Продукція > XPN

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
XPN06103J345HT
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XPN12006NC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.23 грн
10+ 45.86 грн
100+ 35.63 грн
500+ 28.34 грн
1000+ 28.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
XPN12006NC,L1XHQToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 57479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.16 грн
10+ 50.24 грн
100+ 33.95 грн
500+ 29.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
XPN12006NC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
XPN12006NC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPN12006NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.012 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.19 грн
10+ 79.74 грн
100+ 59.77 грн
500+ 48.45 грн
1000+ 38.42 грн
5000+ 37.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
XPN12006NC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPN12006NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.012 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.19 грн
10+ 79.74 грн
100+ 59.77 грн
500+ 48.45 грн
1000+ 38.42 грн
5000+ 37.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
XPN1300ANC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPN1300ANC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0133 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON Advance
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.32 грн
11+ 76.1 грн
100+ 57.29 грн
500+ 46.44 грн
1000+ 36.76 грн
5000+ 36.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
XPN1300ANC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPN1300ANC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0133 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.32 грн
11+ 76.1 грн
100+ 57.29 грн
500+ 46.44 грн
1000+ 36.76 грн
5000+ 36.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
XPN315100.000000KRenesas Electronics CorporationDescription: CLCC 3.20X2.50X0.95 MM, 2.10MM P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCSL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 95mA
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Frequency: 100 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+523.23 грн
Мінімальне замовлення: 500
XPN316100.000000IRenesas Electronics CorporationDescription: CLCC 3.20X2.50X0.95 MM, 2.10MM P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCSL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 95mA
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Frequency: 100 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+523.23 грн
Мінімальне замовлення: 500
XPN316161.132812IRenesas Electronics CorporationDescription: CLCC 3.20X2.50X0.95 MM, 2.10MM P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCSL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 95mA
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Frequency: 161.132812 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+523.23 грн
Мінімальне замовлення: 500
XPN316161.132812IRenesas ElectronicsStandard Clock Oscillators XPN316161.13281 PROGRAMMABLE XO
товар відсутній
XPN326156.250000IRenesas / IDTStandard Clock Oscillators
товар відсутній
XPN326156.250000IRenesas Electronics CorporationDescription: CLCC 3.20X2.50X0.95 MM, 2.10MM P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCSL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 2.5V
Current - Supply (Max): 95mA
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Frequency: 156.25 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+479.68 грн
Мінімальне замовлення: 500
XPN326156.250000KRenesas / IDTStandard Clock Oscillators
товар відсутній
XPN326156.250000KRenesas Electronics CorporationDescription: CLCC 3.20X2.50X0.95 MM, 2.10MM P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCSL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 2.5V
Current - Supply (Max): 95mA
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Frequency: 156.25 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+523.23 грн
Мінімальне замовлення: 500
XPN336025.000000IRenesas ElectronicsStandard Clock Oscillators XPN336025.00000 PROGRAMMABLE XO
товар відсутній
XPN336025.000000IRenesas Electronics CorporationDescription: CLCC 3.20X2.50X0.95 MM, 2.10MM P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCSL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 83mA
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Frequency: 25 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+523.23 грн
Мінімальне замовлення: 500
XPN336078.125000IRenesas ElectronicsStandard Clock Oscillators XPN336078.12500 PROGRAMMABLE XO
товар відсутній
XPN336100.000000IRenesas Electronics CorporationDescription: CLCC 3.20X2.50X0.95 MM, 2.10MM P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCSL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 83mA
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Frequency: 100 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+523.23 грн
Мінімальне замовлення: 500
XPN336100.000000IRenesas ElectronicsStandard Clock Oscillators XPN336100.00000 PROGRAMMABLE XO
товар відсутній
XPN336100.000000IRenesas / IDTStandard Clock Oscillators XPN336100.00000 PROGRAMMABLE XO
товар відсутній
XPN336156.250000IRenesas ElectronicsStandard Clock Oscillators XPN336156.25000 PROGRAMMABLE XO
товар відсутній
XPN336156.250000IRenesas Electronics CorporationDescription: CLCC 3.20X2.50X0.95 MM, 2.10MM P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCSL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 83mA
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Frequency: 156.25 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+523.23 грн
Мінімальне замовлення: 500
XPN336156.253906IRenesas ElectronicsStandard Clock Oscillators XPN3 5032 HCMOS XO LOW JITTER
товар відсутній
XPN336161.132812IRenesas ElectronicsStandard Clock Oscillators XPN336161.13281 PROGRAMMABLE XO
товар відсутній
XPN336161.132812IRenesas Electronics CorporationDescription: XTAL OSC XO 161.132812MHZ HCSL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCSL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 83mA
Height - Seated (Max): 0.047" (1.19mm)
Frequency: 161.132812 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
XPN336312.500000IRenesas Electronics CorporationDescription: XTAL OSC XO 312.5000MHZ HCSL SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCSL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 83mA
Height - Seated (Max): 0.047" (1.19mm)
Frequency: 312.5 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
XPN336312.500000IRenesas ElectronicsStandard Clock Oscillators XPN336312.50000 PROGRAMMABLE XO
товар відсутній
XPN3R804NC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 10 V
на замовлення 17570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.61 грн
10+ 65.85 грн
100+ 51.2 грн
500+ 40.73 грн
1000+ 33.18 грн
2000+ 31.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
XPN3R804NC,L1XHQToshibaMOSFET 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 8630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.54 грн
10+ 69.29 грн
100+ 47.69 грн
500+ 40.86 грн
1000+ 35.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
XPN3R804NC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.91 грн
10000+ 31.1 грн
Мінімальне замовлення: 5000
XPN3R804NC,L1XHQ(OToshibaMOSFETs Silicon N-channel MOS - Automotive Version
товар відсутній
XPN536156.250000IRenesas / IDTStandard Clock Oscillators XPN536156.25000 PROGRAMMABLE XO
товар відсутній
XPN536156.250000IRenesas Electronics America IncDescription: CLCC 5.00X3.20X1.10 MM, 1.27MM P
товар відсутній
XPN6R706NC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
на замовлення 29275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.19 грн
10+ 52.91 грн
100+ 41.15 грн
500+ 32.73 грн
1000+ 32.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
XPN6R706NC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
XPN6R706NC,L1XHQToshibaMOSFET 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 3361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.9 грн
10+ 58.02 грн
100+ 39.27 грн
500+ 34.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
XPN6R706NC,L1XHQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 40A 8-Pin TSOP Advance(WF) EP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
XPN716156.253906IRenesas ElectronicsStandard Clock Oscillators XPN716156.25390 PROGRAMMABLE XO
товар відсутній
XPN7R104NC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 20A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 10 V
на замовлення 4045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.37 грн
10+ 64.12 грн
100+ 49.87 грн
500+ 39.67 грн
1000+ 32.31 грн
2000+ 30.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
XPN7R104NC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 20A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 10 V
товар відсутній
XPN7R104NC,L1XHQToshibaMOSFET 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.96 грн
10+ 70.32 грн
100+ 47.55 грн
500+ 40.3 грн
1000+ 30.92 грн
2500+ 30.85 грн
5000+ 30.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
XPN7R104NC,L1XHQ(OToshibaPOWER MOSFETs Silicon N-channel MOS - AUTOMOTIVE
товар відсутній
XPN7R104NC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPN7R104NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0071 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TSON Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.74 грн
10+ 80.52 грн
100+ 60.62 грн
500+ 49.17 грн
1000+ 38.95 грн
5000+ 38.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
XPN9R614MC,L1XHQToshibaMOSFET 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 17088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.79 грн
10+ 74.52 грн
100+ 50.1 грн
500+ 42.51 грн
1000+ 33.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
XPN9R614MC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.85 грн
10+ 67.65 грн
100+ 52.61 грн
500+ 41.85 грн
1000+ 34.09 грн
2000+ 32.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
XPN9R614MC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
XPND600Apex Tool GroupDescription: NUT DRIVER SET W/CASE 6PC
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
XPND600Apex Tool GroupScrewdrivers, Nut Drivers & Socket Drivers Precision Nutdriver 6 Piece Set
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
XPNX392PB5S5100Belden Inc.Description: FLEXPON HOUSE BOX W/100F OF QP
Packaging: Bulk
товар відсутній