070X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1070X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1070X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1070X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.082 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 1.2 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 236 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55 euEccn: NLR Verlustleistung: 236 Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: Trench Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.082 Rds(on)-Prüfspannung: 12 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 2517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1070X-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 1.2A; Idm: 6A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 236mW Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1070X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 2413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1070X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1070X-T1-GE3 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1070X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 12V Vgs SC89-6 | на замовлення 1261 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1070X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1070X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1070X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.082 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 236 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1070X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 2413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1070X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V | на замовлення 1011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1070X-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 1.2A; Idm: 6A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 236mW Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| Si1071X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 960mA, 10V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1071X-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 0.96A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| Si1071X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 960mA, 10V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1071X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 960mA, 10V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1071X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 0.96A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1071X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 960mA, 10V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1072X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 1.3A SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1072X-T1-E3 | VISHAY | 09+ | на замовлення 958 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1072X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 1.3A SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1072X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 1.3A SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1072X-T1-GE3 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SI1072X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V SC89 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1073X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1073X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1073X-T1-GE3 | VISHAY | SOT26 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1073X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1073X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1077X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -20V Vds 8V Vgs SC89-6 | на замовлення 21904 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1077X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.75A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 1.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 10 V | на замовлення 21197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1077X-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.75A; Idm: -8A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.75A Pulsed drain current: -8A Power dissipation: 0.33W Case: SC89 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 188mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1077X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1077X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.75 A, 0.065 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 1.75 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 330 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 Verlustleistung: 330 Bauform - Transistor: SOT-563 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1077X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 1303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1077X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.75A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 1.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 10 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1077X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1077X-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.75A; Idm: -8A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.75A Pulsed drain current: -8A Power dissipation: 0.33W Case: SC89 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 188mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1077X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1077X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1077X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.75 A, 0.065 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 1.75 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 330 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 euEccn: NLR Verlustleistung: 330 Bauform - Transistor: SOT-563 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1077X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 1303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1078X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1078X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.02 A, 0.118 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.02 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 240 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 240 Bauform - Transistor: SC-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.118 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.118 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SI1078X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 1.02A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 5960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| Si1078X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| Si1078X-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 1.02A; Idm: 6A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.02A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 0.24W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.195Ω Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1078X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 1.02A 6-Pin SC-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1078X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1078X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.02 A, 0.118 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 1.02 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 240 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 240 Bauform - Transistor: SC-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: TrenchFET Series Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.118 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.118 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| Si1078X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 12V Vgs SC89-6 | на замовлення 6417 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| Si1078X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| Si1078X-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 1.02A; Idm: 6A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.02A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 0.24W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.195Ω Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1079X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1079X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.44 A, 0.083 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 330mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SC-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 11874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1079X-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -30V Vds 12V Vgs SC89-6 | на замовлення 4969 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1079X-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -1.44A; Idm: -8A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.44A Pulsed drain current: -8A Power dissipation: 0.33W Case: SC89 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1079X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1079X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.44 A, 0.083 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 11874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1079X-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -1.44A; Idm: -8A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.44A Pulsed drain current: -8A Power dissipation: 0.33W Case: SC89 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1079X-T1-GE3 | Vishay | P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1080-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SI1080-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI1080-A-GM | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 32 kB +20 dBm | товар відсутній |