НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
B2M-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: BRIDGE RECT 1P 200V 500MA MBM
на замовлення 5556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
B2M-E3/45VISHAYB2M-E3/45 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
13+22.95 грн
80+ 12.69 грн
220+ 12 грн
Мінімальне замовлення: 13
B2M-E3/45VishayDiode Rectifier Bridge Single 200V 0.5A 4-Pin Case MBM Tube
товар відсутній
B2M-E3/45Vishay General SemiconductorBridge Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.56 грн
10+ 48.49 грн
100+ 28.92 грн
500+ 23.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
B2M035120YPBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 115nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 190A
Case: TO247PLUS-4
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
B2M035120YPBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 115nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 190A
Case: TO247PLUS-4
товар відсутній
B2M065120HBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Polarisation: unipolar
Case: TO247-3
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+870.49 грн
2+ 640.53 грн
5+ 583.16 грн
30+ 577.12 грн
B2M065120HBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Polarisation: unipolar
Case: TO247-3
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+725.41 грн
2+ 514 грн
5+ 485.97 грн
B2M065120RBASiC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Polarisation: unipolar
Case: TO263-7
Power dissipation: 150W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+902.08 грн
2+ 665.61 грн
5+ 605.59 грн
30+ 600.41 грн
B2M065120RBASiC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Polarisation: unipolar
Case: TO263-7
Power dissipation: 150W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+751.73 грн
2+ 534.13 грн
5+ 504.66 грн
30+ 500.34 грн
B2M065120ZBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Polarisation: unipolar
Case: TO247-4
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
B2M065120ZBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Polarisation: unipolar
Case: TO247-4
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
B2M2S-DPanduitCable Ties MKR Tie Metal Barb 8.0L (203mm) S
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.38 грн
10+ 112.7 грн
100+ 95.24 грн
500+ 91.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
B2M2S-DPanduit CorpDescription: MARKER TIE NATURAL 50LBS 8"
Packaging: Bulk
Color: Natural
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Tensile Strength: 50 lbs (22.68 kg)
Wire/Cable Tie Type: Marker Strap/Flag Tie
Width: 0.185" (4.70mm)
Bundle Diameter: 2.00" (50.80mm)
Part Status: Active
Length - Actual: 0.667' (203.20mm, 8.00")
Length - Approximate: 8"
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+108.8 грн
Мінімальне замовлення: 500
B2M2S-D0PanduitCable Ties MKR Tie Metal Barb 8.0L (203mm) S
товар відсутній
B2M2S-D0Panduit CorpDescription: MARKER TIE BLACK 50LBS 8"
Features: Weather Resistant
Packaging: Bulk
Color: Black
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Tensile Strength: 50 lbs (22.68 kg)
Wire/Cable Tie Type: Marker Strap/Flag Tie
Width: 0.185" (4.70mm)
Bundle Diameter: 2.00" (50.80mm)
Length - Actual: 0.667' (203.20mm, 8.00")
Length - Approximate: 8"
товар відсутній
B2MA4.5ZNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)