Продукція > IQD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IQD-DB1M-01AIQRF TECHCategory: RF modules
Description: Module: DALI Bridge; GFSK; 868MHz; DALI; -101dBm; 10dBm; 8.3/11.8mA
Type of communications module: DALI Bridge
Kind of modulation: GFSK
Frequency: 868MHz
Interface: DALI
Receiver sensitivity: -101dBm
Transmitter output power: 10dBm
Dimensions: 88x38x22mm
TX/RX supply current: 8.3/11.8mA
Operating temperature: -10...60°C
Range: 130m
Communictions protocol: DALI
Kind of connector: screw
Components: DCTR-76D
Kit contents: base board
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2583.45 грн
5+ 2322 грн
IQD-DB1M-01AIQRF TECHCategory: RF modules
Description: Module: DALI Bridge; GFSK; 868MHz; DALI; -101dBm; 10dBm; 8.3/11.8mA
Type of communications module: DALI Bridge
Kind of modulation: GFSK
Frequency: 868MHz
Interface: DALI
Receiver sensitivity: -101dBm
Transmitter output power: 10dBm
Dimensions: 88x38x22mm
TX/RX supply current: 8.3/11.8mA
Operating temperature: -10...60°C
Range: 130m
Communictions protocol: DALI
Kind of connector: screw
Components: DCTR-76D
Kit contents: base board
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3100.15 грн
5+ 2893.57 грн
IQD-GW-02IQRF TECHCategory: RF modules
Description: Module: gateway; GFSK; 868MHz; Ethernet,USB; -101dBm; 10dBm
Type of communications module: gateway
Kind of modulation: GFSK
Frequency: 868MHz
Interface: Ethernet; USB
Receiver sensitivity: -101dBm
Transmitter output power: 10dBm
Dimensions: 50x54x36mm
Operating temperature: -10...40°C
Range: 400m
Kind of connector: RJ45; USB A; USB B micro
Components: DCTR-76D
Kit contents: base board
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+14190.81 грн
3+ 13437.64 грн
IQD-GW-02IQRF TECHCategory: RF modules
Description: Module: gateway; GFSK; 868MHz; Ethernet,USB; -101dBm; 10dBm
Type of communications module: gateway
Kind of modulation: GFSK
Frequency: 868MHz
Interface: Ethernet; USB
Receiver sensitivity: -101dBm
Transmitter output power: 10dBm
Dimensions: 50x54x36mm
Operating temperature: -10...40°C
Range: 400m
Kind of connector: RJ45; USB A; USB B micro
Components: DCTR-76D
Kit contents: base board
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11825.67 грн
3+ 10783.29 грн
IQD005N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+325.47 грн
44+ 274.34 грн
47+ 256.07 грн
100+ 167.54 грн
Мінімальне замовлення: 37
IQD005N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesTRENCH <= 40V
товар відсутній
IQD005N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+309.98 грн
10+ 256.35 грн
25+ 210.49 грн
100+ 180.12 грн
250+ 170.46 грн
500+ 160.8 грн
1000+ 137.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQD005N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
товар відсутній
IQD005N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
товар відсутній
IQD005N04NM6ATMA1
Код товару: 198771		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IQD005N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 5014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.91 грн
10+ 233.49 грн
100+ 188.91 грн
500+ 157.59 грн
1000+ 134.94 грн
2000+ 127.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQD005N04NM6ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.22 грн
10+ 254.74 грн
25+ 237.78 грн
100+ 155.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQD005N04NM6CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.91 грн
10+ 249.81 грн
25+ 236.14 грн
100+ 192.07 грн
250+ 182.22 грн
500+ 163.51 грн
1000+ 135.64 грн
2500+ 128.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQD005N04NM6CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 58A 9-Pin TTFN EP T/R
товар відсутній
IQD005N04NM6CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+339.87 грн
10+ 240.77 грн
100+ 195.09 грн
500+ 171.09 грн
1000+ 134.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
IQD005N04NM6CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
товар відсутній
IQD005N04NM6CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 58A 9-Pin TTFN EP T/R
товар відсутній
IQD005N04NM6CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 58A T/R
товар відсутній
IQD005N04NM6CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+309.98 грн
10+ 256.35 грн
25+ 210.49 грн
100+ 180.12 грн
250+ 170.46 грн
500+ 160.8 грн
1000+ 137.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQD005N04NM6CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+195.09 грн
500+ 171.09 грн
1000+ 134.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
IQD009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+268.81 грн
10+ 236.3 грн
25+ 224.07 грн
100+ 191 грн
250+ 149.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
IQD009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
на замовлення 4988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+300.85 грн
10+ 242.84 грн
100+ 196.49 грн
500+ 163.91 грн
1000+ 140.35 грн
2000+ 132.15 грн
IQD009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100V
товар відсутній
IQD009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 4584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+322.06 грн
10+ 266.67 грн
25+ 218.77 грн
100+ 187.72 грн
250+ 177.36 грн
500+ 167.01 грн
1000+ 142.86 грн
IQD009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
товар відсутній
IQD009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
товар відсутній
IQD009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+289.49 грн
48+ 254.47 грн
50+ 241.31 грн
100+ 205.69 грн
250+ 161.32 грн
Мінімальне замовлення: 42
IQD009N06NM5CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+322.06 грн
10+ 266.67 грн
25+ 218.77 грн
100+ 187.72 грн
250+ 177.36 грн
500+ 167.01 грн
1000+ 142.86 грн
IQD009N06NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R
товар відсутній
IQD009N06NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R
товар відсутній
IQD009N06NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 42A T/R
товар відсутній
IQD016N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+278.96 грн
10+ 245.63 грн
25+ 233.11 грн
100+ 198.29 грн
250+ 155.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
IQD016N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U04
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
товар відсутній
IQD016N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
товар відсутній
IQD016N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
товар відсутній
IQD016N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
1+334.14 грн
10+ 276.98 грн
25+ 227.05 грн
100+ 194.62 грн
250+ 183.57 грн
500+ 172.53 грн
1000+ 148.38 грн
IQD016N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U04
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
товар відсутній
IQD016N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+300.42 грн
46+ 264.52 грн
48+ 251.04 грн
100+ 213.54 грн
250+ 167.81 грн
Мінімальне замовлення: 40
IQD016N08NM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
товар відсутній
IQD016N08NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 31A 9-Pin TTFN EP T/R
товар відсутній
IQD016N08NM5CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 2622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+334.94 грн
10+ 277.78 грн
25+ 227.74 грн
100+ 195.31 грн
250+ 184.26 грн
500+ 173.22 грн
1000+ 149.07 грн
IQD016N08NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 31A 9-Pin TTFN EP T/R
товар відсутній
IQD016N08NM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
товар відсутній
IQD016N08NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 31A 9-Pin TTFN EP T/R
товар відсутній
IQD020N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+290.67 грн
10+ 255.63 грн
25+ 242.74 грн
100+ 206.64 грн
250+ 162.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
IQD020N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+151.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IQD020N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
товар відсутній
IQD020N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
товар відсутній
IQD020N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+324.74 грн
10+ 262.68 грн
100+ 212.53 грн
500+ 177.29 грн
1000+ 151.8 грн
2000+ 142.94 грн
IQD020N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+347.83 грн
10+ 288.89 грн
25+ 236.71 грн
100+ 202.9 грн
250+ 191.86 грн
500+ 180.12 грн
1000+ 154.59 грн
IQD020N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+313.03 грн
44+ 275.29 грн
46+ 261.41 грн
100+ 222.54 грн
250+ 174.5 грн
Мінімальне замовлення: 39
IQD020N10NM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 0.0018 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+219.87 грн
500+ 191.22 грн
1000+ 151.3 грн
Мінімальне замовлення: 100
IQD020N10NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin TTFN EP T/R
товар відсутній
IQD020N10NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 26A T/R
товар відсутній
IQD020N10NM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
товар відсутній
IQD020N10NM5CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 4899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+347.83 грн
10+ 288.89 грн
25+ 236.71 грн
100+ 202.9 грн
250+ 191.86 грн
500+ 180.12 грн
1000+ 154.59 грн
IQD020N10NM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 0.0018 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+379.35 грн
10+ 270.96 грн
100+ 219.87 грн
500+ 191.22 грн
1000+ 151.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
IQD020N10NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin TTFN EP T/R
товар відсутній
IQD020N10NM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 4986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+324.74 грн
10+ 280.94 грн
25+ 265.64 грн
100+ 216.04 грн
250+ 204.97 грн
500+ 183.92 грн
1000+ 152.57 грн
2500+ 144.94 грн
IQD063N15NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 4928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+362.32 грн
10+ 300 грн
25+ 246.38 грн
100+ 211.18 грн
250+ 199.45 грн
500+ 187.72 грн
1000+ 160.8 грн
IQD063N15NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.07 грн
10+ 263.93 грн
25+ 250.96 грн
100+ 214.79 грн
250+ 168.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQD063N15NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.43 грн
10+ 273.18 грн
100+ 221.02 грн
500+ 184.37 грн
1000+ 157.87 грн
2000+ 148.65 грн
IQD063N15NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
товар відсутній
IQD063N15NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+157.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IQD063N15NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+325.31 грн
43+ 284.23 грн
45+ 270.27 грн
100+ 231.31 грн
250+ 181.48 грн
Мінімальне замовлення: 37
IQD063N15NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Power MOSFET
товар відсутній
IQD063N15NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 14.1A 9-Pin TTFN EP
товар відсутній
IQD063N15NM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
товар відсутній
IQD063N15NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTRENCH >=100V
товар відсутній
IQD063N15NM5CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 4331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+362.32 грн
10+ 300 грн
25+ 246.38 грн
100+ 211.18 грн
250+ 199.45 грн
500+ 187.72 грн
1000+ 160.8 грн
IQD063N15NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 14.1A 9-Pin TTFN EP
товар відсутній
IQD063N15NM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
товар відсутній
IQDH29NE2LM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.02 грн
10+ 236.51 грн
25+ 193.93 грн
100+ 166.32 грн
250+ 157.35 грн
500+ 147.69 грн
1000+ 126.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQDH29NE2LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V
на замовлення 4884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.26 грн
10+ 215.95 грн
100+ 174.67 грн
500+ 145.71 грн
1000+ 124.76 грн
2000+ 117.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQDH29NE2LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V
товар відсутній
IQDH29NE2LM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V
товар відсутній
IQDH29NE2LM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V
товар відсутній
IQDH29NE2LM5CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.83 грн
10+ 237.3 грн
25+ 194.62 грн
100+ 167.01 грн
250+ 158.04 грн
500+ 148.38 грн
1000+ 126.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQDH35N03LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 262 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IQDH35N03LM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+297.1 грн
10+ 246.03 грн
25+ 201.52 грн
100+ 172.53 грн
250+ 162.87 грн
500+ 153.21 грн
1000+ 131.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQDH35N03LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 262 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.71 грн
10+ 224.51 грн
100+ 181.66 грн
500+ 151.54 грн
1000+ 129.75 грн
2000+ 122.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQDH35N03LM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 66A T/R
товар відсутній
IQDH35N03LM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V
товар відсутній
IQDH35N03LM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQDH35N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 310 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+186.58 грн
500+ 162.47 грн
1000+ 129.4 грн
Мінімальне замовлення: 100
IQDH35N03LM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V
товар відсутній
IQDH35N03LM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQDH35N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 310 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+325.93 грн
10+ 230.71 грн
100+ 186.58 грн
500+ 162.47 грн
1000+ 129.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
IQDH35N03LM5CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+297.1 грн
10+ 246.03 грн
25+ 201.52 грн
100+ 172.53 грн
250+ 162.87 грн
500+ 153.21 грн
1000+ 131.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQDH45N04LM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.94 грн
10+ 228.82 грн
100+ 185.16 грн
500+ 154.45 грн
1000+ 132.25 грн
2000+ 124.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQDH45N04LM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+302.74 грн
10+ 250.79 грн
25+ 205.66 грн
100+ 176.67 грн
250+ 166.32 грн
500+ 156.66 грн
1000+ 133.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQDH45N04LM6ATMA1Infineon TechnologiesTRENCH <= 40V
товар відсутній
IQDH45N04LM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
товар відсутній
IQDH45N04LM6CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 2307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303.54 грн
10+ 251.59 грн
25+ 206.35 грн
100+ 177.36 грн
250+ 167.01 грн
500+ 157.35 грн
1000+ 134.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQDH45N04LM6CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 7661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.94 грн
10+ 244.78 грн
25+ 231.42 грн
100+ 188.25 грн
250+ 178.59 грн
500+ 160.25 грн
1000+ 132.93 грн
2500+ 126.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQDH45N04LM6CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQDH45N04LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 637 A, 400 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 637A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+191.22 грн
500+ 167.5 грн
1000+ 132.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
IQDH45N04LM6CGATMA1Infineon TechnologiesIQDH45N04LM6CGATMA1
товар відсутній
IQDH45N04LM6CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+136.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IQDH45N04LM6CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQDH45N04LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 637 A, 400 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 637A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+332.13 грн
10+ 236.13 грн
100+ 191.22 грн
500+ 167.5 грн
1000+ 132.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
IQDH88N06LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V
товар відсутній
IQDH88N06LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V
на замовлення 4831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.13 грн
10+ 238.02 грн
100+ 192.56 грн
500+ 160.63 грн
1000+ 137.54 грн
2000+ 129.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQDH88N06LM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 4622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+315.62 грн
10+ 261.11 грн
25+ 214.63 грн
100+ 184.26 грн
250+ 173.91 грн
500+ 163.56 грн
1000+ 140.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQDH88N06LM5CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 1471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+315.62 грн
10+ 261.11 грн
25+ 214.63 грн
100+ 184.26 грн
250+ 173.91 грн
500+ 163.56 грн
1000+ 140.1 грн
Мінімальне замовлення: 2