Продукція > BXT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BXT030N03CBRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 59A; Idm: 360A; 44.6W; PDFN56
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PDFN56
Gate charge: 66nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 360A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 59A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 44.6W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BXT030N03CBRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 59A; Idm: 360A; 44.6W; PDFN56
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PDFN56
Gate charge: 66nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 360A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 59A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 44.6W
товар відсутній
BXT040N03CBRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BXT040N03CBRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BXT047N03EBRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; PDFN33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Case: PDFN33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BXT047N03EBRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; PDFN33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Case: PDFN33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BXT071N04EBRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 23A; Idm: 140A; 42W; PDFN33
Mounting: SMD
Case: PDFN33
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8mΩ
Drain current: 23A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 140A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BXT071N04EBRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 23A; Idm: 140A; 42W; PDFN33
Mounting: SMD
Case: PDFN33
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8mΩ
Drain current: 23A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 140A
товар відсутній
BXT090N06BBRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 68A; 4.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 4.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 99nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BXT090N06BBRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 68A; 4.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 4.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 99nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BXT1000N06MBRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3
Mounting: SMD
Case: SOT23-3
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3157 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
50+6.87 грн
100+ 4.18 грн
330+ 3.1 грн
890+ 2.93 грн
12000+ 2.81 грн
Мінімальне замовлення: 50
BXT1000N06MBRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3
Mounting: SMD
Case: SOT23-3
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 3157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
70+5.73 грн
110+ 3.36 грн
330+ 2.59 грн
890+ 2.44 грн
Мінімальне замовлення: 70
BXT1150N10DBRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12.8A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BXT1150N10DBRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12.8A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BXT1150N10JBRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BXT1150N10JBRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BXT1700P06MBRIDGELUXCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -16A; 1.5W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: SOT23-3
Power dissipation: 1.5W
Gate charge: 22nC
Drain current: -2.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.17Ω
Pulsed drain current: -16A
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6285 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+15.98 грн
25+ 10.75 грн
100+ 6.9 грн
175+ 5.67 грн
480+ 5.36 грн
Мінімальне замовлення: 20
BXT1700P06MBRIDGELUXCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -16A; 1.5W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: SOT23-3
Power dissipation: 1.5W
Gate charge: 22nC
Drain current: -2.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.17Ω
Pulsed drain current: -16A
на замовлення 6285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+13.32 грн
45+ 8.63 грн
100+ 5.75 грн
175+ 4.73 грн
480+ 4.47 грн
Мінімальне замовлення: 30
BXT170N06DBRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 200A; 94W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 94W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BXT170N06DBRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 200A; 94W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 94W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BXT2-17TFOpto Diode CorpDescription: SENSOR PHOTODIO 4100-4300NM TO37
Packaging: Tray
Package / Case: TO-37-6 Metal Can
Wavelength: 4100nm ~ 4300nm
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Color - Enhanced: Infrared (NIR)
Responsivity @ nm: 120 KV/W @ 4100nm
Active Area: 1mm²
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18642.48 грн
10+ 17261.6 грн
BXT230P03BBRIDGELUXCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -40A; 3.9W; SOP8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.9W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3305 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+29.73 грн
12+ 23.65 грн
25+ 19.5 грн
100+ 15.61 грн
122+ 8.28 грн
335+ 7.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
BXT230P03BBRIDGELUXCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -40A; 3.9W; SOP8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.9W
на замовлення 3305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+24.77 грн
19+ 18.98 грн
25+ 16.25 грн
100+ 13.01 грн
122+ 6.9 грн
335+ 6.54 грн
Мінімальне замовлення: 16
BXT270N02MBRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 18A; 1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 7183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+23.23 грн
33+ 11.07 грн
47+ 7.76 грн
100+ 5.52 грн
250+ 2.76 грн
489+ 1.73 грн
1345+ 1.63 грн
Мінімальне замовлення: 17
BXT270N02MBRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 18A; 1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7183 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+27.87 грн
20+ 13.8 грн
28+ 9.32 грн
100+ 6.63 грн
250+ 3.31 грн
489+ 2.07 грн
1345+ 1.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
BXT2800N10MBRIDGELUXBXT2800N10M SMD N channel transistors
на замовлення 5390 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
38+7.52 грн
350+ 2.88 грн
960+ 2.73 грн
Мінімальне замовлення: 38
BXT280N02BBRIDGELUXCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4A; Idm: 24A; 1.6W; SOP8
Case: SOP8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 24A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
35+7.99 грн
50+ 6.16 грн
220+ 4.62 грн
605+ 4.37 грн
Мінімальне замовлення: 35
BXT280N02BBRIDGELUXCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4A; Idm: 24A; 1.6W; SOP8
Case: SOP8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 24A
Mounting: SMD
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
60+6.66 грн
75+ 4.95 грн
220+ 3.85 грн
605+ 3.64 грн
Мінімальне замовлення: 60
BXT2N7002BKBRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; Idm: 1.8A; 0.35W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 19810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
160+2.45 грн
225+ 1.61 грн
500+ 1.06 грн
905+ 0.94 грн
2485+ 0.88 грн
12000+ 0.84 грн
Мінімальне замовлення: 160
BXT2N7002BKBRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; Idm: 1.8A; 0.35W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 19810 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
95+2.94 грн
135+ 2.01 грн
500+ 1.28 грн
905+ 1.12 грн
2485+ 1.06 грн
12000+ 1.01 грн
Мінімальне замовлення: 95
BXT2S-28TOpto Diode CorpDescription: SENSOR PHOTODIOD 4300-4500NM TO8
Packaging: Tray
Package / Case: TO-8 Style, 6 Leads
Wavelength: 4300nm ~ 4500nm
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Color - Enhanced: Infrared (NIR)
Responsivity @ nm: 50 KV/W @ 4300nm, 75 KV/W @ 4500nm
Active Area: 4mm²
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20496.13 грн
10+ 18978.15 грн
BXT330N06DBRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 80A; 27.8W; TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
Gate charge: 24.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27.8W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BXT330N06D
Код товару: 197512		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BXT330N06DBRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 80A; 27.8W; TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
Gate charge: 24.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27.8W
товар відсутній
BXT3800P06MBRIDGELUXCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.1A; Idm: -12A; 1.2W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.2W
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.1A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
BXT3800P06MBRIDGELUXCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.1A; Idm: -12A; 1.2W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.2W
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.1A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BXT420N03MBRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A; 1.1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 5705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
150+2.66 грн
165+ 2.24 грн
495+ 1.72 грн
1355+ 1.62 грн
Мінімальне замовлення: 150
BXT420N03MBRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A; 1.1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5705 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
90+3.2 грн
100+ 2.79 грн
495+ 2.06 грн
1355+ 1.95 грн
12000+ 1.86 грн
Мінімальне замовлення: 90
BXT520P02MBRIDGELUXBXT520P02M SMD P channel transistors
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
41+6.89 грн
420+ 2.42 грн
1150+ 2.29 грн
Мінімальне замовлення: 41
BXT55C10-GS08VISHAY
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BXT600P03MBRIDGELUXCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -16.4A; 1.51W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23-3
On-state resistance: 85mΩ
Pulsed drain current: -16.4A
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -2.7A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 1.51W
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
15+19.51 грн
29+ 9.32 грн
42+ 6.21 грн
100+ 4.97 грн
250+ 4.44 грн
394+ 2.57 грн
1081+ 2.43 грн
Мінімальне замовлення: 15
BXT600P03MBRIDGELUXCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -16.4A; 1.51W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23-3
On-state resistance: 85mΩ
Pulsed drain current: -16.4A
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -2.7A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 1.51W
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+16.26 грн
49+ 7.48 грн
70+ 5.18 грн
100+ 4.14 грн
250+ 3.7 грн
394+ 2.14 грн
1081+ 2.03 грн
Мінімальне замовлення: 24
BXT848Omron Automation and SafetyDescription: DNJ CABLE
товар відсутній
BXT900P06DBRIDGELUXCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+40.26 грн
17+ 22.29 грн
25+ 18.98 грн
100+ 15.24 грн
102+ 8.34 грн
278+ 7.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
BXT900P06DBRIDGELUXCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+48.31 грн
10+ 27.77 грн
25+ 22.77 грн
100+ 18.29 грн
102+ 10.01 грн
278+ 9.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
BXTM-26747-D53KnowlesMicrophones MICROPHONE
товар відсутній
BXTM-26747-D53KnowlesDescription: MIC COND ANALOG OMNI -55.5DB
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BXTS13AIntelHeat Sinks
товар відсутній
BXTS13A 937425IntelThermal Solution BXTS13A, Retail Box
товар відсутній
BXTS13A 937425IntelHeat Sinks BOXED THERMAL
товар відсутній
BXTS13XIntelHeat Sinks
товар відсутній
BXTS15AIntelCPU & Chip Coolers Intel Thermal Solution BXTS15A, Retail Box
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4099.03 грн
10+ 3759.52 грн
25+ 2942.72 грн
50+ 2697.03 грн
100+ 2533.47 грн
250+ 2206.35 грн
500+ 2124.91 грн
BXTSRS1IntelIntel Intel Laminar RS1 Cooler, Bulk
товар відсутній