НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DZT2222A-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.59 грн
1000+ 4.24 грн
Мінімальне замовлення: 500
DZT2222A-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 46960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.14 грн
19+ 15.31 грн
100+ 7.75 грн
500+ 5.93 грн
1000+ 4.4 грн
Мінімальне замовлення: 13
DZT2222A-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DZT2222A-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+4.1 грн
5000+ 3.77 грн
12500+ 3.26 грн
25000+ 3 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DZT2222A-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+27.25 грн
52+ 14.94 грн
110+ 7.08 грн
500+ 5.59 грн
1000+ 4.24 грн
Мінімальне замовлення: 29
DZT2222A-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W 40V
на замовлення 44741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.72 грн
24+ 13.49 грн
100+ 4.76 грн
1000+ 3.86 грн
2500+ 3.11 грн
10000+ 2.83 грн
25000+ 2.62 грн
Мінімальне замовлення: 14
DZT2907A-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DZT2907A-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZT2907A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.63 грн
500+ 10.28 грн
1000+ 6.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
DZT2907A-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.2A; 1W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
товар відсутній
DZT2907A-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W -60V
на замовлення 10852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.42 грн
17+ 19.6 грн
100+ 7.04 грн
1000+ 5.8 грн
Мінімальне замовлення: 12
DZT2907A-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 101555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.88 грн
17+ 17.9 грн
100+ 9.04 грн
500+ 6.92 грн
1000+ 5.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
DZT2907A-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.2A; 1W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DZT2907A-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+4.78 грн
5000+ 4.4 грн
12500+ 3.81 грн
25000+ 3.51 грн
62500+ 2.9 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DZT2907A-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZT2907A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+29.73 грн
33+ 24.15 грн
100+ 14.63 грн
500+ 10.28 грн
1000+ 6.44 грн
Мінімальне замовлення: 27
DZT3150-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W 25V 5A
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DZT3150-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 25V 5A SOT-223
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DZT3150-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 25V 5A SOT-223
на замовлення 3931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DZT3150-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 25V 5A SOT-223
на замовлення 3931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DZT3150-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 25V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DZT491-13DIODES09+ BGA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DZT491-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 1A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
DZT491-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W 60V
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DZT491-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 1A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
DZT5401Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
DZT5401onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
DZT5401-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 150V 0.6A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.24 грн
5000+ 8.45 грн
12500+ 7.84 грн
25000+ 7.19 грн
62500+ 7.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DZT5401-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DZT5401-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZT5401-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.03 грн
500+ 12.36 грн
1000+ 7.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
DZT5401-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DZT5401-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW -150Vceo
на замовлення 4569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.95 грн
13+ 24.6 грн
100+ 15.18 грн
500+ 11.87 грн
1000+ 9.66 грн
2500+ 8.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
DZT5401-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DZT5401-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DZT5401-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DZT5401-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZT5401-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.06 грн
29+ 26.94 грн
100+ 17.03 грн
500+ 12.36 грн
1000+ 7.96 грн
Мінімальне замовлення: 24
DZT5401-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 150V 0.6A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 77252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.62 грн
13+ 22.57 грн
100+ 15.69 грн
500+ 11.49 грн
1000+ 9.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
DZT5401-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DZT5401-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
509+23.52 грн
637+ 18.79 грн
651+ 18.4 грн
785+ 14.72 грн
1047+ 10.21 грн
Мінімальне замовлення: 509
DZT5401-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+28.42 грн
27+ 22.15 грн
28+ 21.84 грн
100+ 16.83 грн
250+ 15.26 грн
500+ 12.15 грн
1000+ 9.1 грн
Мінімальне замовлення: 21
DZT5551Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
DZT5551DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.03 грн
500+ 12.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
DZT5551onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
DZT5551DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.06 грн
29+ 27.25 грн
100+ 17.03 грн
500+ 12.36 грн
Мінімальне замовлення: 24
DZT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+28.56 грн
25+ 24.49 грн
47+ 12.73 грн
Мінімальне замовлення: 21
DZT5551-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DZT5551-13
Код товару: 131145
Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
DZT5551-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW 160Vceo
на замовлення 22489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.23 грн
13+ 25.08 грн
100+ 16.29 грн
500+ 12.77 грн
1000+ 9.87 грн
2500+ 8.97 грн
10000+ 8.28 грн
Мінімальне замовлення: 12
DZT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.36 грн
5000+ 8.55 грн
10000+ 7.96 грн
15000+ 7.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DZT5551-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 752500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.37 грн
5000+ 8.57 грн
12500+ 7.95 грн
25000+ 7.29 грн
62500+ 7.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DZT5551-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZT5551-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160V
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 600mA
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.03 грн
500+ 12.36 грн
1000+ 9.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
DZT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DZT5551-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 2W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 80...250
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT223
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DZT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DZT5551-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 753991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.62 грн
13+ 22.86 грн
100+ 15.9 грн
500+ 11.66 грн
1000+ 9.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
DZT5551-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZT5551-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+27.25 грн
50+ 22.14 грн
100+ 17.03 грн
500+ 12.36 грн
1000+ 9.09 грн
Мінімальне замовлення: 29
DZT5551-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 2W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 80...250
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT223
Frequency: 300MHz
товар відсутній
DZT5551Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DZT5551Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZT5551Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.26 грн
23+ 34.06 грн
100+ 21.29 грн
500+ 15.46 грн
Мінімальне замовлення: 19
DZT5551Q-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DZT5551Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DZT5551Q-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DZT5551Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZT5551Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.29 грн
500+ 15.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
DZT5551Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor
на замовлення 4671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.44 грн
11+ 31.35 грн
100+ 18.98 грн
500+ 14.84 грн
1000+ 12.08 грн
2500+ 9.66 грн
10000+ 9.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
DZT5551Q-13-52Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DZT591CDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
DZT591Consemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
DZT591C-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 1A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
DZT591C-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 60V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DZT591C-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W -60V
товар відсутній
DZT591C-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 1A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
DZT651-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT NPN 1W
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DZT651-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT-223
на замовлення 133877500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DZT651-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT-223
на замовлення 125007500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DZT651-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT-223
на замовлення 133877500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DZT658Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
DZT658-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 400V 0.5A SOT223-3
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.83 грн
10+ 29.55 грн
100+ 22.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
DZT658-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DZT658-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT NPN 1W
товар відсутній
DZT658-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 400V 0.5A SOT223-3
товар відсутній
DZT658-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DZT658-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+21.57 грн
35+ 17.25 грн
100+ 11.67 грн
250+ 10.15 грн
500+ 8.22 грн
1000+ 6.77 грн
Мінімальне замовлення: 28
DZT658-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DZT658-13onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
DZT751-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3A SOT-223
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.85 грн
11+ 27.32 грн
100+ 20.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
DZT751-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT PNP 1W
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DZT751-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3A SOT-223
товар відсутній
DZT851-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W 60V 6A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.48 грн
10+ 36.51 грн
100+ 23.67 грн
500+ 18.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
DZT851-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DZT851-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
DZT851-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
DZT853-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 6A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
DZT853-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W 100V 6A
на замовлення 7330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DZT853-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 6A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
DZT951-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W -60V -5A
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.47 грн
10+ 41.75 грн
100+ 27.88 грн
500+ 22.08 грн
1000+ 17.67 грн
2500+ 15.87 грн
5000+ 14.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
DZT951-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 5A SOT-223
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.54 грн
10+ 38.53 грн
100+ 29.52 грн
500+ 21.9 грн
1000+ 17.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
DZT951-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 5A SOT-223
товар відсутній
DZT953-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DZT953-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 5A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
DZT953-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 5A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
DZT953-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W -100V -5A
товар відсутній
DZT955-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 140V 4A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
DZT955-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT PNP 1W
товар відсутній
DZT955-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 140V 4A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
DZTA14PHILIPS
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DZTA42DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZTA42 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+27.41 грн
34+ 23.15 грн
100+ 17.26 грн
500+ 12.65 грн
1000+ 9.02 грн
Мінімальне замовлення: 29
DZTA42DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZTA42 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.26 грн
500+ 12.65 грн
1000+ 9.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
DZTA42-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W 300V
на замовлення 11986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.59 грн
11+ 29.68 грн
100+ 19.25 грн
500+ 15.18 грн
1000+ 11.73 грн
2500+ 10.63 грн
5000+ 9.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
DZTA42-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 300V 0.5A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 94772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.85 грн
11+ 27.25 грн
100+ 20.33 грн
500+ 14.99 грн
1000+ 11.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
DZTA42-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
товар відсутній
DZTA42-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DZTA42-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 300V 0.5A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 92500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.69 грн
5000+ 10.53 грн
12500+ 9.8 грн
25000+ 8.72 грн
62500+ 8.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DZTA42-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
товар відсутній
DZTA42Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 300V 500MA SOT223
товар відсутній
DZTA42Q-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
товар відсутній
DZTA42Q-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DZTA42Q-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
товар відсутній
DZTA42Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.45 грн
10+ 33.57 грн
100+ 21.81 грн
500+ 17.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
DZTA92-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZTA92-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+36.31 грн
26+ 30.5 грн
100+ 18.97 грн
500+ 13.73 грн
1000+ 8.83 грн
Мінімальне замовлення: 22
DZTA92-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 300V 0.5A SOT-223
товар відсутній
DZTA92-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W -300V
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DZTA92-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DZTA92-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZTA92-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.97 грн
500+ 13.73 грн
1000+ 8.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
DZTA92-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+32.67 грн
23+ 26.81 грн
25+ 26.54 грн
100+ 18.71 грн
250+ 11.2 грн
Мінімальне замовлення: 19
DZTA92-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 300V 0.5A SOT-223
товар відсутній
DZTA92-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DZTA92-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+28.09 грн
24+ 25.15 грн
100+ 20.92 грн
Мінімальне замовлення: 22