НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IHW15N120E1Infineon / IRIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+214.27 грн
67+ 180.52 грн
71+ 170.55 грн
100+ 141.23 грн
Мінімальне замовлення: 56
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+171.21 грн
10+ 149.45 грн
25+ 142.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW15N120E1XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW15N120E1XKSA1 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 156 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.29 грн
10+ 158.71 грн
100+ 120.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW15N120E1XKSA1
Код товару: 185295
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+198.96 грн
10+ 167.63 грн
25+ 158.37 грн
100+ 131.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW15N120E1XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 1450ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 62.2W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 90nC
Turn-on time: 1940ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.72 грн
7+ 130.84 грн
18+ 123.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW15N120E1XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 1450ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 62.2W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 90nC
Turn-on time: 1940ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+223.89 грн
3+ 195.29 грн
7+ 157 грн
18+ 148.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 3322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.51 грн
10+ 192.86 грн
25+ 138.72 грн
100+ 118.7 грн
240+ 116.63 грн
480+ 105.59 грн
1200+ 89.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: NPT and Trench
Switching Energy: 300µJ (off)
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.11 грн
30+ 145.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120RInfineon TechnologiesIGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 15A
товар відсутній
IHW15N120R2INFINEONMODULE
на замовлення 100084 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW15N120R2Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 30A 357W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/282ns
Switching Energy: 900µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 14.8Ohm, 15V
Gate Charge: 133 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 357 W
товар відсутній
IHW15N120R2Infineon TechnologiesIGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 15A
товар відсутній
IHW15N120R2FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors
товар відсутній
IHW15N120R3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+239.94 грн
10+ 198.41 грн
25+ 162.87 грн
100+ 139.41 грн
240+ 123.53 грн
1200+ 105.59 грн
5040+ 104.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120R3Infineon30A; 1200V; 254W; IGBT w/ Diode IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3 TIHW15n120r3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+105.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
IHW15N120R3
Код товару: 140007
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW15N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+155.04 грн
10+ 153.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW15N120R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/300ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.71 грн
30+ 171 грн
120+ 146.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120R3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 127W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+255.48 грн
3+ 212.79 грн
6+ 163.19 грн
15+ 154.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW15N120R3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 127W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+306.58 грн
3+ 265.17 грн
6+ 195.82 грн
15+ 185.47 грн
IHW15N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+168.52 грн
86+ 140.6 грн
Мінімальне замовлення: 72
IHW15N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW15N120R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.34 грн
10+ 202.38 грн
25+ 156.66 грн
100+ 139.41 грн
240+ 105.59 грн
1200+ 100.07 грн
2640+ 99.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW15N120R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW15N120R3FKSA1 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 254 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+259.35 грн
10+ 182.71 грн
100+ 161.03 грн
500+ 130.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW15T120INF07+;
на замовлення 13680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW15T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 113000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW15T120FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 30A 113W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns
Switching Energy: 2.7mJ
Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 113 W
товар відсутній
IHW20N120RInfineon TechnologiesIGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 20A
товар відсутній
IHW20N120R2INFINEON07+ SOP20
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW20N120R2Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 40A 330W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/359ns
Switching Energy: 1.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 143 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 330 W
товар відсутній
IHW20N120R2INFINEON
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW20N120R2INFINEONMODULE
на замовлення 100059 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW20N120R2Infineon TechnologiesIGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 20A
товар відсутній
IHW20N120R2 (маркування H20R1202)
Код товару: 105788
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW20N120R2FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors
товар відсутній
IHW20N120R3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body
товар відсутній
IHW20N120R3 (маркування H20R1203)
Код товару: 83109
InfineonТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Vces: 1200 V
Vce: 1,48 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 310 W
товар відсутній
IHW20N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 310000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N120R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW20N120R3FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.48 V, 310 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.48
DC-Kollektorstrom: 40
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 310
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IHW20N120R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body
товар відсутній
IHW20N120R3FKSA1
Код товару: 118248
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW20N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 310000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N120R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 40A 310W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/387ns
Switching Energy: 950µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 211 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 310 W
товар відсутній
IHW20N120R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.99 грн
10+ 240.48 грн
25+ 169.08 грн
100+ 144.93 грн
240+ 142.86 грн
480+ 110.42 грн
1200+ 106.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N120R5Infineon technologies
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW20N120R5Infineon TechnologiesDescription: IHW20N120 - DISCRETE IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/260ns
Switching Energy: -, 750µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 288 W
товар відсутній
IHW20N120R5Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+341.7 грн
37+ 327.02 грн
50+ 314.56 грн
100+ 293.03 грн
Мінімальне замовлення: 36
IHW20N120R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW20N120R5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.55 V, 288 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 288W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+282.58 грн
10+ 198.97 грн
100+ 130.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW20N120R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+335.38 грн
3+ 291.15 грн
5+ 214.8 грн
13+ 202.73 грн
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/260ns
Switching Energy: 750µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 288 W
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.92 грн
30+ 177.59 грн
120+ 152.21 грн
510+ 126.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+198.43 грн
70+ 171.51 грн
100+ 163.53 грн
Мінімальне замовлення: 61
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+243.56 грн
10+ 241.11 грн
25+ 193.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 46080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+159.76 грн
Мінімальне замовлення: 240
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW20N120R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.48 грн
3+ 233.64 грн
5+ 179 грн
13+ 168.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N135R3
Код товару: 133097
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW20N135R3Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 310mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+161.71 грн
78+ 153.58 грн
100+ 151.55 грн
Мінімальне замовлення: 74
IHW20N135R3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+373.59 грн
10+ 309.52 грн
25+ 253.28 грн
100+ 199.45 грн
240+ 189.79 грн
480+ 178.05 грн
1200+ 171.15 грн
IHW20N135R3Infineon40A; 1350V; 310W; IGBT w/ Diode   IHW20N135R3 TIHW20n135r3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+157.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
IHW20N135R3Infineon TechnologiesDescription: REVERSE CONDUCTING IGBT W/MONOLT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/335ns
Switching Energy: -, 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 195 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 310 W
товар відсутній
IHW20N135R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товар відсутній
IHW20N135R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 310000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N135R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1350V 20A 310W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/335ns
Switching Energy: 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 195 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 310 W
товар відсутній
IHW20N135R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW20N135R3FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.6 V, 310 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
DC-Kollektorstrom: 40
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.35
Verlustleistung Pd: 310
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP™
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IHW20N135R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1350V 20A 310W TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/335ns
Switching Energy: 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 195 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 310 W
на замовлення 13692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+159.37 грн
Мінімальне замовлення: 132
IHW20N135R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 310000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+364.45 грн
10+ 309.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N135R5Infineon technologies
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW20N135R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+272.95 грн
10+ 226.19 грн
25+ 185.65 грн
100+ 159.42 грн
240+ 149.76 грн
480+ 140.79 грн
1200+ 120.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N135R5 транзистор IGBT 40A ( IHW20N135R5XKSA1)
Код товару: 162475
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW20N135R5XKSAInfineon TechnologiesDescription: REVERSE CONDUCTING IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/235ns
Switching Energy: 950µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 288 W
товар відсутній
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1350V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/235ns
Switching Energy: 950µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 288 W
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.57 грн
30+ 194.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+256.84 грн
10+ 246.03 грн
25+ 178.05 грн
100+ 159.42 грн
240+ 149.76 грн
480+ 144.24 грн
1200+ 113.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N135R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW20N135R5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 288 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 288W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+291.09 грн
10+ 208.26 грн
100+ 162.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW20N135R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+387.09 грн
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+189.18 грн
10+ 186.22 грн
25+ 168.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 288000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+111.68 грн
112+ 107.69 грн
Мінімальне замовлення: 108
IHW20N135R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+306.58 грн
3+ 265.17 грн
6+ 195.82 грн
15+ 185.47 грн
IHW20N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1400V 40A 211W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesHOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW20N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1400V 40A 211W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+203.33 грн
10+ 171.78 грн
25+ 162.37 грн
30+ 154.36 грн
100+ 124.34 грн
120+ 116.7 грн
240+ 111.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW20N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesDescription: HOME APPLIANCES 14
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-44
Td (on/off) @ 25°C: -/150ns
Switching Energy: -, 70µJ (off)
Test Condition: 25V, 20A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 211 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.82 грн
30+ 152.84 грн
120+ 130.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.53 грн
10+ 173.02 грн
25+ 142.17 грн
100+ 121.46 грн
240+ 114.56 грн
480+ 106.97 грн
1200+ 91.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1400V 40A 211W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+218.97 грн
65+ 184.99 грн
69+ 174.86 грн
70+ 166.23 грн
100+ 133.9 грн
120+ 125.68 грн
240+ 120.41 грн
Мінімальне замовлення: 55
IHW20N65R5Infineon TechnologiesDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 82 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/250ns
Switching Energy: 540µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
товар відсутній
IHW20N65R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.34 грн
10+ 166.67 грн
100+ 91.79 грн
240+ 91.1 грн
480+ 78.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+120.87 грн
Мінімальне замовлення: 240
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW20N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 257ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 240 шт
товар відсутній
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N65R5XKSA1
Код товару: 182097
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+134.62 грн
92+ 130.63 грн
Мінімальне замовлення: 89
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/250ns
Switching Energy: 300µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.59 грн
30+ 151.64 грн
120+ 124.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N65R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW20N65R5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 150 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.8 грн
10+ 172.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 257ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW20T120Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 20A
товар відсутній
IHW20T120INF07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW20T120FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 40A 178W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 28Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 178 W
товар відсутній
IHW25N120MODULE
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW25N120E1Infineon / IRIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW25N120E1XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 92.4W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 2004ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+145.26 грн
10+ 135.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW25N120E1XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW25N120E1XKSA1 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 231 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+250.84 грн
10+ 188.9 грн
100+ 126.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+162.42 грн
79+ 151.57 грн
80+ 150.53 грн
100+ 133.69 грн
Мінімальне замовлення: 74
IHW25N120E1XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 92.4W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 2004ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.66 грн
10+ 211.11 грн
25+ 155.97 грн
100+ 138.03 грн
480+ 109.04 грн
1200+ 102.83 грн
2640+ 102.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+150.81 грн
10+ 140.74 грн
25+ 139.78 грн
100+ 124.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: NPT and Trench
Switching Energy: 800µJ (off)
Gate Charge: 147 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 231 W
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.93 грн
30+ 175.58 грн
120+ 150.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW25N120R2Infineon TechnologiesIGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 25A
товар відсутній
IHW25N120R2Infineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW25N120R2FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 50A 365W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: -/324ns
Switching Energy: 1.59mJ
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 60.7 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 365 W
товар відсутній
IHW25N120R2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 365000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW25N120R2FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW25N120R2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 365000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW25N120R2FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW25N120R2FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 365 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 365
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IHW25N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1400V 68A TO247-44
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-44
Td (on/off) @ 25°C: -/195ns
Switching Energy: -, 110µJ (off)
Test Condition: 25V, 25A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 246 W
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.52 грн
30+ 160.62 грн
120+ 137.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW25N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.69 грн
10+ 192.86 грн
25+ 158.04 грн
100+ 135.27 грн
240+ 127.67 грн
480+ 120.08 грн
1200+ 102.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW25N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesHOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW30N100RInfineon TechnologiesDescription: IGBT 1000V 60A 412W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/846ns
Switching Energy: 2.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 209 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 412 W
товар відсутній
IHW30N100TINFINEONMODULE
на замовлення 100059 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW30N100TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 412000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N100TFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1000V 60A 412W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/546ns
Switching Energy: 1.6mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 217 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 412 W
товар відсутній
IHW30N110R3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+351.85 грн
10+ 311.9 грн
25+ 256.73 грн
100+ 222.22 грн
240+ 210.49 грн
480+ 189.1 грн
1200+ 173.22 грн
IHW30N110R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+154.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW30N110R3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.1kV; 30A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.1kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 470ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+326.71 грн
3+ 267.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N110R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW30N110R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N110R3FKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 333 W, 1.1 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.1kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+273.29 грн
10+ 192.77 грн
100+ 146.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N110R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+351.85 грн
10+ 311.9 грн
25+ 256.73 грн
100+ 247.76 грн
240+ 210.49 грн
480+ 189.1 грн
1200+ 173.22 грн
IHW30N110R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N110R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 1100V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/350ns
Switching Energy: 1.15mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1100 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 333 W
товар відсутній
IHW30N110R3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.1kV; 30A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.1kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 470ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+392.05 грн
3+ 333.25 грн
4+ 279.5 грн
10+ 263.97 грн
IHW30N110R3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TO-247-3
Packaging: Tube
Part Status: Active
товар відсутній
IHW30N110R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/350ns
Gate Charge: 240 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 330 W
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.3 грн
30+ 197.43 грн
120+ 169.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N110R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N110R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 330 W, 1.1 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.1kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+382.45 грн
10+ 309.67 грн
25+ 266.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N110R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+188.27 грн
Мінімальне замовлення: 240
IHW30N110R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+272.95 грн
10+ 226.19 грн
25+ 185.65 грн
100+ 159.42 грн
240+ 149.76 грн
480+ 140.79 грн
1200+ 120.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N110R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N110R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N110R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+265.24 грн
51+ 236.52 грн
53+ 221.62 грн
100+ 182.41 грн
Мінімальне замовлення: 46
IHW30N110R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+246.3 грн
10+ 219.78 грн
25+ 219.63 грн
50+ 205.79 грн
100+ 169.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N120RInfineon TechnologiesIGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 30A
товар відсутній
IHW30N120R2Infineon TechnologiesIGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 30A
товар відсутній
IHW30N120R2INFINEONMODULE
на замовлення 100152 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW30N120R2Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 60A 390W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/792ns
Switching Energy: 3.1mJ
Test Condition: 600V, 30A, 28Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 390 W
товар відсутній
IHW30N120R3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
товар відсутній
IHW30N120R3Infineon technologies
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW30N120R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 60A 349W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Td (on/off) @ 25°C: -/326ns
Switching Energy: 1.47mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 263 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 349 W
товар відсутній
IHW30N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 349mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+341.45 грн
37+ 328.7 грн
38+ 319.43 грн
50+ 299.35 грн
100+ 271.12 грн
Мінімальне замовлення: 36
IHW30N120R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
товар відсутній
IHW30N120R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N120R3FKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 349
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP™
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IHW30N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 349mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+317.06 грн
10+ 305.22 грн
25+ 296.61 грн
50+ 277.97 грн
100+ 251.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N120R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+209.26 грн
10+ 191.18 грн
25+ 179.7 грн
100+ 161.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N120R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N120R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+395.61 грн
10+ 318.96 грн
25+ 202.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N120R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 363ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW30N120R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 363ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+225.36 грн
59+ 205.89 грн
62+ 193.53 грн
100+ 173.92 грн
Мінімальне замовлення: 54
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+281.8 грн
25+ 219.84 грн
100+ 164.25 грн
480+ 141.48 грн
1200+ 114.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/330ns
Switching Energy: 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 330 W
товар відсутній
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+408.87 грн
46+ 260.38 грн
57+ 210.54 грн
Мінімальне замовлення: 30
IHW30N135R3
Код товару: 187683
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW30N135R3Infineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW30N135R3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+382.45 грн
10+ 316.67 грн
25+ 260.18 грн
100+ 222.91 грн
240+ 210.49 грн
480+ 198.07 грн
1200+ 175.98 грн
IHW30N135R3Infineon TechnologiesDescription: REVERSE CONDUCTING IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/337ns
Switching Energy: 1.93mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 263 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 349 W
товар відсутній
IHW30N135R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+342.99 грн
10+ 291.27 грн
25+ 241.55 грн
100+ 212.56 грн
240+ 202.9 грн
480+ 193.24 грн
1200+ 175.98 грн
IHW30N135R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1350V 60A 349W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/337ns
Switching Energy: 1.93mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 263 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 349 W
товар відсутній
IHW30N135R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N135R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW30N135R3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 175W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 175W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 263nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 510ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW30N135R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+96.3 грн
9+ 70.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
IHW30N135R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N135R3FKSA1 - IGBT, 60 A, 1.65 V, 349 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+366.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N135R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+159.78 грн
10+ 158.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+272.14 грн
10+ 265.87 грн
25+ 189.79 грн
100+ 169.77 грн
240+ 169.08 грн
480+ 133.2 грн
1200+ 125.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+183.48 грн
68+ 178.49 грн
Мінімальне замовлення: 66
IHW30N135R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N135R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.65 V, 330 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+305.8 грн
10+ 222.97 грн
100+ 154.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/310ns
Switching Energy: 1.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 330 W
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.19 грн
50+ 215.48 грн
100+ 184.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N135R5XKSA1
Код товару: 183681
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+174.96 грн
10+ 173.48 грн
25+ 161.93 грн
100+ 145.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+240.6 грн
10+ 235.36 грн
25+ 203.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N135R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 165W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Kind of package: tube
Power dissipation: 165W
Gate charge: 235nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
Turn-off time: 680ns
Type of transistor: IGBT
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.29 грн
3+ 228.61 грн
5+ 175.41 грн
14+ 165.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N135R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 165W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Kind of package: tube
Power dissipation: 165W
Gate charge: 235nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
Turn-off time: 680ns
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+327.94 грн
3+ 284.88 грн
5+ 210.49 грн
14+ 198.41 грн
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+188.42 грн
65+ 186.83 грн
69+ 174.38 грн
100+ 156.77 грн
Мінімальне замовлення: 64
IHW30N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1400V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+177.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW30N140R5LXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N140R5LXKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 306 W, 1.4 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.4kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+385.54 грн
10+ 343.74 грн
100+ 289.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1400V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+191.1 грн
Мінімальне замовлення: 63
IHW30N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1400V 80A TO247-44
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-44
Td (on/off) @ 25°C: -/175ns
Switching Energy: -, 140µJ (off)
Test Condition: 25V, 30A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 306 W
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.46 грн
30+ 212.5 грн
120+ 182.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesHOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW30N140R5LXKSA1
Код товару: 196050
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW30N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1400V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+298.71 грн
10+ 247.62 грн
25+ 202.9 грн
100+ 173.91 грн
240+ 163.56 грн
480+ 153.9 грн
1200+ 131.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N160R2Infineon TechnologiesIGBT Transistors RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
товар відсутній
IHW30N160R2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 30A; 312W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 312W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 675ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW30N160R2
Код товару: 53306
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW30N160R2FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
товар відсутній
IHW30N160R2FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N160R2FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.1 V, 312 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.1
Verlustleistung Pd: 312
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.6
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 30
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
IHW30N160R2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+450.46 грн
10+ 406.67 грн
50+ 381.8 грн
100+ 346.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N160R2FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1600V 60A 312W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/525ns
Switching Energy: 4.37mJ
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 312 W
товар відсутній
IHW30N160R2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N160R5Infineon TechnologiesReverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+467.83 грн
27+ 447.73 грн
50+ 430.67 грн
100+ 401.2 грн
Мінімальне замовлення: 26
IHW30N160R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW30N160R5FKSA1Infineon TechnologiesIHW30N160R5FKSA1
товар відсутній
IHW30N160R5FKSA1Infineon TechnologiesIHW30N160R5FKSA1
товар відсутній
IHW30N160R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 411ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+455.99 грн
3+ 291.87 грн
8+ 275.33 грн
IHW30N160R5XKSA1InfineonReverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5 TIHW30n160r5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+320.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N160R5XKSA1Infineon TechnologiesReverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
товар відсутній
IHW30N160R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+365.54 грн
10+ 340.48 грн
25+ 248.45 грн
100+ 213.25 грн
240+ 212.56 грн
480+ 161.49 грн
1200+ 152.52 грн
IHW30N160R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N160R5XKSA1 - IGBT, 30 A, 1.85 V, 263 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Resonant Switching Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.6kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+436.64 грн
10+ 313.54 грн
100+ 237.67 грн
500+ 212.79 грн
1000+ 188.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N160R5XKSA1Infineon TechnologiesReverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
на замовлення 4503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+404.84 грн
35+ 342.02 грн
50+ 260.26 грн
100+ 250 грн
200+ 218.13 грн
960+ 184.62 грн
1920+ 172.65 грн
Мінімальне замовлення: 30
IHW30N160R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/290ns
Switching Energy: -, 350µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 205 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 263 W
на замовлення 9196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+341.17 грн
30+ 260.48 грн
120+ 223.26 грн
510+ 186.24 грн
1020+ 159.47 грн
2010+ 150.16 грн
IHW30N160R5XKSA1Infineon TechnologiesReverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
товар відсутній
IHW30N160R5XKSA1
Код товару: 180199
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW30N160R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 411ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+547.19 грн
3+ 363.71 грн
8+ 330.4 грн
IHW30N160R5XKSA1Infineon TechnologiesReverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
товар відсутній
IHW30N160R5XKSA1; Reverse conducting IGBT+диод; 39A; 1600V; 131,5W; Корпус: TO-247; Infineon
на замовлення 17 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+335.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N60TInfineon TechnologiesDescription: IHW30N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
товар відсутній
IHW30N60TMODULE
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW30N60TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IHW30N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N60TFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 60A 187W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
товар відсутній
IHW30N65R5Rochester Electronics, LLCDescription: IHW30N65 - DISCRETE IGBT WITH AN
товар відсутній
IHW30N65R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW30N65R5Infineon technologies
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW30N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N65R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.34 грн
10+ 173.81 грн
25+ 142.17 грн
100+ 122.15 грн
240+ 106.28 грн
480+ 92.48 грн
1200+ 86.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 88W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 88W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 228ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IHW30N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 88W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 88W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 228ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW30N65R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/220ns
Switching Energy: 850µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 153 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 176 W
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.59 грн
30+ 149.17 грн
120+ 127.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N65R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N65R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.35 V, 176 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35
Verlustleistung Pd: 176
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP
DC-Kollektorstrom: 60
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IHW30N65R6XKSA1Infineon TechnologiesReverse-Conducting IGBT with Monolithic Body Diode
товар відсутній
IHW30N65R6XKSA1Infineon TechnologiesSP005399486
товар відсутній
IHW30N65R6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/161ns
Switching Energy: 730µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 163 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.62 грн
30+ 144.45 грн
120+ 123.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N65R6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N65R6XKSA1 - IGBT, 65 A, 1.26 V, 163 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.26V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 65A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168 грн
10+ 140.9 грн
25+ 113.81 грн
240+ 94.17 грн
720+ 84.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
IHW30N65R6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.9 грн
10+ 173.02 грн
25+ 138.03 грн
100+ 118.01 грн
240+ 105.59 грн
480+ 89.72 грн
1200+ 84.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N90RInfineon TechnologiesDescription: IGBT 900V 60A 454W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/511ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 454 W
товар відсутній
IHW30N90RInfineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 900V 60A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N90RXKInfineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 900V 60A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N90TINF07+;
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW30N90TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 900V 30A
товар відсутній
IHW30N90TInfineon TechnologiesDescription: IGBT, 60A, 900V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/556ns
Switching Energy: 1.8mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 280 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 428 W
на замовлення 5809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+187.96 грн
Мінімальне замовлення: 113
IHW30N90TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 900V 30A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N90TFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 900V 60A 428W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/556ns
Switching Energy: 1.8mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 280 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 428 W
товар відсутній
IHW30N90TFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 900V 30A
товар відсутній
IHW40N120R3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
товар відсутній
IHW40N120R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW40N120R3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.55 V, 429 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 429
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IHW40N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 429000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N120R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 80A 429W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/336ns
Switching Energy: 2.02mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 335 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 429 W
товар відсутній
IHW40N120R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товар відсутній
IHW40N120R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW40N120R5XKSA1
Код товару: 175988
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW40N120R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 3503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+312.4 грн
10+ 300 грн
25+ 212.56 грн
100+ 182.19 грн
240+ 178.74 грн
480+ 138.03 грн
1200+ 130.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 394000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW40N120R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+356.9 грн
3+ 298.34 грн
4+ 228.61 грн
11+ 216.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N120R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/420ns
Switching Energy: 1.6mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 394 W
на замовлення 1114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.15 грн
30+ 222.62 грн
120+ 190.81 грн
510+ 159.17 грн
1020+ 136.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N120R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+428.28 грн
3+ 371.77 грн
4+ 274.33 грн
11+ 259.66 грн
IHW40N120R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW40N120R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.55 V, 394 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 394W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+393.29 грн
10+ 318.19 грн
25+ 260.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+474.99 грн
32+ 382.43 грн
50+ 361.07 грн
100+ 298.15 грн
Мінімальне замовлення: 26
IHW40N135R3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
товар відсутній
IHW40N135R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1350V 80A 429W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/343ns
Switching Energy: 2.5mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 365 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 429 W
товар відсутній
IHW40N135R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW40N135R3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 429 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35
Verlustleistung: 429
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP™
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IHW40N135R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товар відсутній
IHW40N135R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 429000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N135R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 429000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N135R5Infineon TechnologiesInfineon HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW40N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+252.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW40N135R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 40A; 197W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Kind of package: tube
Power dissipation: 197W
Gate charge: 305nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 0.5µs
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+468.23 грн
3+ 406.71 грн
4+ 301.07 грн
10+ 283.82 грн
IHW40N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 17589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+208.03 грн
61+ 199.09 грн
63+ 191.51 грн
100+ 178.4 грн
250+ 160.17 грн
500+ 149.59 грн
1000+ 145.93 грн
2500+ 142.71 грн
5000+ 139.86 грн
Мінімальне замовлення: 58
IHW40N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 394000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N135R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+330.11 грн
25+ 273.02 грн
100+ 203.59 грн
240+ 196.69 грн
480+ 153.9 грн
1200+ 145.62 грн
IHW40N135R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/410ns
Switching Energy: 2mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 305 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 394 W
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+325.49 грн
30+ 248.61 грн
120+ 213.11 грн
IHW40N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW40N135R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 40A; 197W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Kind of package: tube
Power dissipation: 197W
Gate charge: 305nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 0.5µs
Type of transistor: IGBT
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+390.19 грн
3+ 326.37 грн
4+ 250.89 грн
10+ 236.51 грн
IHW40N135R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW40N135R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 394W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+366.19 грн
10+ 274.06 грн
100+ 188.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW40N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 17590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+234.36 грн
10+ 222.18 грн
25+ 211.73 грн
100+ 186.35 грн
240+ 159.66 грн
480+ 143.36 грн
1200+ 137.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW40N135R5XKSA1 (H40PR5) ; Reverse conducting IGBT+диод; 40(80)A; 1350V; 394W; Корпус: TO-247; Infineon
Код товару: 182017
Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній
IHW40N135R5XKSA1; Reverse conducting IGBT+диод; 40(80)A; 1350V; 394W; Корпус: TO-247; Infineon
на замовлення 13 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+341.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesHOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW40N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1400V 80A 366W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+343.8 грн
10+ 284.92 грн
25+ 233.95 грн
100+ 200.14 грн
240+ 188.41 грн
480+ 177.36 грн
1200+ 151.83 грн
IHW40N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1400V 80A TO247-44
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-44
Td (on/off) @ 25°C: -/225ns
Switching Energy: -, 240µJ (off)
Test Condition: 25V, 40A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 366 W
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+321.01 грн
30+ 244.61 грн
120+ 209.68 грн
IHW40N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1400V 80A 366W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N60RINFINEONDescription: INFINEON - IHW40N60R - IGBT, 40 A, 2.4 V, 305 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 305
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4
Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IHW40N60RInfineon TechnologiesIGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+381.64 грн
10+ 338.09 грн
25+ 278.12 грн
100+ 252.59 грн
240+ 214.63 грн
480+ 204.97 грн
1200+ 187.72 грн
IHW40N60RInfineon TechnologiesDescription: IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/193ns
Switching Energy: 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 15396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+170.15 грн
Мінімальне замовлення: 121
IHW40N60RF
Код товару: 101823
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW40N60RFInfineon TechnologiesIGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+373.59 грн
10+ 330.95 грн
25+ 271.91 грн
100+ 224.98 грн
240+ 190.48 грн
480+ 180.81 грн
1200+ 169.08 грн
IHW40N60RFFKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW40N60RFFKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 305 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 305
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IHW40N60RFFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/175ns
Switching Energy: 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
товар відсутній
IHW40N60RFFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+148.95 грн
Мінімальне замовлення: 240
IHW40N60RFFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+338.46 грн
Мінімальне замовлення: 36
IHW40N60RFFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW40N60RFFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/175ns
Switching Energy: 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+170.55 грн
Мінімальне замовлення: 123
IHW40N60RFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/193ns
Switching Energy: 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+174.74 грн
Мінімальне замовлення: 121
IHW40N60RFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N60RFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW40N60RFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 217ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IHW40N60RFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 217ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW40N60RFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+381.64 грн
10+ 338.09 грн
25+ 278.12 грн
100+ 240.86 грн
240+ 233.26 грн
480+ 208.42 грн
1200+ 199.45 грн
IHW40N60RFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/193ns
Switching Energy: 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
товар відсутній
IHW40N60T
на замовлення 6645 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW40N65R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.91 грн
10+ 195.24 грн
25+ 160.8 грн
100+ 137.34 грн
240+ 106.28 грн
480+ 104.21 грн
1200+ 98 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N65R5Infineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW40N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 273ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW40N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 273ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IHW40N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+223.76 грн
62+ 194.26 грн
100+ 185.11 грн
Мінімальне замовлення: 54
IHW40N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N65R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW40N65R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+268.64 грн
10+ 241.55 грн
25+ 197.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW40N65R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW40N65R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/258ns
Switching Energy: 630µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 193 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.23 грн
30+ 167.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N65R6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW40N65R6XKSA1 - IGBT, 83 A, 1.29 V, 210 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.29V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 83A
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+317.42 грн
10+ 255.48 грн
25+ 209.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW40N65R6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.64 грн
10+ 205.56 грн
25+ 152.52 грн
100+ 131.12 грн
240+ 122.84 грн
480+ 98.69 грн
1200+ 93.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N65R6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 83A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 99 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/211ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 159 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 83 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 210 W
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.78 грн
30+ 159.83 грн
120+ 137 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N65R6XKSA1Infineon TechnologiesSP005399488
товар відсутній
IHW40N65R6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 105W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 105W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.64 грн
3+ 184.03 грн
6+ 147.37 грн
16+ 139.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N65R6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 105W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 105W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 68 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+264.77 грн
3+ 229.34 грн
6+ 176.85 грн
16+ 167.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N65R6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT with Monolithic Integrated Diode
товар відсутній
IHW40T120Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40T120INFINEONMODULE
на замовлення 100100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW40T120INF07+;
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW40T120Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
товар відсутній
IHW40T120FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 75A 270W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/480ns
Switching Energy: 6.5mJ
Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 203 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+382.35 грн
Мінімальне замовлення: 55
IHW40T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40T120FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 75A 270W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/480ns
Switching Energy: 6.5mJ
Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 203 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 270 W
товар відсутній
IHW40T60Infineon TechnologiesDescription: IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/186ns
Switching Energy: 920µJ
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 215 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 303 W
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+169.47 грн
Мінімальне замовлення: 134
IHW40T60Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 303000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40T60Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT TrnchStp w/Soft Fast Recovery
товар відсутній
IHW40T60INF
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW40T60FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 80A 303W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/186ns
Switching Energy: 920µJ
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 215 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 303 W
на замовлення 13929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+217.38 грн
Мінімальне замовлення: 97
IHW40T60FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 80A 303W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/186ns
Switching Energy: 920µJ
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 215 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 303 W
товар відсутній
IHW40T60FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 303000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW50N65R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.34 грн
10+ 224.6 грн
25+ 184.26 грн
100+ 158.04 грн
240+ 149.07 грн
480+ 140.1 грн
1200+ 124.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW50N65R5Infineon technologies
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW50N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+330 грн
10+ 300.07 грн
25+ 275.56 грн
50+ 261.21 грн
100+ 216.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW50N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+328.25 грн
3+ 268.86 грн
4+ 233.64 грн
10+ 220.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW50N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW50N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW50N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+355.38 грн
38+ 323.16 грн
41+ 296.75 грн
50+ 281.31 грн
100+ 233.05 грн
Мінімальне замовлення: 34
IHW50N65R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+270.53 грн
10+ 224.6 грн
25+ 183.57 грн
100+ 157.35 грн
240+ 149.07 грн
480+ 140.1 грн
1200+ 120.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW50N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+393.91 грн
3+ 335.05 грн
4+ 280.37 грн
10+ 264.84 грн
IHW50N65R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW50N65R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 282 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 282W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+380.12 грн
10+ 308.13 грн
25+ 253.16 грн
240+ 199.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW50N65R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/220ns
Switching Energy: 740µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 282 W
товар відсутній
IHW50N65R6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+252.01 грн
10+ 230.95 грн
25+ 171.84 грн
100+ 147.69 грн
240+ 138.72 грн
480+ 111.8 грн
1200+ 105.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW50N65R6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW50N65R6XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.3 V, 251 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 251
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+325.93 грн
10+ 277.16 грн
100+ 271.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW50N65R6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 108 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/261ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 199 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 251 W
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.91 грн
30+ 179.99 грн
120+ 154.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW50N65R6XKSA1Infineon TechnologiesSP005399490
товар відсутній