Продукція > 2ST

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2ST1480FPSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 5A TO-220FP
товар відсутній
2ST1942TOS\AHIT01+ TO-3
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2ST2121STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 250V 17A TO3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: TO-3
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 250 W
товар відсутній
2ST2121STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Power Transistor
товар відсутній
2ST2121STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 250V 17A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Bag
товар відсутній
2ST243NEC05+ SOT-423
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2ST31705+ SOT-89
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2ST31ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Low voltage NPN Power Transistor
на замовлення 2611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.54 грн
10+ 74.84 грн
25+ 61.77 грн
100+ 50.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
2ST31ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.52 грн
50+ 37.63 грн
100+ 29.82 грн
500+ 23.72 грн
1000+ 23.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
2ST31ASTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2ST31A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.99 грн
15+ 55.28 грн
100+ 40.72 грн
500+ 30.7 грн
1000+ 24.29 грн
Мінімальне замовлення: 12
2ST3412TOS\AHIT01+ TO-3
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2ST4C256STSOP
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2ST501TSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 350V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 100 W
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.26 грн
50+ 81.88 грн
100+ 67.37 грн
500+ 53.5 грн
1000+ 45.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
2ST501TSTMicroelectronicsTrans Darlington NPN 350V 4A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
2ST501TSTMicroelectronicsDarlington Transistors PWR BIP/S.SIGNAL
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.16 грн
10+ 81.75 грн
100+ 61.21 грн
500+ 53.97 грн
1000+ 49.34 грн
2000+ 46.65 грн
5000+ 44.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
2ST5949STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 250V 17A TO-3
товар відсутній
2STA1694STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 120V 8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.01 грн
30+ 81.9 грн
120+ 67.41 грн
510+ 53.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
2STA1694STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 120V 8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 80 W
товар відсутній
2STA1695STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
2STA1695STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT High Pwr PNP BiPolar Trans
товар відсутній
2STA1695STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 140V 10A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 700mA, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 100 W
товар відсутній
2STA1837STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 230V 1A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 20 W
товар відсутній
2STA1943STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin TO-264 Tube
товар відсутній
2STA1943STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 230V 15A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.48 грн
10+ 190.15 грн
100+ 152.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
2STA1962STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 230V 15A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
2STA1962STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 230V 15A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
товар відсутній
2STA1962STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT High Pwr PNP BiPolar Trans
товар відсутній
2STA2120STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 250V 17A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
товар відсутній
2STA2120STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 250V 17A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.26 грн
10+ 83.82 грн
100+ 66.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
2STA2120STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 250V 17A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
2STA2121STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 250V 17A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: TO-264
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 220 W
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+306.83 грн
10+ 248.02 грн
100+ 200.68 грн
2STA2121STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 250V 17A 220000mW 3-Pin TO-264 Tube
товар відсутній
2STA2510STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 100V 25A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.2A, 12A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 12A, 4V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 125 W
товар відсутній
2STB095
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2STB118PM-TMIT2002
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2STB121PM-T
на замовлення 939 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2STB123PPOMRON01+ DIP20
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2STB123PPOMRON2002
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2STB54910PM-TRENESAS0420+ SOP-20
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2STB54910PM-TRENESAS0420+
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2STBN15D100STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 12A 70000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
2STBN15D100STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 4mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 70 W
товар відсутній
2STBN15D100STMicroelectronicsDarlington Transistors Low Volt NPN Darlington Trans
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
3+108.7 грн
10+ 82.54 грн
100+ 57.76 грн
500+ 50.66 грн
1000+ 40.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
2STBN15D100STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 4mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 70 W
товар відсутній
2STBN15D100STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 12A 70000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
2STBN15D100STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 12A 70000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
2STBN15D100T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 12A 70000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
2STBN15D100T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 4mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 70 W
товар відсутній
2STC2510STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 100V 25A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.2A, 12A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 12A, 4V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 125 W
товар відсутній
2STC4467STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 120V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+71.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
2STC4467Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2STC4467STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 120V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+77.05 грн
Мінімальне замовлення: 156
2STC4467STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 120V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
2STC4467STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 120V 8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 80 W
товар відсутній
2STC4467STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT High power NPN Bipolar transistor
товар відсутній
2STC4468STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT High Pwr NPN BiPolar Trans
товар відсутній
2STC4468STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
2STC4468STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 140V 10A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 700mA, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 100 W
товар відсутній
2STC4468STM
на замовлення 19560 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2STC4468onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2STC4793STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 230V 1A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 20 W
товар відсутній
2STC4793STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Power 230V 100 MHz 2STA1837
товар відсутній
2STC5200STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 230V 15A 150000mW 3-Pin TO-264 Tube
товар відсутній
2STC5200STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 230V 15A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-264
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
товар відсутній
2STC5242STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 230V 15A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
товар відсутній
2STC5242STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 230V 15A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
2STC5242STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT High PWR NPN 230V 30 MHz 2STA1962
товар відсутній
2STC5948STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 250V 17A TO-3P
товар відсутній
2STC5949STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 250V 17A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: TO-264
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 220 W
товар відсутній
2STC5949STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT High PWR NPN planar bipolar trans
товар відсутній
2STD09PAU99B30XCONECD-Sub Standard Connectors 9P M R/A WATER RES 4-40 INSERTS
товар відсутній
2STD09PAU99R40XCONECD-Sub Standard Connectors 9P M R/A .370 WTR. RESISTANT M.BRKT 4-40 INS/CLIP
товар відсутній
2STD09SAU99B30XCONECD-Sub Standard Connectors 9P F WATER RES. R/A
товар відсутній
2STD09SAU99R40XCONECD-Sub Standard Connectors 9P F R/A .370 WTR. RESISTANT M.BRKT 4-40 INS/CLIP
товар відсутній
2STD1360T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A DPAK
товар відсутній
2STD1360T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A DPAK
товар відсутній
2STD15SAU99B30XCONECD-Sub Standard Connectors 15P F WATER RES. R/A
товар відсутній
2STD15SAU99R40XCONECD-Sub Standard Connectors 15P F R/A .370 WTR. RESISTANT M.BRKT 4-40 INS/CLIP
товар відсутній
2STD1665STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
товар відсутній
2STD1665T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 65V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.97 грн
5000+ 27.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
2STD1665T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 65V 6A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
2STD1665T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT 150V Vcbo 65V Vceo 6A NPN Low Voltage
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.39 грн
10+ 64.05 грн
100+ 43.41 грн
500+ 36.78 грн
1000+ 29.95 грн
2500+ 26.78 грн
5000+ 26.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
2STD1665T4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 6A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 6A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 30...350
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+81.38 грн
7+ 39.51 грн
25+ 34.25 грн
39+ 25.88 грн
105+ 25.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
2STD1665T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 65V 6A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
2STD1665T4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 6A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 6A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 30...350
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.82 грн
12+ 31.7 грн
25+ 28.54 грн
39+ 21.57 грн
105+ 20.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
2STD1665T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 65V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 10831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.41 грн
10+ 57.08 грн
100+ 44.4 грн
500+ 35.32 грн
1000+ 28.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
2STD1665T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 65V 6A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
2STD2360T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 3A DPAK
товар відсутній
2STD2360T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 3A DPAK
товар відсутній
2STD2360T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 3A DPAK
товар відсутній
2STF1340
Код товару: 59176		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
2STF1340STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT-89
товар відсутній
2STF1340STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT-89
товар відсутній
2STF1360STMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 1.4W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT89
Current gain: 80...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
товар відсутній
2STF1360STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.47 грн
5000+ 11.4 грн
Мінімальне замовлення: 2500
2STF1360STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STF1360 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1.4 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.18 грн
50+ 33.68 грн
100+ 27.1 грн
500+ 19.7 грн
1000+ 14.07 грн
Мінімальне замовлення: 20
2STF1360STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2STF1360RectronBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2STF1360STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2STF1360STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2STF1360
Код товару: 185994		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
2STF1360STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER
на замовлення 9554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.69 грн
10+ 33.41 грн
100+ 20.22 грн
500+ 15.8 грн
1000+ 12.84 грн
2500+ 10.84 грн
10000+ 10.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
2STF1360STMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 1.4W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT89
Current gain: 80...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
2STF1360STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 8764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.33 грн
10+ 30.48 грн
100+ 21.18 грн
500+ 15.52 грн
1000+ 12.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
2STF1360STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2STF1360STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STF1360 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1.4 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.1 грн
500+ 19.7 грн
1000+ 14.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
2STF1360STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2STF1525STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 25V 5A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
товар відсутній
2STF1550STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 50V 5A SOT-89
товар відсутній
2STF1550STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 50V 5A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2STF1550STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 50V 5A SOT-89
товар відсутній
2STF166PM
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2STF2220STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 20V 1.5A SOT-89
товар відсутній
2STF2220STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 20V 1.5A SOT-89
товар відсутній
2STF2220STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 20V 1.5A SOT-89
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2STF2280STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP LV High Perf PWR Trans - 80V
товар відсутній
2STF2280STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 7490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 53
2STF2280STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 7490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
978+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 978
2STF2340STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT-89
товар відсутній
2STF2340
Код товару: 59174		Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
2STF2340STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT-89
товар відсутній
2STF2360STMicroelectronicsCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 3A; 1.4W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT89
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+32.24 грн
25+ 22.13 грн
61+ 16.39 грн
168+ 15.49 грн
2500+ 14.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
2STF2360STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STF2360 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 1.4 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 3234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.34 грн
500+ 20.63 грн
1000+ 14.73 грн
2500+ 13.4 грн
Мінімальне замовлення: 100
2STF2360STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.4 W
товар відсутній
2STF2360STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 3A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2STF2360STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 3A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2STF2360STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STF2360 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 1.4 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 3234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.63 грн
19+ 42.04 грн
100+ 28.34 грн
500+ 20.63 грн
1000+ 14.73 грн
2500+ 13.4 грн
Мінімальне замовлення: 16
2STF2360STMicroelectronicsCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 3A; 1.4W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT89
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+26.86 грн
25+ 17.76 грн
61+ 13.66 грн
168+ 12.91 грн
Мінімальне замовлення: 15
2STF2360STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Lo Vltg fast switch pnp Pwr transistor
на замовлення 9592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.48 грн
13+ 26.19 грн
100+ 15.73 грн
500+ 13.6 грн
1000+ 12.22 грн
2500+ 10.56 грн
Мінімальне замовлення: 11
2STF2360STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 3A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2STF2360
Код товару: 188005		Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
2STF2360STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.82 грн
10+ 31.85 грн
100+ 22.16 грн
500+ 16.23 грн
1000+ 13.2 грн
Мінімальне замовлення: 8
2STF2360STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 3A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2STF2550STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 50V 5A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.98 грн
5000+ 10.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
2STF2550STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 50V 5A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2STF2550STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LV high performance PNP power transistor
на замовлення 10440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.48 грн
12+ 26.59 грн
100+ 17.12 грн
500+ 14.08 грн
1000+ 11.73 грн
2500+ 9.73 грн
10000+ 9.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
2STF2550STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 50V 5A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 11875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.83 грн
10+ 29.19 грн
100+ 20.33 грн
500+ 14.89 грн
1000+ 12.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
2STF2550STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 50V 5A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2STF2550STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 50V 5A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2STF2550STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STF2550 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 1.4 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 7385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.52 грн
21+ 38.09 грн
100+ 25.63 грн
500+ 18.76 грн
1000+ 13.4 грн
2500+ 12.08 грн
5000+ 11.28 грн
Мінімальне замовлення: 18
2STF2550STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 50V 5A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2STF474WPOMRONDIP18
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2STFS747512S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosures SLOPE TOP 2DR FREEST 316SS
товар відсутній
2STFS747512SSHammond ManufacturingElectrical Enclosures SLOPE TOP 2DR FREEST 304SS
товар відсутній
2STFS747518S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Slope Top 2 Door Freestanding Encl w/panel - 74 x 75 x 18 - 316SS
товар відсутній
2STFS747518SSHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Slope Top 2 Door Freestanding Encl w/panel - 74 x 75 x 18 - 304SS
товар відсутній
2STFS747524S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Slope Top 2 Door Freestanding Encl w/panel - 74 x 75 x 24 - 316SS
товар відсутній
2STFS747524SSHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Slope Top 2 Door Freestanding Encl w/panel - 74 x 75 x 24 - 304SS
товар відсутній
2STFSD747512S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosures SLOPE TOP 2DR FS DISC 316SS
товар відсутній
2STFSD747512SSHammond ManufacturingElectrical Enclosures SLOPE TOP 2DR FS DISC 304SS
товар відсутній
2STFSD747518S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Slope Top 2 Door Disconnect Encl w/panel - 74 x 75 x 18 - 316SS
товар відсутній
2STFSD747518SSHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Slope Top 2 Door Disconnect Encl w/panel - 74 x 75 x 18 - 304SS
товар відсутній
2STFSD747524S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Slope Top 2 Door Disconnect Encl w/panel - 74 x 75 x 24 - 316SS
товар відсутній
2STFSD747524SSHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Slope Top 2 Door Disconnect Encl w/panel - 74 x 75 x 24 - 304SS
товар відсутній
2STG140PMD-GAIPHONESOP
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2STG141PMJRC2004 SSOP
на замовлення 977 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2STL1360STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin TO-92L Bag
товар відсутній
2STL1360Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2STL1360STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A TO92L
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92L
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
товар відсутній
2STL1360STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LoVltg FastSwtch npn Pwr bipolar trans
товар відсутній
2STL1525STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Trans PB-HCD 25V VCEO 5A IC
товар відсутній
2STL1525STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 25V 5A TO92L
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92L
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.5 W
товар відсутній
2STL1525STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 25V 5A 3-Pin TO-92L Bag
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1496+8 грн
Мінімальне замовлення: 1496
2STL1525STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 25V 5A 3-Pin TO-92L Bag
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 80
2STL1525-APSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT 25V Vceo 5A NPN High Gain Switching
товар відсутній
2STL1525-DHSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Low voltage high performance NPN power transistor, IGBT & Power Bipolar
товар відсутній
2STL1550STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Transistors, Power Bipolar, Low Voltage - High Per, IGBT & Power Bipolar
товар відсутній
2STL2580STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT High Volt NPN Trans 800V Vces 400V Vceo
товар відсутній
2STL2580STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 1A TO92MOD
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 250mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92MOD
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.5 W
товар відсутній
2STL2580-APSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT High voltage fast-switching NPN power transistor
товар відсутній
2STL2580-APSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 1A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 250mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92MOD
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.5 W
товар відсутній
2STL2580-APSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 400V 1A 1500mW 3-Pin TO-92 Mod Loose
товар відсутній
2STN1360STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.81 грн
2000+ 12.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2STN1360STTrans GP BJT NPN 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 2STN1360 T2STN1360
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.5 грн
Мінімальне замовлення: 100
2STN1360STMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Current gain: 80...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.71 грн
11+ 34.51 грн
12+ 32.35 грн
25+ 25.16 грн
79+ 10.57 грн
216+ 9.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
2STN1360STTrans GP BJT NPN 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 2STN1360 T2STN1360
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 630 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.5 грн
Мінімальне замовлення: 100
2STN1360STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
2STN1360onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2STN1360STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STN1360 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 3 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 280hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.44 грн
21+ 38.48 грн
100+ 25.86 грн
500+ 18.83 грн
1000+ 12.21 грн
5000+ 11.94 грн
Мінімальне замовлення: 18
2STN1360STMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Current gain: 80...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+46.45 грн
7+ 43 грн
10+ 38.82 грн
25+ 30.19 грн
79+ 12.68 грн
216+ 11.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
2STN1360STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 5135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.82 грн
10+ 32.28 грн
100+ 22.47 грн
500+ 16.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
2STN1360STTrans GP BJT NPN 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 2STN1360 T2STN1360
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.5 грн
Мінімальне замовлення: 100
2STN1360STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER
на замовлення 25035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.22 грн
10+ 35.4 грн
100+ 21.46 грн
500+ 16.77 грн
1000+ 13.53 грн
2000+ 11.46 грн
10000+ 11.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
2STN1360STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
2STN1360STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
2STN1360STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STN1360 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 3 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 280hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.86 грн
500+ 18.83 грн
1000+ 12.21 грн
5000+ 11.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
2STN1550STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 50V 5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
2STN1550STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STN1550 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2STN1550STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 50V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.16 грн
2000+ 15.94 грн
5000+ 14.91 грн
10000+ 13.03 грн
25000+ 12.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2STN1550STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 50V 5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
2STN1550STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STN1550 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.59 грн
17+ 46.84 грн
Мінімальне замовлення: 14
2STN1550STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 50V 5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 49310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.03 грн
10+ 38.6 грн
100+ 28.8 грн
500+ 21.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
2STN1550STMicroelectronics2STN1550 NPN SMD transistors
на замовлення 985 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+71.53 грн
49+ 20.88 грн
133+ 19.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
2STN1550STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
на замовлення 12980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.92 грн
10+ 42.22 грн
100+ 27.47 грн
500+ 21.53 грн
1000+ 16.63 грн
2000+ 15.11 грн
5000+ 14.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
2STN2340STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.6 W
товар відсутній
2STN2340STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.6 W
товар відсутній
2STN2360STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.6 W
товар відсутній
2STN2360STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2STN2360STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Lo Vltg fast switch pnp Pwr transistor
товар відсутній
2STN2360STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.6 W
товар відсутній
2STN2360STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
2STN2540STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 40V 5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
2STN2540STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Power Bipolar Transistors
на замовлення 14844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.4 грн
10+ 36.51 грн
100+ 22.29 грн
500+ 18.63 грн
1000+ 14.29 грн
2000+ 13.39 грн
10000+ 12.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
2STN2540STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 40V 5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
2STN2540STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STN2540 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.01 грн
200+ 21.35 грн
500+ 17.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
2STN2540STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 40V 5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.6 W
товар відсутній
2STN2540STMicroelectronics2STN2540 PNP SMD transistors
на замовлення 658 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
11+26.57 грн
61+ 16.48 грн
168+ 15.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
2STN2540STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 40V 5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
2STN2540Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2STN2540STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STN2540 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.77 грн
20+ 39.56 грн
50+ 25.01 грн
200+ 21.35 грн
500+ 17.92 грн
Мінімальне замовлення: 17
2STN2540STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 40V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.6 W
товар відсутній
2STN2540STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 40V 5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
2STN2540-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 40V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.6 W
товар відсутній
2STN2550STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LV high performance PNP power transistor
товар відсутній
2STN2550STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 50V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
товар відсутній
2STN2780STMicroelectronicsSTMicroelectronics
товар відсутній
2STP535FPSTM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2STP535FPSTMicroelectronicsTrans Darlington NPN 180V 8A 37000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
2STP535FPSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 180V 8A TO220FP
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2STP535FPSTMicroelectronicsTrans Darlington NPN 180V 8A 37000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
2STP535FPSTMicroelectronicsTrans Darlington NPN 180V 8A 37000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
2STP535FPSTMicroelectronicsDarlington Transistors PWR BIP/S.SIGNAL
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.02 грн
10+ 101.59 грн
100+ 72.46 грн
250+ 61.21 грн
500+ 49 грн
1000+ 48.52 грн
2000+ 47.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
2STR1160STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Low-Volt Fast Switch NPN Pwr Tran
на замовлення 13927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.25 грн
16+ 21.11 грн
100+ 12.49 грн
1000+ 6.97 грн
3000+ 6.42 грн
9000+ 5.66 грн
24000+ 5.18 грн
Мінімальне замовлення: 13
2STR1160STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2STR1160STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2STR1160
Код товару: 114990		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
2STR1160STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2STR1160STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2STR1160onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2STR1160STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2STR1160STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2STR1215STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 15V 1.5A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2STR1215STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Lo Vltg FAST SWITCH Hi GAIN PNP
на замовлення 28041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.4 грн
13+ 25.4 грн
100+ 15.04 грн
500+ 11.32 грн
Мінімальне замовлення: 11
2STR1215STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STR1215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 15 V, 2 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 280hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.33 грн
500+ 10.93 грн
1000+ 7.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
2STR1215STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 15V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.86 грн
13+ 23.22 грн
100+ 15.8 грн
500+ 11.12 грн
1000+ 8.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
2STR1215STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 15V 1.5A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2STR1215STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STR1215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 15 V, 2 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 280hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.13 грн
33+ 23.92 грн
100+ 15.33 грн
500+ 10.93 грн
1000+ 7.56 грн
Мінімальне замовлення: 25
2STR1215STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 15V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2STR1230STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2STR1230STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2STR1240STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 40V 1.5A SOT23
товар відсутній
2STR1240STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT IGBT Power Bipolar
товар відсутній
2STR1240STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
товар відсутній
2STR2160STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2STR2160STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2STR2160STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2STR2160STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2STR2160STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING PNP POWER
на замовлення 26710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.91 грн
11+ 29.37 грн
100+ 18.08 грн
500+ 14.35 грн
1000+ 11.66 грн
3000+ 9.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
2STR2160STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 480mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 13579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.59 грн
11+ 27.68 грн
100+ 19.25 грн
500+ 14.1 грн
1000+ 11.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
2STR2160STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2STR2160STMТранз. Бипол. ММ PNP SOT23 Uceo=60V; Ic=1A; Pdmax=0,5W
на замовлення 2891 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
13+22.79 грн
15+ 17.99 грн
Мінімальне замовлення: 13
2STR2160STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2STR2160STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2STR2160STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 480mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.34 грн
6000+ 10.36 грн
9000+ 9.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2STR2160
Код товару: 114991		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
2STR2215STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 15V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2STR2215STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 15V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 9557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.88 грн
16+ 18.26 грн
100+ 9.22 грн
500+ 7.66 грн
1000+ 5.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
2STR2230STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LOW VOLT TRAN
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
10+34.46 грн
12+ 26.51 грн
100+ 12.84 грн
1000+ 8.7 грн
3000+ 7.66 грн
9000+ 6.9 грн
24000+ 6.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
2STR2230STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STR2230 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423300
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 560hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2STR2230STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 30V 1.5A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2STR2230STMicroelectronicsCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1.5A; 500mW; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 70...560
Collector current: 1.5A
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
2STR2230STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 30V 1.5A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2STR2230STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STR2230 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 560hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.4 грн
500+ 9.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
2STR2230STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
13+ 23.87 грн
100+ 14.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
2STR2230STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2STR2230 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 560hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.95 грн
50+ 21.68 грн
100+ 14.4 грн
500+ 9.06 грн
Мінімальне замовлення: 27
2STR2230STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 30V 1.5A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2STR2230STMicroelectronicsCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1.5A; 500mW; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 70...560
Collector current: 1.5A
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
товар відсутній
2STR2230STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 30V 1.5A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2STR2230STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2STR2240STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT IGBT Power Bipolar
товар відсутній
2STR2240STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 40V 1.5A SOT23
товар відсутній
2STR2240STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
товар відсутній
2STW100STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 80V 25A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
2STW100STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 80V 25A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
2STW100STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 80V 25A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 80mA, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10A, 3V
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 130 W
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.34 грн
10+ 159.16 грн
100+ 128.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
2STW100STMicroelectronicsDarlington Transistors Complementary Power Darlington Trans
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.05 грн
10+ 200.79 грн
100+ 142.86 грн
250+ 135.96 грн
600+ 122.15 грн
1200+ 102.83 грн
3000+ 97.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
2STW100STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 80V 25A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+116.56 грн
10+ 108.9 грн
25+ 108.02 грн
100+ 92.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
2STW100STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 80V 25A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
2STW1693STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 80V 6A TO-247
товар відсутній
2STW1695STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 140V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 700mA, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 100 W
товар відсутній
2STW1695+2STW4468; 10A; 140V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+175.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
2STW200STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 80V 25A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
2STW200STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 80V 25A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
2STW200STMicroelectronicsDarlington Transistors Comp Darlington PWR 80V 25A 130W Trans
товар відсутній
2STW200STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP DARL 80V 25A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 80mA, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10A, 3V
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 130 W
товар відсутній
2STW4466STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 6A TO-247
товар відсутній
2STW4468STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 140V 10A TO-247
товар відсутній
2STW4468STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
2STX1360STNPN 60V 3A 1W 130MHz 2STX1360 T2STX1360
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 380 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 300
2STX1360STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER
товар відсутній
2STX1360STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2STX1360STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
2STX1360-APSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Low voltage fast-switching NPN power transistors
товар відсутній
2STX1360-APSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A TO92AP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92AP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2STX2220STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 20V 1.5A TO-92
товар відсутній