Продукція > BFU

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BFU.2K.100.CZSLEMOStandard Circular Connector
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BFU06703
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFU308PHILIPS
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFU309PHILIPS
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFU310PHILIPS
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFU520235NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
BFU520ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+26.1 грн
25+ 23.7 грн
100+ 20.24 грн
250+ 18.34 грн
500+ 16.02 грн
1000+ 13.92 грн
Мінімальне замовлення: 23
BFU520ARNXPDescription: NXP - BFU520AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.56 грн
500+ 21.64 грн
1000+ 14.73 грн
5000+ 14.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU520ARNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
на замовлення 149336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.67 грн
10+ 34.84 грн
100+ 23.4 грн
500+ 20.08 грн
1000+ 16.36 грн
3000+ 15.32 грн
6000+ 14.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU520ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
469+25.53 грн
530+ 22.61 грн
541+ 22.12 грн
595+ 19.41 грн
1000+ 15.61 грн
Мінімальне замовлення: 469
BFU520ARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+43.3 грн
10+ 36.59 грн
25+ 34.42 грн
100+ 26.36 грн
250+ 24.48 грн
500+ 20.84 грн
1000+ 16.4 грн
Мінімальне замовлення: 7
BFU520ARNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 30mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10GHz
на замовлення 5843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+40.26 грн
13+ 28.25 грн
25+ 25.38 грн
43+ 19.77 грн
117+ 18.69 грн
3000+ 17.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU520ARNXPDescription: NXP - BFU520AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.17 грн
20+ 40.64 грн
100+ 27.56 грн
500+ 21.64 грн
1000+ 14.73 грн
5000+ 14.07 грн
Мінімальне замовлення: 16
BFU520ARNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 30mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5843 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+48.31 грн
10+ 35.21 грн
25+ 30.45 грн
43+ 23.72 грн
117+ 22.43 грн
3000+ 21.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
BFU520ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній
BFU520ARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.72 грн
6000+ 14.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU520ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній
BFU520ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 5895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+28.72 грн
471+ 25.43 грн
473+ 25.33 грн
529+ 21.83 грн
1000+ 17.54 грн
2000+ 16.67 грн
3000+ 15.9 грн
Мінімальне замовлення: 417
BFU520AVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BFU520AVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BFU520AVLNXPDescription: NXP - BFU520AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.03 грн
500+ 13.08 грн
1000+ 8.43 грн
5000+ 7.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU520AVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній
BFU520AVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BFU520AVLNXPDescription: NXP - BFU520AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.9 грн
31+ 25.63 грн
100+ 17.03 грн
500+ 13.08 грн
1000+ 8.43 грн
5000+ 7.96 грн
Мінімальне замовлення: 24
BFU520AVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 5256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.46 грн
12+ 28.1 грн
100+ 16.7 грн
1000+ 9.39 грн
2500+ 9.32 грн
10000+ 7.32 грн
20000+ 6.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU520AVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
товар відсутній
BFU520RNXPDescription: NXP - BFU520R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU520
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.49 грн
23+ 33.99 грн
100+ 22.76 грн
500+ 16.61 грн
Мінімальне замовлення: 20
BFU520RNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.09 грн
11+ 28.54 грн
25+ 26.66 грн
100+ 20 грн
250+ 18.58 грн
500+ 15.72 грн
1000+ 11.95 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFU520R
Код товару: 191928		Транзистори > Біполярні NPN
Uceo,V: 12 V
Ucbo,V: 24 V
Ic,A: 0,005 A
товар відсутній
BFU520RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товар відсутній
BFU520RNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 11354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.71 грн
11+ 31.19 грн
100+ 20.29 грн
500+ 15.94 грн
1000+ 12.35 грн
3000+ 11.25 грн
9000+ 9.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFU520RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU520RNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU520RNXPDescription: NXP - BFU520R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU520
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.76 грн
500+ 16.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU520RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU520RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU520VLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товар відсутній
BFU520VLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товар відсутній
BFU520VLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
товар відсутній
BFU520W135NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
BFU520WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
BFU520WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
BFU520WFNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
на замовлення 15190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.34 грн
11+ 26.53 грн
25+ 24.24 грн
100+ 16.93 грн
250+ 15.35 грн
500+ 12.7 грн
1000+ 9.37 грн
2500+ 8.59 грн
5000+ 8.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFU520WFNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 27839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.71 грн
12+ 27.22 грн
100+ 13.25 грн
1000+ 9.87 грн
2500+ 8.56 грн
10000+ 7.59 грн
20000+ 7.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFU520WFNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BFU520WXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.34 грн
6000+ 10.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU520WXNXPDescription: NXP - BFU520WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.48 грн
25+ 31.28 грн
100+ 22.3 грн
500+ 16.61 грн
1000+ 9.82 грн
5000+ 9.16 грн
Мінімальне замовлення: 20
BFU520WXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.46 грн
12+ 27.3 грн
100+ 17.74 грн
500+ 14.91 грн
1000+ 11.32 грн
3000+ 9.8 грн
9000+ 9.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU520WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+33.13 грн
23+ 26.84 грн
25+ 26.32 грн
100+ 18.9 грн
250+ 17.33 грн
500+ 13.88 грн
1000+ 8.96 грн
Мінімальне замовлення: 18
BFU520WXNXPRF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
9+34.19 грн
10+ 26.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFU520WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 8330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+19.45 грн
619+ 19.34 грн
732+ 16.35 грн
1000+ 14.91 грн
2000+ 13.71 грн
3000+ 12.57 грн
6000+ 11.97 грн
Мінімальне замовлення: 616
BFU520WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
BFU520WXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
11+ 26.46 грн
25+ 24.67 грн
100+ 18.51 грн
250+ 17.19 грн
500+ 14.55 грн
1000+ 11.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU520WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
BFU520WXNXPDescription: NXP - BFU520WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.3 грн
500+ 16.61 грн
1000+ 9.82 грн
5000+ 9.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU520WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
423+28.34 грн
567+ 21.11 грн
573+ 20.9 грн
687+ 16.82 грн
1064+ 10.05 грн
Мінімальне замовлення: 423
BFU520X215NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2323+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 2323
BFU520X215NXPDescription: NXP - BFU520X215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2793+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 2793
BFU520X235NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2323+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 2323
BFU520X235NXPDescription: NXP - BFU520X235 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2793+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 2793
BFU520XARNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT143B
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 30mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT143B
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10.5GHz
товар відсутній
BFU520XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143B T/R
товар відсутній
BFU520XARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.1 грн
12+ 25.09 грн
25+ 23 грн
100+ 16.06 грн
250+ 14.55 грн
500+ 12.04 грн
1000+ 8.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU520XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin SOT-143B T/R
товар відсутній
BFU520XARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU520XARNXPDescription: NXP - BFU520XAR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 60hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 450mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Bauform - HF-Transistor: SOT-143B
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 5mA
Übergangsfrequenz: 10.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+27.02 грн
40+ 19.82 грн
100+ 13.47 грн
500+ 10.35 грн
Мінімальне замовлення: 29
BFU520XARNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товар відсутній
BFU520XARNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT143B
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 30mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT143B
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10.5GHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BFU520XRRNXPDescription: NXP - BFU520XRR - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2793+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 2793
BFU520XRRNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.1 грн
12+ 25.09 грн
25+ 23 грн
100+ 16.06 грн
250+ 14.55 грн
500+ 12.04 грн
1000+ 8.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU520XRRNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 8642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.46 грн
14+ 23.81 грн
100+ 12.28 грн
1000+ 9.39 грн
3000+ 8.07 грн
9000+ 7.52 грн
24000+ 6.9 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU520XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
товар відсутній
BFU520XRRNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU520XRRNXP SemiconductorsDescription: BFU520XR - NPN Wideband Silicon
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2323+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 2323
BFU520XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
товар відсутній
BFU520XRVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товар відсутній
BFU520XRVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Active
товар відсутній
BFU520XRVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
товар відсутній
BFU520XRVLNXPDescription: NXP - BFU520XRVL - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2793+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 2793
BFU520XVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
товар відсутній
BFU520XVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товар відсутній
BFU520XVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.19 грн
12+ 28.17 грн
100+ 16.77 грн
1000+ 9.45 грн
2500+ 8.76 грн
10000+ 7.45 грн
20000+ 6.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU520YNXP USA Inc.Description: RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST
товар відсутній
BFU520Y115NXP USA Inc.Description: DUAL NPN WIDEBAND RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
BFU520YFNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Dual NPN wideband si silicon RF trans
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.37 грн
10+ 50.48 грн
100+ 29.95 грн
500+ 25.05 грн
1000+ 21.33 грн
2500+ 20.91 грн
10000+ 17.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
BFU520YFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
BFU520YFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
BFU520YFNXP USA Inc.Description: RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 14dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
товар відсутній
BFU520YXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 4005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+59.23 грн
230+ 52.15 грн
262+ 45.77 грн
274+ 42.22 грн
500+ 36.94 грн
1000+ 33.68 грн
3000+ 31.11 грн
Мінімальне замовлення: 203
BFU520YXNXP USA Inc.Description: RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 32733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.44 грн
10+ 57.37 грн
25+ 54.41 грн
100+ 41.94 грн
250+ 39.2 грн
500+ 34.64 грн
1000+ 26.9 грн
Мінімальне замовлення: 5
BFU520YXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
BFU520YXNXPDescription: NXP - BFU520YX - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-363
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.72 грн
13+ 60.85 грн
100+ 43.74 грн
500+ 35.87 грн
1000+ 24.22 грн
5000+ 24.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFU520YXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
BFU520YXNXP USA Inc.Description: RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.25 грн
6000+ 25.84 грн
15000+ 24.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU520YXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+57.44 грн
213+ 56.42 грн
261+ 45.99 грн
263+ 43.93 грн
500+ 36.1 грн
1000+ 29.13 грн
3000+ 26.23 грн
Мінімальне замовлення: 209
BFU520YXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 64355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.37 грн
10+ 56.75 грн
100+ 39.75 грн
500+ 35.27 грн
1000+ 27.81 грн
3000+ 25.95 грн
6000+ 24.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
BFU520YXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+63.64 грн
12+ 53.34 грн
25+ 52.39 грн
100+ 41.18 грн
250+ 37.77 грн
500+ 32.18 грн
1000+ 27.05 грн
3000+ 24.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU520YXNXPDescription: NXP - BFU520YX - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-363
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.74 грн
500+ 35.87 грн
1000+ 24.22 грн
5000+ 24.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU530215NXPDescription: NXP - BFU530215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2446+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 2446
BFU530215NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2032+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 2032
BFU530ARNXPDescription: NXP - BFU530AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.7 грн
20+ 38.94 грн
100+ 26.24 грн
500+ 20.78 грн
Мінімальне замовлення: 16
BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+25.04 грн
26+ 22.99 грн
41+ 14.76 грн
Мінімальне замовлення: 24
BFU530ARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.9 грн
6000+ 14.25 грн
15000+ 13.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU530ARNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 35995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.97 грн
11+ 29.44 грн
100+ 22.5 грн
500+ 19.81 грн
1000+ 16.08 грн
3000+ 14.22 грн
6000+ 13.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFU530ARNXPTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB BFU530AR TBFU530ar
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU530ARNXPDescription: NXP - BFU530AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.24 грн
500+ 20.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній
BFU530ARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.06 грн
10+ 34.87 грн
25+ 32.75 грн
100+ 25.06 грн
250+ 23.28 грн
500+ 19.82 грн
1000+ 15.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній
BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 6042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+53.09 грн
339+ 35.39 грн
364+ 32.95 грн
365+ 31.68 грн
500+ 24.7 грн
1000+ 22.41 грн
2000+ 22.32 грн
3000+ 21.27 грн
6000+ 20.23 грн
Мінімальне замовлення: 226
BFU530AVLNXPDescription: NXP - BFU530AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.55 грн
27+ 29.34 грн
100+ 19.43 грн
500+ 14.95 грн
1000+ 9.62 грн
5000+ 9.09 грн
Мінімальне замовлення: 21
BFU530AVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
товар відсутній
BFU530AVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній
BFU530AVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній
BFU530AVLNXPDescription: NXP - BFU530AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.43 грн
500+ 14.95 грн
1000+ 9.62 грн
5000+ 9.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU530AVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 7975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.68 грн
13+ 25.79 грн
100+ 16.77 грн
500+ 13.18 грн
1000+ 10.14 грн
2500+ 9.66 грн
10000+ 8.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFU530RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU530RNXPDescription: NXP - BFU530R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12
Verlustleistung: 450
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95
Qualifikation: AEC-Q101
Bauform - Transistor: SOT-143B
Dauer-Kollektorstrom: 40
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
BFU530RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
935+12.8 грн
Мінімальне замовлення: 935
BFU530RNXPDescription: NXP - BFU530R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143B
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95
DC-Stromverstärkung hFE: 95
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 450
Verlustleistung: 450
Bauform - Transistor: SOT-143B
Bauform - HF-Transistor: SOT-143B
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: BFU530
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 40
Übergangsfrequenz: 11
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
BFU530RNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.95 грн
15+ 21.9 грн
100+ 15.18 грн
500+ 13.11 грн
1000+ 10.08 грн
3000+ 8.63 грн
9000+ 8.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFU530RNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.37 грн
13+ 23.44 грн
25+ 21.88 грн
100+ 16.43 грн
250+ 15.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFU530RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
935+12.8 грн
Мінімальне замовлення: 935
BFU530R
Код товару: 99606		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
BFU530RNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BFU530VLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товар відсутній
BFU530VLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
товар відсутній
BFU530VLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товар відсутній
BFU530W,115NXP USA Inc.Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 433MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1214+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 1214
BFU530W115NXP SemiconductorsDescription: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST
товар відсутній
BFU530W115NXPDescription: NXP - BFU530W115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1461+26.32 грн
Мінімальне замовлення: 1461
BFU530WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
BFU530WFNXPDescription: NXP - BFU530WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.87 грн
36+ 21.75 грн
100+ 14.4 грн
500+ 11.14 грн
1000+ 7.17 грн
5000+ 6.77 грн
Мінімальне замовлення: 28
BFU530WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
BFU530WFNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 5446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.95 грн
14+ 23.89 грн
100+ 14.22 грн
1000+ 7.94 грн
2500+ 7.8 грн
10000+ 6.35 грн
20000+ 5.8 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFU530WFNXPDescription: NXP - BFU530WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.4 грн
500+ 11.14 грн
1000+ 7.17 грн
5000+ 6.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU530WFNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
товар відсутній
BFU530WXNXPDescription: NXP - BFU530WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.06 грн
29+ 27.33 грн
100+ 20.13 грн
500+ 16.89 грн
1000+ 13.27 грн
Мінімальне замовлення: 24
BFU530WXNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 24V; 40mA; 450mW; SOT323
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.45W
Frequency: 11GHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 24V
Current gain: 60...200
Collector current: 40mA
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+65.96 грн
9+ 32.25 грн
25+ 27.86 грн
44+ 23.48 грн
119+ 22.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 11243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
690+17.37 грн
700+ 17.1 грн
711+ 16.83 грн
723+ 15.97 грн
1000+ 14.54 грн
3000+ 13.74 грн
6000+ 13.5 грн
Мінімальне замовлення: 690
BFU530WXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.31 грн
10+ 34.51 грн
25+ 32.44 грн
100+ 24.85 грн
250+ 23.09 грн
500+ 19.65 грн
1000+ 15.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU530WXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
на замовлення 27034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.23 грн
13+ 25 грн
100+ 17.94 грн
500+ 16.22 грн
1000+ 14.35 грн
3000+ 13.8 грн
6000+ 13.18 грн
Мінімальне замовлення: 12
BFU530WXNXPDescription: NXP - BFU530WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.13 грн
500+ 16.89 грн
1000+ 13.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
BFU530WXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.76 грн
6000+ 14.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU530WXNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 24V; 40mA; 450mW; SOT323
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.45W
Frequency: 11GHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 24V
Current gain: 60...200
Collector current: 40mA
Type of transistor: NPN
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+54.97 грн
14+ 25.88 грн
25+ 23.22 грн
44+ 19.57 грн
119+ 18.5 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU530WXNXPDescription: NXP - BFU530WX - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 155211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1461+26.32 грн
Мінімальне замовлення: 1461
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+82.48 грн
298+ 40.28 грн
325+ 36.82 грн
326+ 35.41 грн
500+ 26.61 грн
1000+ 23.97 грн
2000+ 23.8 грн
3000+ 22.5 грн
Мінімальне замовлення: 146
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 11243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+16.62 грн
37+ 16.13 грн
100+ 15.31 грн
250+ 13.96 грн
500+ 13.18 грн
1000+ 12.97 грн
3000+ 12.76 грн
6000+ 12.54 грн
Мінімальне замовлення: 36
BFU530XARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 22dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.34 грн
11+ 28.11 грн
25+ 26.28 грн
100+ 19.72 грн
250+ 18.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFU530XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товар відсутній
BFU530XARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 22dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BFU530XARNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.71 грн
11+ 28.89 грн
100+ 18.63 грн
500+ 15.8 грн
1000+ 12.22 грн
3000+ 10.35 грн
9000+ 9.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFU530XRNXP USA Inc.Description: RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST
товар відсутній
BFU530XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
товар відсутній
BFU530XRRNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BFU530XRRNXPDescription: NXP - BFU530XRR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143R
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143R
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU530XR
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU530XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
товар відсутній
BFU530XRRNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BFU530XRRNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товар відсутній
BFU530XRRNXPDescription: NXP - BFU530XRR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143R
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143R
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU530XR
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU530XRVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товар відсутній
BFU530XRVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 16.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143R
на замовлення 9120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.37 грн
13+ 22.86 грн
25+ 21.39 грн
100+ 16.06 грн
250+ 14.91 грн
500+ 12.62 грн
1000+ 9.59 грн
2500+ 8.74 грн
5000+ 8.18 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFU530XRVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
товар відсутній
BFU530XRVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 16.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143R
товар відсутній
BFU530XVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товар відсутній
BFU530XVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товар відсутній
BFU530XVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 16.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
товар відсутній
BFU550215NXPDescription: NXP - BFU550215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1430+26.32 грн
Мінімальне замовлення: 1430
BFU550215NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1189+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 1189
BFU550235NXPDescription: NXP - BFU550235 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2173+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 2173
BFU550235NXP USA Inc.Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1807+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 1807
BFU550A215NXP USA Inc.Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
BFU550A235NXP USA Inc.Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
BFU550ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній
BFU550ARNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 50mA; 450mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 11GHz
на замовлення 9640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+14.86 грн
40+ 9.99 грн
100+ 8.84 грн
110+ 8.01 грн
290+ 7.57 грн
3000+ 7.4 грн
Мінімальне замовлення: 30
BFU550ARNXPDescription: NXP - BFU550AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.77 грн
500+ 8.91 грн
1000+ 6.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU550ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 5148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
834+14.36 грн
839+ 14.26 грн
1026+ 11.67 грн
1101+ 10.48 грн
2000+ 9.62 грн
3000+ 8.72 грн
Мінімальне замовлення: 834
BFU550ARNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 80995 шт:
термін постачання 177-186 дні (днів)
12+28.42 грн
16+ 20.63 грн
100+ 10.14 грн
1000+ 7.59 грн
3000+ 6.42 грн
9000+ 6.21 грн
24000+ 5.66 грн
Мінімальне замовлення: 12
BFU550ARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.62 грн
14+ 20.99 грн
25+ 19.24 грн
100+ 13.44 грн
250+ 12.17 грн
500+ 10.08 грн
1000+ 7.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFU550ARNXPDescription: NXP - BFU550AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.21 грн
34+ 23.23 грн
100+ 11.77 грн
500+ 8.91 грн
1000+ 6.37 грн
Мінімальне замовлення: 25
BFU550ARNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 50mA; 450mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 11GHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 9640 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+17.84 грн
25+ 12.45 грн
100+ 10.61 грн
110+ 9.61 грн
290+ 9.08 грн
3000+ 8.89 грн
Мінімальне замовлення: 20
BFU550ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній
BFU550ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній
BFU550ARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.66 грн
6000+ 6.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU550AVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
товар відсутній
BFU550AVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній
BFU550AVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній
BFU550AVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 9907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.46 грн
13+ 25.87 грн
100+ 14.01 грн
1000+ 7.38 грн
2500+ 6.63 грн
10000+ 5.73 грн
20000+ 5.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU550RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товар відсутній
BFU550RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 6938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+22.41 грн
29+ 20.6 грн
30+ 20.4 грн
100+ 17.76 грн
250+ 16.28 грн
500+ 14.22 грн
1000+ 13.24 грн
3000+ 13.03 грн
6000+ 12.81 грн
Мінімальне замовлення: 27
BFU550RNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 44420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.06 грн
10+ 34.43 грн
25+ 32.38 грн
100+ 24.81 грн
250+ 23.04 грн
500+ 19.61 грн
1000+ 15.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU550RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
678+17.65 грн
682+ 17.55 грн
Мінімальне замовлення: 678
BFU550R
Код товару: 182070		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
BFU550RNXPDescription: NXP - BFU550R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU550RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товар відсутній
BFU550RNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 26042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.74 грн
12+ 27.94 грн
100+ 19.74 грн
500+ 17.39 грн
1000+ 15.11 грн
3000+ 13.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU550RNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.73 грн
6000+ 14.11 грн
15000+ 13.58 грн
30000+ 12.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU550RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 6938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
545+21.97 грн
604+ 19.83 грн
610+ 19.63 грн
670+ 17.22 грн
1000+ 14.86 грн
3000+ 14.03 грн
6000+ 13.8 грн
Мінімальне замовлення: 545
BFU550RNXPDescription: NXP - BFU550R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.79 грн
25+ 32.05 грн
100+ 23.15 грн
Мінімальне замовлення: 20
BFU550VLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товар відсутній
BFU550VLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товар відсутній
BFU550VLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
товар відсутній
BFU550W135NXP USA Inc.Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 8075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1483+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 1483
BFU550WFNXPDescription: NXP - BFU550WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.47 грн
21+ 38.63 грн
100+ 25.86 грн
500+ 20.34 грн
1000+ 12.41 грн
Мінімальне замовлення: 16
BFU550WFNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BFU550WFNXPDescription: NXP - BFU550WF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 744202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1646+22.45 грн
Мінімальне замовлення: 1646
BFU550WFNXP SemiconductorsDescription: BFU550W - NPN WIDEBAND SILICON R
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
на замовлення 743543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1369+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 1369
BFU550WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
BFU550WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 9830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
425+28.22 грн
457+ 26.23 грн
543+ 22.04 грн
1000+ 19.91 грн
2000+ 18.25 грн
Мінімальне замовлення: 425
BFU550WFNXPDescription: NXP - BFU550WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.86 грн
500+ 20.34 грн
1000+ 12.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU550WFNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
на замовлення 23040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.06 грн
10+ 34 грн
25+ 31.75 грн
100+ 23.84 грн
250+ 22.14 грн
500+ 18.73 грн
1000+ 14.24 грн
2500+ 12.98 грн
5000+ 12.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU550WFNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 13308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.2 грн
10+ 35.63 грн
100+ 23.05 грн
500+ 19.46 грн
1000+ 15.04 грн
2500+ 12.91 грн
10000+ 11.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU550WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
BFU550WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 5370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+23.7 грн
100+ 22.5 грн
250+ 20.5 грн
500+ 19.37 грн
1000+ 19.05 грн
3000+ 18.72 грн
Мінімальне замовлення: 25
BFU550WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU550WXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
на замовлення 5361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.4 грн
10+ 36.98 грн
100+ 26.92 грн
500+ 24.36 грн
1000+ 21.53 грн
3000+ 20.29 грн
6000+ 20.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU550WXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.47 грн
10+ 51.62 грн
25+ 48.45 грн
100+ 37.13 грн
250+ 34.49 грн
500+ 29.35 грн
1000+ 23.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
BFU550WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+58.23 грн
241+ 49.66 грн
282+ 42.48 грн
298+ 38.85 грн
500+ 33.65 грн
1000+ 30.35 грн
3000+ 27.69 грн
Мінімальне замовлення: 206
BFU550WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
BFU550WXNXPDescription: NXP - BFU550WX - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
978+38.71 грн
Мінімальне замовлення: 978
BFU550WXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.54 грн
6000+ 21.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU550WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
BFU550WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 5370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
462+25.93 грн
469+ 25.53 грн
477+ 25.13 грн
484+ 23.85 грн
500+ 21.72 грн
1000+ 20.51 грн
3000+ 20.16 грн
Мінімальне замовлення: 462
BFU550XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143B T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+45.32 грн
16+ 37.24 грн
25+ 36.72 грн
100+ 26.01 грн
250+ 23.84 грн
500+ 20.3 грн
1000+ 15.78 грн
3000+ 11.86 грн
Мінімальне замовлення: 14
BFU550XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143B T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+39.54 грн
412+ 29.04 грн
417+ 28.75 грн
500+ 24.59 грн
1000+ 17.71 грн
3000+ 12.77 грн
Мінімальне замовлення: 303
BFU550XAR
на замовлення 50 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
BFU550XARNXPDescription: NXP - BFU550XAR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.95 грн
19+ 41.19 грн
100+ 27.56 грн
Мінімальне замовлення: 15
BFU550XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin SOT-143B T/R
товар відсутній
BFU550XARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75db @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 61412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+43.3 грн
10+ 36.3 грн
25+ 33.85 грн
100+ 25.41 грн
250+ 23.59 грн
500+ 19.96 грн
1000+ 15.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
BFU550XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143B T/R
товар відсутній
BFU550XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143B T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+32.11 грн
509+ 23.53 грн
511+ 23.43 грн
580+ 19.91 грн
1000+ 15.23 грн
Мінімальне замовлення: 373
BFU550XARNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.91 грн
10+ 38.1 грн
100+ 24.57 грн
500+ 20.7 грн
1000+ 16.08 грн
3000+ 12.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
BFU550XARNXPDescription: NXP - BFU550XAR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU550XARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75db @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.56 грн
6000+ 14.02 грн
15000+ 13.05 грн
30000+ 11.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU550XR215NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
BFU550XR235NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
BFU550XRRNXPDescription: NXP - BFU550XRR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 15 mA, SOT-143R
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12
Verlustleistung: 450
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95
Qualifikation: AEC-Q101
Bauform - Transistor: SOT-143R
Dauer-Kollektorstrom: 15
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
BFU550XRRNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BFU550XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 4-Pin SOT-143R T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU550XRRNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.48 грн
17+ 19.21 грн
100+ 9.18 грн
1000+ 6.97 грн
3000+ 5.87 грн
9000+ 5.38 грн
24000+ 5.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFU550XRRNXPDescription: NXP - BFU550XRR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 15 mA, SOT-143R
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95
DC-Stromverstärkung hFE: 95
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 450
Verlustleistung: 450
Bauform - Transistor: SOT-143R
Bauform - HF-Transistor: SOT-143R
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: BFU550XR
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 15
Übergangsfrequenz: 11
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
BFU550XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 4-Pin SOT-143R T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU550XRRNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.86 грн
14+ 21.93 грн
25+ 19.75 грн
100+ 12.81 грн
250+ 10.79 грн
500+ 8.77 грн
1000+ 6.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU550XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 4-Pin SOT-143R T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
BFU550XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 30V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin SOT-143R T/R
товар відсутній
BFU550XRR215NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
BFU550XRVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.91 грн
13+ 26.03 грн
100+ 12.84 грн
1000+ 6.56 грн
2500+ 5.73 грн
10000+ 4.28 грн
20000+ 4.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFU550XRVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Active
товар відсутній
BFU550XRVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 30V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
товар відсутній
BFU550XVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товар відсутній
BFU550XVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товар відсутній
BFU550XVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 244-253 дні (днів)
10+34.46 грн
11+ 28.97 грн
100+ 18.77 грн
500+ 14.77 грн
1000+ 11.46 грн
2500+ 10.56 грн
10000+ 9.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU550XVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
товар відсутній
BFU580G115NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
BFU580GXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 2057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.88 грн
10+ 51.83 грн
100+ 35.27 грн
500+ 31.19 грн
1000+ 23.53 грн
2000+ 21.74 грн
5000+ 21.6 грн
Мінімальне замовлення: 6
BFU580GXNXPDescription: NXP - BFU580GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU580G
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.41 грн
500+ 33.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU580GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товар відсутній
BFU580GXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.79 грн
2000+ 24.08 грн
5000+ 22.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BFU580GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товар відсутній
BFU580GXNXPDescription: NXP - BFU580GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU580G
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.76 грн
15+ 54.35 грн
100+ 40.41 грн
500+ 33.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFU580GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товар відсутній
BFU580GXNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 60mA; 1W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 11GHz
товар відсутній
BFU580GXNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 60mA; 1W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 11GHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BFU580GXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
на замовлення 7928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.98 грн
10+ 50.75 грн
25+ 48.17 грн
100+ 37.13 грн
250+ 34.7 грн
500+ 30.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
BFU580QXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 8.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
на замовлення 2111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.19 грн
10+ 57.65 грн
25+ 54.72 грн
100+ 42.19 грн
250+ 39.44 грн
500+ 34.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
BFU580QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
BFU580QXNXPDescription: NXP - BFU580QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 10.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.67 грн
500+ 36.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU580QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+63.12 грн
216+ 55.44 грн
246+ 48.76 грн
257+ 45 грн
500+ 39.35 грн
Мінімальне замовлення: 190
BFU580QXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 8.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.44 грн
2000+ 27.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BFU580QXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.9 грн
10+ 57.86 грн
100+ 39.82 грн
500+ 34.58 грн
1000+ 27.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
BFU580QXNXPDescription: NXP - BFU580QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 10.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.97 грн
13+ 61.32 грн
100+ 44.67 грн
500+ 36.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU580QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
BFU590GX
Код товару: 121346		Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-223
fT: 8,5 GHz
Uceo,V: 24 V
Ucbo,V: 24 V
Ic,A: 0,08 A
h21: 95
Монтаж: SMD
у наявності 80 шт:
70 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+42 грн
10+ 37.8 грн
BFU590GXNXPТранз. Бипол. ВЧ NPN SOT223 Uceo=12V; Ic=0,2A; f=8.5GHz; Pdmax=2W; hfe=60/130
на замовлення 591 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+56.98 грн
10+ 47.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
BFU590GXNXPDescription: NXP - BFU590GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.42 грн
10+ 77.42 грн
100+ 56.44 грн
500+ 44.36 грн
1000+ 31.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU590GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товар відсутній
BFU590GXNXPTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 BFU590GX TBFU590g
кількість в упаковці: 4 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
12+52.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
BFU590GXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 8dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V
Frequency - Transition: 8.5GHz
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
на замовлення 34460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.36 грн
10+ 72.68 грн
25+ 69.04 грн
100+ 53.2 грн
250+ 49.74 грн
500+ 43.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
BFU590GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+75.71 грн
160+ 75.07 грн
162+ 73.9 грн
250+ 70.13 грн
500+ 63.9 грн
1000+ 60.33 грн
Мінімальне замовлення: 159
BFU590GXNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 0.2A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8.5GHz
товар відсутній
BFU590GXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 25605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.37 грн
10+ 75.32 грн
100+ 50.59 грн
500+ 44.65 грн
1000+ 35.27 грн
2000+ 32.37 грн
5000+ 31.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
BFU590GX
на замовлення 20 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
BFU590GXNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 0.2A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8.5GHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BFU590GXNXPDescription: NXP - BFU590GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.44 грн
500+ 44.36 грн
1000+ 31.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU590GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+74.64 грн
10+ 70.3 грн
25+ 69.7 грн
100+ 66.17 грн
250+ 60.3 грн
500+ 56.96 грн
1000+ 56.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU590GXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 8dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V
Frequency - Transition: 8.5GHz
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.4 грн
2000+ 34.51 грн
5000+ 32.78 грн
10000+ 29.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BFU590GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+83.47 грн
158+ 76.09 грн
194+ 61.93 грн
207+ 55.87 грн
500+ 51.55 грн
1000+ 43.93 грн
Мінімальне замовлення: 144
BFU590GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товар відсутній
BFU590Q115NXPDescription: NXP - BFU590Q115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 99442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
663+57.29 грн
Мінімальне замовлення: 663
BFU590Q115NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
BFU590QXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 7018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.54 грн
10+ 67.78 грн
100+ 45.76 грн
500+ 41.68 грн
1000+ 32.99 грн
2000+ 30.71 грн
5000+ 29.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
BFU590QXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 6.5dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
на замовлення 3640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.13 грн
10+ 68.08 грн
25+ 64.58 грн
100+ 49.79 грн
250+ 46.54 грн
500+ 41.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+81.7 грн
11+ 55.52 грн
25+ 54.96 грн
100+ 48.96 грн
250+ 36.92 грн
500+ 35.09 грн
1000+ 27.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+68.4 грн
208+ 57.54 грн
241+ 49.76 грн
254+ 45.48 грн
500+ 39.44 грн
1000+ 35.47 грн
2000+ 33.5 грн
Мінімальне замовлення: 175
BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+36.83 грн
2000+ 33.95 грн
5000+ 33.13 грн
10000+ 30.2 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BFU590QXNXPDescription: NXP - BFU590QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BFU590QX
Код товару: 131638		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
BFU590QXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 6.5dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+35.93 грн
2000+ 32.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+59.79 грн
203+ 59.19 грн
219+ 54.68 грн
269+ 42.94 грн
500+ 39.36 грн
1000+ 29.75 грн
Мінімальне замовлення: 201
BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+39.58 грн
2000+ 36.49 грн
5000+ 35.61 грн
10000+ 32.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BFU590QXNXPDescription: NXP - BFU590QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+96.77 грн
10+ 78.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU610F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 3353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
593+20.2 грн
652+ 18.37 грн
658+ 18.19 грн
693+ 16.66 грн
1000+ 13.33 грн
3000+ 12.77 грн
Мінімальне замовлення: 593
BFU610F,115NXPDescription: NXP - BFU610F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 15 GHz, 136 mW, 10 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 15GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.95 грн
18+ 43.82 грн
Мінімальне замовлення: 15
BFU610F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товар відсутній
BFU610F,115
Код товару: 99602		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
BFU610F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 23.5dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU610F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 3353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+20.17 грн
32+ 18.76 грн
100+ 16.45 грн
250+ 15.08 грн
500+ 13.75 грн
1000+ 11.88 грн
3000+ 11.86 грн
Мінімальне замовлення: 30
BFU610F,115NXPDescription: NXP - BFU610F,115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1544+24.77 грн
Мінімальне замовлення: 1544
BFU610F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Single NPN 15GHz
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.18 грн
10+ 40.63 грн
100+ 26.36 грн
500+ 20.7 грн
1000+ 16.08 грн
3000+ 14.63 грн
9000+ 12.7 грн
Мінімальне замовлення: 7
BFU610F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товар відсутній
BFU610F,115NXPDescription: NXP - BFU610F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 15 GHz, 136 mW, 10 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 15GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU610F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 23.5dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
на замовлення 5793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+43.3 грн
10+ 36.16 грн
100+ 25.14 грн
500+ 18.42 грн
1000+ 14.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
BFU630F,115NXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 5.5V; 30mA; 200mW; SOT343F
Frequency: 55GHz
Collector-emitter voltage: 5.5V
Current gain: 90...180
Collector current: 30mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: SOT343F
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+45.68 грн
11+ 35.8 грн
39+ 22.07 грн
106+ 20.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFU630F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 22.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 12905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.34 грн
10+ 28.76 грн
100+ 19.92 грн
500+ 15.62 грн
1000+ 14.62 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFU630F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+89.61 грн
250+ 48.01 грн
294+ 40.79 грн
296+ 39.03 грн
500+ 31.15 грн
1000+ 25.89 грн
Мінімальне замовлення: 134
BFU630F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz
на замовлення 11838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.42 грн
10+ 43.89 грн
100+ 26.98 грн
500+ 22.5 грн
1000+ 19.25 грн
3000+ 16.84 грн
6000+ 16.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
BFU630F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 22.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU630F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товар відсутній
BFU630F,115NXPDescription: NXP - BFU630F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 200 mW, 30 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU630F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+45.63 грн
361+ 33.22 грн
364+ 32.88 грн
500+ 26.45 грн
1000+ 21.21 грн
3000+ 16.24 грн
Мінімальне замовлення: 263
BFU630F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товар відсутній
BFU630F,115NXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 5.5V; 30mA; 200mW; SOT343F
Frequency: 55GHz
Collector-emitter voltage: 5.5V
Current gain: 90...180
Collector current: 30mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: SOT343F
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+54.81 грн
10+ 44.61 грн
39+ 26.48 грн
106+ 25.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
BFU630F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+50.6 грн
14+ 42.83 грн
25+ 42.37 грн
100+ 29.74 грн
250+ 27.26 грн
500+ 21.83 грн
1000+ 18.91 грн
3000+ 15.08 грн
Мінімальне замовлення: 12
BFU630F,115NXPDescription: NXP - BFU630F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 200 mW, 30 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU660F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU660F,115NXPDescription: NXP - BFU660F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU660F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 21dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
товар відсутній
BFU660F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 15852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+23.91 грн
26+ 23.44 грн
100+ 22.38 грн
250+ 20.51 грн
500+ 19.49 грн
1000+ 19.28 грн
3000+ 19.08 грн
6000+ 18.88 грн
Мінімальне замовлення: 25
BFU660F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
товар відсутній
BFU660F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 15852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
475+25.24 грн
479+ 24.99 грн
484+ 24.74 грн
500+ 23.61 грн
1000+ 21.63 грн
3000+ 20.55 грн
6000+ 20.33 грн
15000+ 20.11 грн
Мінімальне замовлення: 475
BFU660F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
572+20.94 грн
575+ 20.84 грн
625+ 19.15 грн
1000+ 17.22 грн
2000+ 15.85 грн
3000+ 15.13 грн
Мінімальне замовлення: 572
BFU660F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 21dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
товар відсутній
BFU660F,115NXPDescription: NXP - BFU660F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU660F,115
Код товару: 99607		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
BFU660F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz
на замовлення 6464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.93 грн
11+ 30.4 грн
100+ 21.53 грн
500+ 18.56 грн
1000+ 16.84 грн
3000+ 15.11 грн
9000+ 12.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU660F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU668F,115NXP SemiconductorsBipolar Transistors - BJT NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 2137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BFU668F,115NXP USA Inc.Description: TRANSISTOR NPN SOT343F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Obsolete
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU668F,115NXP USA Inc.Description: TRANSISTOR NPN SOT343F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Obsolete
товар відсутній
BFU668F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.04A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товар відсутній
BFU690F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Single NPN 18GHz
на замовлення 23800 шт:
термін постачання 227-236 дні (днів)
7+48.71 грн
10+ 41.35 грн
100+ 26.85 грн
500+ 21.12 грн
1000+ 16.29 грн
3000+ 13.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
BFU690F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 18GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB ~ 18.5dB
Power - Max: 230mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 18GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.7dG @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU690F,115NXPDescription: NXP - BFU690F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 18 GHz, 490 mW, 70 mA, SOT-343F
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 90
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 490
Übergangsfrequenz ft: 18
Bauform - HF-Transistor: SOT-343F
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5.5
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48 грн
20+ 39.72 грн
100+ 29.65 грн
500+ 22.5 грн
1000+ 15.26 грн
Мінімальне замовлення: 17
BFU690F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.1A 490mW 4-Pin DFP T/R
товар відсутній
BFU690F,115
Код товару: 83917		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
BFU690F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.1A 490mW 4-Pin DFP T/R
товар відсутній
BFU690F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 18GHZ 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB ~ 18.5dB
Power - Max: 230mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 18GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.7dG @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.54 грн
10+ 37.53 грн
100+ 26.12 грн
500+ 19.14 грн
1000+ 15.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
BFU690F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.1A 490mW 4-Pin DFP T/R
товар відсутній
BFU690F,115NXPDescription: NXP - BFU690F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 18 GHz, 490 mW, 70 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 490
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: SOT-343F
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 70
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.65 грн
500+ 22.5 грн
1000+ 15.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU710F,115NXPDescription: NXP - BFU710F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 43 GHz, 136 mW, 2 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 43GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.95 грн
500+ 13.37 грн
1000+ 9.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU710F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товар відсутній
BFU710F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товар відсутній
BFU710F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 43GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU710F,115NXPDescription: NXP - BFU710F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 43 GHz, 136 mW, 2 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 43GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.72 грн
33+ 23.61 грн
100+ 16.95 грн
500+ 13.37 грн
1000+ 9.56 грн
Мінімальне замовлення: 28
BFU710F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 20407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+12.85 грн
100+ 12.84 грн
250+ 12.38 грн
500+ 11.46 грн
3000+ 10.99 грн
6000+ 10.98 грн
Мінімальне замовлення: 47
BFU710F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
на замовлення 2669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.95 грн
13+ 25.4 грн
100+ 17.12 грн
500+ 14.7 грн
1000+ 13.04 грн
3000+ 12.01 грн
9000+ 11.39 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFU710F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 43GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 9260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.81 грн
10+ 34.36 грн
100+ 23.84 грн
500+ 17.47 грн
1000+ 14.2 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU710F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 20407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
865+13.84 грн
866+ 13.82 грн
867+ 13.32 грн
3000+ 12.33 грн
6000+ 11.83 грн
15000+ 11.82 грн
Мінімальне замовлення: 865
BFU725FNXP2007 SOT343
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFU725F
Код товару: 85278		NXPТранзистори > ВЧ
Корпус: SOT-343
Частота: 55 GHz
товар відсутній
BFU725F T/RNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors TAPE-7 TNS-RFSS
товар відсутній
BFU725F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 70GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 24dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 70GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
товар відсутній
BFU725F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товар відсутній
BFU725F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors RF NPN Transistor
товар відсутній
BFU725F/N1NXPSOT343F
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFU725F/N1NXP SemiconductorsNXP Semiconductors BFU725F/DFP4//N1/REEL 7 Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товар відсутній
BFU725F/N1,115NXPDescription: NXP - BFU725F/N1,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 136 mW, 25 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 25mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 55GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.46 грн
500+ 17.83 грн
1000+ 11.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU725F/N1,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
товар відсутній
BFU725F/N1,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
товар відсутній
BFU725F/N1,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
895+13.38 грн
942+ 12.71 грн
952+ 12.58 грн
958+ 12.05 грн
1000+ 11.09 грн
3000+ 10.58 грн
Мінімальне замовлення: 895
BFU725F/N1,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 24dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 55GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-SO
Part Status: Active
на замовлення 3342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.33 грн
10+ 30.7 грн
100+ 21.31 грн
500+ 15.62 грн
1000+ 12.7 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU725F/N1,115NXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 2.8V; 40mA; 136mW; SOT343F
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: silicon germanium transistor (SiGe)
Case: SOT343F
Power dissipation: 136mW
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Frequency: 110GHz
Collector-emitter voltage: 2.8V
Current gain: 160...400
Collector current: 40mA
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+26.86 грн
25+ 22.64 грн
49+ 17.33 грн
135+ 16.32 грн
Мінімальне замовлення: 15
BFU725F/N1,115NXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 2.8V; 40mA; 136mW; SOT343F
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: silicon germanium transistor (SiGe)
Case: SOT343F
Power dissipation: 136mW
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Frequency: 110GHz
Collector-emitter voltage: 2.8V
Current gain: 160...400
Collector current: 40mA
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+32.24 грн
25+ 28.22 грн
49+ 20.79 грн
135+ 19.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFU725F/N1,115NXPDescription: NXP - BFU725F/N1,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 136 mW, 25 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 25mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 55GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+42.97 грн
22+ 36.54 грн
100+ 24.46 грн
500+ 17.83 грн
1000+ 11.61 грн
Мінімальне замовлення: 19
BFU725F/N1,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+11.7 грн
52+ 11.52 грн
100+ 11.09 грн
250+ 10.26 грн
500+ 9.84 грн
1000+ 9.83 грн
3000+ 9.82 грн
Мінімальне замовлення: 51
BFU725F/N1,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
на замовлення 2974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
620+19.32 грн
623+ 19.23 грн
697+ 17.19 грн
1000+ 15.98 грн
2000+ 14.72 грн
Мінімальне замовлення: 620
BFU725F/N1,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors 2.8V 0.04A 4-Pin Trans GP BJT NPN
на замовлення 4124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.74 грн
12+ 28.02 грн
100+ 17.81 грн
500+ 14.49 грн
1000+ 12.35 грн
3000+ 10.77 грн
9000+ 10.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU725F/N1,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 24dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 55GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-SO
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU725F/N1/S115NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
товар відсутній
BFU730F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 16364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+18.7 грн
34+ 17.47 грн
100+ 15 грн
250+ 13.86 грн
500+ 13.19 грн
1000+ 13.06 грн
3000+ 12.93 грн
6000+ 12.81 грн
Мінімальне замовлення: 32
BFU730F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
702+17.06 грн
706+ 16.95 грн
1000+ 16.75 грн
2000+ 16.06 грн
Мінімальне замовлення: 702
BFU730F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 197mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 2V
Frequency - Transition: 55GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 78919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.1 грн
11+ 26.67 грн
100+ 18.55 грн
500+ 13.59 грн
1000+ 11.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU730F,115NXPDescription: NXP - BFU730F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 197 mW, 5 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 55GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.19 грн
500+ 14.09 грн
1000+ 10.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU730F,115
Код товару: 99614		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
BFU730F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
на замовлення 20593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.74 грн
13+ 24.84 грн
100+ 16.77 грн
500+ 13.87 грн
1000+ 12.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU730F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товар відсутній
BFU730F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 197mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 2V
Frequency - Transition: 55GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU730F,115NXPDescription: NXP - BFU730F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 197 mW, 5 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 55GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.66 грн
30+ 26.4 грн
100+ 18.19 грн
500+ 14.09 грн
1000+ 10.02 грн
Мінімальне замовлення: 25
BFU730F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товар відсутній
BFU730F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 16364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
637+18.81 грн
715+ 16.75 грн
716+ 16.72 грн
723+ 15.98 грн
1000+ 14.65 грн
3000+ 13.93 грн
6000+ 13.79 грн
15000+ 13.66 грн
Мінімальне замовлення: 637
BFU730LXZNXPDescription: NXP - BFU730LXZ - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3 V, 53 GHz, 160 mW, 30 mA, SOT-883C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: SOT-883C
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 53GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+23.15 грн
40+ 19.66 грн
100+ 13.39 грн
500+ 9.92 грн
1000+ 7.43 грн
Мінімальне замовлення: 34
BFU730LXZNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 3V 0.03A 160mW 3-Pin DFN_C T/R
на замовлення 6350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
914+13.1 грн
Мінімальне замовлення: 914
BFU730LXZNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors SiGe:C MMIC Transistor
на замовлення 16122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.25 грн
15+ 22.46 грн
100+ 15.32 грн
500+ 11.73 грн
1000+ 9.94 грн
2500+ 9.66 грн
10000+ 9.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
BFU730LXZNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 3V 0.03A 160mW 3-Pin DFN_C T/R
товар відсутній
BFU730LXZNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 3V 0.03A 160mW 3-Pin DFN_C T/R
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+16.59 грн
39+ 15.39 грн
100+ 14.62 грн
250+ 13.33 грн
Мінімальне замовлення: 36
BFU730LXZNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 3V 53GHZ 3DFN1006
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 15.8dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 3V
Frequency - Transition: 53GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 6GHz
Supplier Device Package: DFN1006C-3
на замовлення 14688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.59 грн
11+ 28.04 грн
100+ 19.45 грн
500+ 14.26 грн
1000+ 11.59 грн
2000+ 10.36 грн
5000+ 9.67 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFU730LXZNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 3V 0.03A 160mW 3-Pin DFN_C T/R
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU730LXZNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 3V 53GHZ 3DFN1006
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 15.8dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 3V
Frequency - Transition: 53GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 6GHz
Supplier Device Package: DFN1006C-3
товар відсутній
BFU760F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товар відсутній
BFU760F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 38370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
620+19.32 грн
623+ 19.23 грн
697+ 17.19 грн
1000+ 15.98 грн
2000+ 14.72 грн
3000+ 13.69 грн
6000+ 13.16 грн
12000+ 12.64 грн
Мінімальне замовлення: 620
BFU760F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 45GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
товар відсутній
BFU760F,115NXPDescription: NXP - BFU760F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 45 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 155
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 155
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 220
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220
Bauform - Transistor: SOT-343F
Bauform - HF-Transistor: SOT-343F
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 2.8
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70
Übergangsfrequenz: 45
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+34.68 грн
28+ 28.49 грн
100+ 21.29 грн
500+ 16.75 грн
1000+ 11.02 грн
5000+ 10.82 грн
Мінімальне замовлення: 23
BFU760F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товар відсутній
BFU760F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+30.35 грн
492+ 24.36 грн
497+ 24.11 грн
621+ 18.6 грн
1000+ 14.05 грн
3000+ 11.79 грн
6000+ 10.43 грн
Мінімальне замовлення: 395
BFU760F,115NXPDescription: NXP - BFU760F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 45 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 220
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 155
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: SOT-343F
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 70
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.29 грн
500+ 16.75 грн
1000+ 11.02 грн
5000+ 10.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU760F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 45GHZ 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
товар відсутній
BFU760F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.22 грн
10+ 33.89 грн
100+ 20.5 грн
500+ 16.49 грн
1000+ 13.73 грн
3000+ 10.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU760F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+38.08 грн
21+ 28.46 грн
25+ 28.18 грн
100+ 21.81 грн
250+ 19.99 грн
500+ 15.35 грн
1000+ 12.53 грн
3000+ 10.95 грн
6000+ 9.69 грн
Мінімальне замовлення: 16
BFU768F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товар відсутній
BFU768F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 70MA 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.1dB
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
товар відсутній
BFU768F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors 4-pin Dual-Emitter Microwave Transistor
на замовлення 5224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.93 грн
13+ 26.19 грн
100+ 17.18 грн
500+ 13.66 грн
1000+ 11.11 грн
3000+ 8.63 грн
9000+ 8.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU768F,115NXPDescription: NXP - BFU768F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 110 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 70mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU768F
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 110GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.28 грн
500+ 14.23 грн
1000+ 10.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU768F,115NXP SemiconductorsDescription: BFU768F - NPN WIDEBAND SILICON G
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.1dB
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 110GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.2dB @ 5GHz ~ 5.9GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
товар відсутній
BFU768F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товар відсутній
BFU768F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товар відсутній
BFU768F,115NXPDescription: NXP - BFU768F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 110 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 70mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU768F
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 110GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+36.31 грн
28+ 28.64 грн
100+ 19.28 грн
500+ 14.23 грн
1000+ 10.88 грн
Мінімальне замовлення: 22
BFU768F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 70MA 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.1dB
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.61 грн
12+ 25.45 грн
100+ 17.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU768F115NXP USA Inc.Description: NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM R
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.1dB
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
товар відсутній
BFU768F115NXPDescription: NXP - BFU768F115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2493900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2196+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 2196
BFU790F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.1A 234mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
336+35.68 грн
338+ 35.49 грн
Мінімальне замовлення: 336
BFU790F,115NXPDescription: NXP - BFU790F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 25 GHz, 234 mW, 100 mA, SOT-343F
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8
Verlustleistung: 234
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 235
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: SOT-343F
Dauer-Kollektorstrom: 100
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
BFU790F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.1A 234mW 4-Pin DFP T/R
товар відсутній
BFU790F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 25GHZ 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 234mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 235 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 3669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.7 грн
10+ 54.64 грн
100+ 37.83 грн
500+ 29.66 грн
1000+ 25.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
BFU790F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.1A 234mW 4-Pin DFP T/R
товар відсутній
BFU790F,115NXPDescription: NXP - BFU790F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 25 GHz, 234 mW, 100 mA, SOT-343F
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 235
DC-Stromverstärkung hFE: 235
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 234
Verlustleistung: 234
Bauform - Transistor: SOT-343F
Bauform - HF-Transistor: SOT-343F
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 2.8
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100
Übergangsfrequenz: 25
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
BFU790F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 25GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 234mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 235 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
товар відсутній
BFU790F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.1A 234mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+35.3 грн
18+ 33.13 грн
25+ 32.96 грн
100+ 27.21 грн
250+ 20.98 грн
Мінімальне замовлення: 17
BFU790F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.41 грн
10+ 55.32 грн
100+ 32.78 грн
500+ 30.09 грн
1000+ 25.6 грн
3000+ 22.77 грн
6000+ 21.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
BFU910F115Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 227704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU910FXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 9.5V SOT343F
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.1 грн
13+ 23.08 грн
100+ 14.39 грн
500+ 9.24 грн
1000+ 7.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU910FXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 9.5V SOT343F
товар відсутній
BFU910FXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon germanium RF trans
товар відсутній
BFU910FXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 9.5V 0.015A 300mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товар відсутній