Продукція > IQE

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 24A 120W 8-Pin Quarter-Brick

товар відсутній

IQE-480-17A-120V/001-R

Module DC-DC 48VIN 1-OUT 12V 17A 204W 8-Pin Quarter-Brick

товар відсутній

IQE004NE1LM7ATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	175.62 грн
10+	140.51 грн
100+	111.8 грн
500+	88.78 грн
1000+	75.33 грн
2000+	71.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE004NE1LM7ATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	76.21 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IQE004NE1LM7ATMA1

TRENCH <= 40V

товар відсутній

IQE004NE1LM7ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4908 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	186.22 грн
10+	152.05 грн
100+	104.81 грн
250+	96.59 грн
500+	87.69 грн
1000+	75.35 грн
2500+	71.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE004NE1LM7CGATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

на замовлення 9980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	171.18 грн
10+	137.08 грн
100+	109.08 грн
500+	86.62 грн
1000+	73.49 грн
2000+	69.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE004NE1LM7CGATMA1

TRENCH <= 40V

товар відсутній

IQE004NE1LM7CGATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4879 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	186.22 грн
10+	152.05 грн
100+	104.81 грн
250+	96.59 грн
500+	87.69 грн
1000+	75.35 грн
2500+	71.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE004NE1LM7CGATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	74.35 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

TRENCH <= 40V

товар відсутній

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4348 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	200.6 грн
10+	163.86 грн
100+	113.72 грн
250+	104.81 грн
500+	95.22 грн
1000+	81.52 грн
2500+	77.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R

на замовлення 402 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

57+	210.71 грн
69+	173.81 грн
70+	171.99 грн
100+	132.94 грн
250+	90.57 грн

Мінімальне замовлення: 57

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

на замовлення 10886 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	188.22 грн
10+	150.14 грн
100+	119.48 грн
500+	94.88 грн
1000+	80.5 грн
2000+	76.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R

товар відсутній

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

товар відсутній

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R

на замовлення 402 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	195.66 грн
10+	161.39 грн
25+	159.7 грн
100+	123.44 грн
250+	84.1 грн

Мінімальне замовлення: 4

IQE004NE1LM7SCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

товар відсутній

IQE004NE1LM7SCATMA1

TRENCH <= 40V

товар відсутній

IQE004NE1LM7SCATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	200.6 грн
10+	163.86 грн
100+	113.72 грн
250+	104.81 грн
500+	95.22 грн
1000+	81.52 грн
2500+	77.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE004NE1LM7SCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

товар відсутній

IQE006NE2LM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 0.0005 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0005ohm

на замовлення 9004 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	85.3 грн
500+	69.65 грн
1000+	54.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQE006NE2LM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 41A T/R

товар відсутній

IQE006NE2LM5ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 1468 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.67 грн
10+	114.23 грн
100+	86.32 грн
500+	78.09 грн
1000+	69.87 грн
5000+	68.3 грн

Мінімальне замовлення: 3

IQE006NE2LM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

товар відсутній

IQE006NE2LM5ATMA1

на замовлення 9004 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	141.4 грн
10+	105.28 грн
100+	85.3 грн
500+	69.65 грн
1000+	54.28 грн

Мінімальне замовлення: 6

IQE006NE2LM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

на замовлення 3904 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	168.21 грн
10+	134.44 грн
100+	106.99 грн
500+	84.96 грн
1000+	72.08 грн
2000+	68.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE006NE2LM5CGATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 41A/298A IPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

на замовлення 9875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	166.73 грн
10+	133.08 грн
100+	105.9 грн
500+	84.09 грн
1000+	71.35 грн
2000+	67.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE006NE2LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 0.0005 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0005ohm

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	106.82 грн
500+	89.91 грн
1000+	67.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQE006NE2LM5CGATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 41A/298A IPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	72.19 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IQE006NE2LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 0.0005 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	198.27 грн
10+	137.56 грн
100+	106.82 грн
500+	89.91 грн
1000+	67.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

IQE006NE2LM5CGATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 2084 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	154.25 грн
10+	130.77 грн
100+	97.96 грн
250+	96.59 грн
500+	87 грн
1000+	70.56 грн
5000+	68.3 грн

Мінімальне замовлення: 3

IQE006NE2LM5CGSC

IQE006NE2LM5CGSC

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

61+	196.19 грн
63+	188.72 грн
100+	182.32 грн
250+	170.47 грн
500+	153.55 грн
1000+	143.81 грн
2500+	140.63 грн
5000+	137.83 грн

Мінімальне замовлення: 61

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

на замовлення 4434 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	187.48 грн
10+	149.92 грн
100+	119.33 грн
500+	94.76 грн
1000+	80.41 грн
2000+	76.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 47A 9-Pin WHTFN EP T/R

товар відсутній

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 5817 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	200.6 грн
10+	164.65 грн
100+	113.72 грн
250+	104.81 грн
500+	95.91 грн
1000+	82.21 грн
2500+	77.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

товар відсутній

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 47A 9-Pin WHTFN EP T/R

товар відсутній

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

SP005419125

товар відсутній

IQE006NE2LM5SCATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4839 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	200.6 грн
10+	164.65 грн
100+	113.72 грн
250+	104.81 грн
500+	95.91 грн
1000+	82.21 грн
2500+	77.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE006NE2LM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

на замовлення 5946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	183.04 грн
10+	146.5 грн
100+	116.59 грн
500+	92.59 грн
1000+	78.56 грн
2000+	74.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE006NE2LM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

товар відсутній

IQE008N03LM5ATMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	72.41 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IQE008N03LM5ATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V

на замовлення 1830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	176.37 грн
10+	141.08 грн
100+	112.31 грн
500+	89.18 грн
1000+	75.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE008N03LM5ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 518 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	191.81 грн
10+	157.56 грн
100+	108.92 грн
250+	104.81 грн
500+	91.8 грн
1000+	74.67 грн
5000+	71.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE008N03LM5ATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V

товар відсутній

IQE008N03LM5CGATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TTFN-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V

товар відсутній

IQE008N03LM5CGATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 5536 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	191.81 грн
10+	157.56 грн
100+	108.92 грн
250+	100.7 грн
500+	91.11 грн
1000+	79.47 грн
5000+	71.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE008N03LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE008N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 253 A, 650 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1966 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	225.93 грн
10+	179.82 грн
25+	162.15 грн
100+	133.44 грн
500+	101.44 грн
1000+	88.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

IQE008N03LM5CGATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V

на замовлення 162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	176.37 грн
10+	141.15 грн
100+	112.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE008N03LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE008N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 253 A, 650 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1966 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	133.44 грн
500+	101.44 грн
1000+	88.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQE008N03LM5CGATMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	72.41 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IQE008N03LM5CGSCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9

товар відсутній

IQE008N03LM5CGSCATMA1

MOSFET

товар відсутній

IQE008N03LM5CGSCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9

товар відсутній

IQE008N03LM5SCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHSON-8

товар відсутній

IQE008N03LM5SCATMA1

MOSFET

товар відсутній

IQE008N03LM5SCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHSON-8

товар відсутній

IQE013N04LM6ATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm

на замовлення 9812 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	161.38 грн
10+	118.35 грн
100+	96.83 грн
500+	78.49 грн

Мінімальне замовлення: 5

IQE013N04LM6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

на замовлення 12359 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	185.26 грн
10+	148.21 грн
100+	117.97 грн
500+	93.67 грн
1000+	79.48 грн
2000+	75.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE013N04LM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 31A T/R

товар відсутній

IQE013N04LM6ATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm

на замовлення 9812 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	96.83 грн
500+	78.49 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQE013N04LM6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	80.41 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IQE013N04LM6ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 2878 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	169.43 грн
10+	141.02 грн
100+	104.81 грн
250+	102.76 грн
500+	89.74 грн
1000+	77.41 грн
2500+	76.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE013N04LM6CGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 31A 9-Pin TTFN EP T/R

товар відсутній

IQE013N04LM6CGATMA1

Description: 40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

на замовлення 4919 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	185.26 грн
10+	148.21 грн
100+	117.97 грн
500+	93.67 грн
1000+	79.48 грн
2000+	75.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE013N04LM6CGATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 814 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	191.01 грн
10+	157.56 грн
100+	110.98 грн
250+	105.5 грн
500+	93.85 грн
1000+	78.09 грн
5000+	75.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE013N04LM6CGATMA1

Description: 40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

товар відсутній

IQE013N04LM6CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V

товар відсутній

IQE013N04LM6CGSCATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 907 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	221.38 грн
10+	181.98 грн
100+	125.36 грн
250+	115.77 грн
500+	104.81 грн
1000+	90.43 грн
2500+	86.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE013N04LM6CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5868 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	239.77 грн
10+	177.52 грн
100+	129.87 грн
500+	109.18 грн
1000+	86.95 грн

Мінімальне замовлення: 4

IQE013N04LM6CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V

на замовлення 2495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	203.78 грн
10+	162.98 грн
100+	129.72 грн
500+	103.01 грн
1000+	87.4 грн
2000+	83.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE013N04LM6CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5868 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	239.77 грн
10+	177.52 грн
100+	129.87 грн
500+	109.18 грн
1000+	86.95 грн

Мінімальне замовлення: 4

IQE013N04LM6SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V

товар відсутній

IQE013N04LM6SCATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5798 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	244.38 грн
10+	181.36 грн
100+	132.18 грн
500+	111.32 грн
1000+	88.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

IQE013N04LM6SCATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 1870 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	221.38 грн
10+	181.98 грн
100+	125.36 грн
250+	115.77 грн
500+	104.81 грн
1000+	90.43 грн
2500+	86.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE013N04LM6SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V

товар відсутній

IQE013N04LM6SCATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5798 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	244.38 грн
10+	181.36 грн
100+	132.18 грн
500+	111.32 грн
1000+	88.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

IQE022N06LM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	172.66 грн
10+	138.01 грн
100+	109.89 грн
500+	87.26 грн
1000+	74.04 грн
2000+	70.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE022N06LM5ATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 161-170 дні (днів)

2+	185.42 грн
10+	152.05 грн
100+	104.81 грн
250+	96.59 грн
500+	87.69 грн
1000+	76.04 грн
2500+	71.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE022N06LM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

товар відсутній

IQE022N06LM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TSON EP T/R

товар відсутній

IQE022N06LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE022N06LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4262 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	205.18 грн
10+	151.39 грн
100+	110.66 грн
500+	93.48 грн
1000+	75.09 грн

Мінімальне замовлення: 4

IQE022N06LM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

на замовлення 3565 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	172.66 грн
10+	138.01 грн
100+	109.89 грн
500+	87.26 грн
1000+	74.04 грн
2000+	70.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE022N06LM5CGATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 9-Pin TTFN EP T/R

товар відсутній

IQE022N06LM5CGATMA1

на замовлення 4262 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	110.66 грн
500+	93.48 грн
1000+	75.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQE022N06LM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

товар відсутній

IQE022N06LM5CGATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	185.42 грн
10+	152.05 грн
100+	104.81 грн
250+	96.59 грн
500+	87.69 грн
1000+	76.72 грн
5000+	69.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE022N06LM5CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE022N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	230.54 грн
10+	169.07 грн
100+	124.49 грн
500+	104.9 грн
1000+	83 грн

Мінімальне замовлення: 4

IQE022N06LM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

на замовлення 4840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	187.48 грн
10+	149.78 грн
100+	119.21 грн
500+	94.66 грн
1000+	80.32 грн
2000+	76.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE022N06LM5CGSCATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	203.8 грн
10+	167.01 грн
100+	115.09 грн
250+	106.87 грн
500+	96.59 грн
1000+	82.89 грн
2500+	78.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE022N06LM5CGSCATMA1

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	124.49 грн
500+	104.9 грн
1000+	83 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQE022N06LM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

товар відсутній

IQE022N06LM5CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 9-Pin WHTFN EP T/R

товар відсутній

IQE022N06LM5SCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

товар відсутній

IQE022N06LM5SCATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	203 грн
10+	166.23 грн
100+	114.4 грн
250+	106.18 грн
500+	95.91 грн
1000+	82.21 грн
2500+	78.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE022N06LM5SCATMA1

Description: INFINEON - IQE022N06LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	121.42 грн
500+	102.04 грн
1000+	80.36 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQE022N06LM5SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin WHSON EP T/R

товар відсутній

IQE022N06LM5SCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

на замовлення 5955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	190.45 грн
10+	151.92 грн
100+	120.9 грн
500+	96.01 грн
1000+	81.46 грн
2000+	77.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE022N06LM5SCATMA1

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	225.16 грн
10+	165.22 грн
100+	121.42 грн
500+	102.04 грн
1000+	80.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

IQE030N06NM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE030N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 0.0022 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 9992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	154.46 грн
500+	117.74 грн
1000+	84.31 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQE030N06NM5ATMA1

SP005399424

товар відсутній

IQE030N06NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

товар відсутній

IQE030N06NM5ATMA1

на замовлення 9992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	240.53 грн
10+	192.12 грн
100+	154.46 грн
500+	117.74 грн
1000+	84.31 грн

Мінімальне замовлення: 4

IQE030N06NM5ATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 6843 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	210.99 грн
10+	173.32 грн
100+	119.88 грн
250+	114.4 грн
500+	101.39 грн
1000+	82.21 грн
5000+	78.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE030N06NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

на замовлення 2108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	194.15 грн
10+	155.63 грн
100+	123.83 грн
500+	98.33 грн
1000+	83.43 грн
2000+	79.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE030N06NM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

на замовлення 4960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	194.15 грн
10+	155.63 грн
100+	123.83 грн
500+	98.33 грн
1000+	83.43 грн
2000+	79.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE030N06NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE030N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 0.0022 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	128.34 грн
500+	105.61 грн
1000+	79.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQE030N06NM5CGATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4894 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	210.99 грн
10+	173.32 грн
100+	119.88 грн
250+	114.4 грн
500+	101.39 грн
1000+	82.21 грн
5000+	78.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE030N06NM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

товар відсутній

IQE030N06NM5CGATMA1

SP005399428

товар відсутній

IQE030N06NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE030N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 0.0022 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	229.01 грн
10+	169.07 грн
100+	128.34 грн
500+	105.61 грн
1000+	79.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

IQE030N06NM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

товар відсутній

IQE030N06NM5CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 21A 9-Pin WHTFN EP T/R

товар відсутній

IQE030N06NM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

товар відсутній

IQE030N06NM5CGSCATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 5820 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	208.6 грн
10+	172.53 грн
25+	141.8 грн
100+	121.94 грн
250+	115.09 грн
500+	108.24 грн
1000+	93.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE030N06NM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

товар відсутній

IQE030N06NM5SCATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 3128 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	208.6 грн
10+	172.53 грн
25+	141.8 грн
100+	121.94 грн
250+	115.09 грн
500+	108.24 грн
1000+	93.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE030N06NM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

товар відсутній

IQE030N06NM5SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 21A

товар відсутній

IQE036N08NM6ATMA1

MOSFET

товар відсутній

IQE036N08NM6ATMA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IQE036N08NM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IQE036N08NM6CGATMA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IQE036N08NM6CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IQE036N08NM6CGATMA1

MOSFET

товар відсутній

IQE036N08NM6CGSCATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IQE036N08NM6CGSCATMA1

MOSFET

товар відсутній

IQE036N08NM6CGSCATMA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IQE036N08NM6SCATMA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IQE036N08NM6SCATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IQE036N08NM6SCATMA1

MOSFET

товар відсутній

IQE046N08LM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

товар відсутній

IQE046N08LM5ATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 7596 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	194.21 грн
10+	159.92 грн
100+	110.29 грн
250+	102.07 грн
500+	92.48 грн
1000+	80.15 грн
5000+	72.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE046N08LM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE046N08LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.004 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3037 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	181.36 грн
50+	143.71 грн
250+	120.65 грн
1000+	97.05 грн
3000+	85.63 грн

Мінімальне замовлення: 5

IQE046N08LM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 15.6A

товар відсутній

IQE046N08LM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

на замовлення 4130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	127.46 грн
10+	101.9 грн
100+	81.12 грн
500+	68.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

IQE046N08LM5CGATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 76 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	194.21 грн
10+	159.92 грн
100+	110.29 грн
250+	102.07 грн
500+	92.48 грн
1000+	80.15 грн
5000+	72.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE046N08LM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	178.59 грн
10+	142.93 грн
100+	113.78 грн
500+	90.35 грн
1000+	76.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE046N08LM5CGATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 15.6A 9-Pin TTFN EP T/R

товар відсутній

IQE046N08LM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

товар відсутній

IQE046N08LM5CGSCATMA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IQE046N08LM5CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE046N08LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.004 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2928 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	128.34 грн
500+	108.47 грн
1000+	85.63 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQE046N08LM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

на замовлення 4955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	196.37 грн
10+	157.27 грн
100+	125.2 грн
500+	99.42 грн
1000+	84.35 грн
2000+	80.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE046N08LM5CGSCATMA1

MOSFET

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	213.39 грн
10+	174.89 грн
100+	121.25 грн
250+	112.35 грн
500+	102.07 грн
1000+	87 грн
2500+	82.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE046N08LM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

товар відсутній

IQE046N08LM5SCATMA1

MOSFET

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 302-311 дні (днів)

2+	213.39 грн
10+	174.89 грн
100+	121.25 грн
250+	112.35 грн
500+	102.07 грн
1000+	87 грн
2500+	82.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE046N08LM5SCATMA1

Description: INFINEON - IQE046N08LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.004 ohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	126.03 грн
500+	106.32 грн
1000+	83.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQE046N08LM5SCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	196.37 грн
10+	157.27 грн
100+	125.2 грн
500+	99.42 грн
1000+	84.35 грн
2000+	80.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE046N08LM5SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 15.6A 8-Pin WHSON EP T/R

товар відсутній

IQE046N08LM5SCATMA1

на замовлення 5950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	231.31 грн
10+	170.6 грн
100+	126.03 грн
500+	106.32 грн
1000+	83.65 грн

Мінімальне замовлення: 4

IQE046N08LM5SCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	85.34 грн

Мінімальне замовлення: 6000

IQE050N08NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

товар відсутній

IQE050N08NM5ATMA1

SP005583102

товар відсутній

IQE050N08NM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE050N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 101 A, 0.0043 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 8825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	233.62 грн
10+	186.74 грн
25+	169.83 грн
100+	142.72 грн
500+	111.98 грн
1000+	89.58 грн
5000+	87.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

IQE050N08NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

на замовлення 9270 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	186 грн
10+	150.5 грн
100+	121.72 грн
500+	101.54 грн
1000+	86.94 грн
2000+	81.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE050N08NM5ATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 3616 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	199.01 грн
10+	165.44 грн
25+	139.75 грн
100+	116.46 грн
250+	113.03 грн
500+	103.44 грн
1000+	83.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE050N08NM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE050N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 101 A, 0.0043 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 8825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	142.72 грн
500+	111.98 грн
1000+	89.58 грн
5000+	87.61 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQE050N08NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE050N08NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 101 A, 0.0043 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 8835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	136.3 грн
500+	107.37 грн
1000+	85.63 грн
5000+	82.34 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQE050N08NM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	86.91 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IQE050N08NM5CGATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 407 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	199.01 грн
10+	165.44 грн
25+	139.75 грн
100+	116.46 грн
250+	113.03 грн
500+	103.44 грн
1000+	83.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE050N08NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE050N08NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 101 A, 0.0043 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 8835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	223.63 грн
10+	179.06 грн
25+	162.92 грн
100+	136.3 грн
500+	107.37 грн
1000+	85.63 грн
5000+	82.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

IQE050N08NM5CGATMA1

SP005583114

товар відсутній

IQE050N08NM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

на замовлення 9770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	186 грн
10+	150.5 грн
100+	121.72 грн
500+	101.54 грн
1000+	86.94 грн
2000+	81.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE050N08NM5CGSCATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 43 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	218.19 грн
10+	181.19 грн
25+	148.65 грн
100+	127.42 грн
250+	120.57 грн
500+	113.72 грн
1000+	96.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE050N08NM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

товар відсутній

IQE050N08NM5CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 16A

товар відсутній

IQE050N08NM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

товар відсутній

IQE050N08NM5SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 16A

товар відсутній

IQE050N08NM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

товар відсутній

IQE050N08NM5SCATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 5180 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	218.99 грн
10+	181.98 грн
25+	149.34 грн
100+	128.1 грн
250+	121.25 грн
500+	113.72 грн
1000+	97.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE050N08NM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

товар відсутній

IQE057N10NM6ATMA1

MOSFET

товар відсутній

IQE057N10NM6ATMA1

IQE057N10NM6ATMA1

товар відсутній

IQE057N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IQE057N10NM6CGATMA1

IQE057N10NM6CGATMA1

товар відсутній

IQE057N10NM6CGATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IQE057N10NM6CGATMA1

MOSFET

товар відсутній

IQE057N10NM6CGSCATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IQE057N10NM6CGSCATMA1

MOSFET

товар відсутній

IQE057N10NM6CGSCATMA1

IQE057N10NM6CGSCATMA1

товар відсутній

IQE057N10NM6SCATMA1

MOSFET

товар відсутній

IQE057N10NM6SCATMA1

IQE057N10NM6SCATMA1

товар відсутній

IQE057N10NM6SCATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IQE065N10NM5ATMA1

SP005399446

товар відсутній

IQE065N10NM5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	91.26 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IQE065N10NM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE065N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0057 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3848 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	132.95 грн
500+	113.46 грн
1000+	84.31 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQE065N10NM5ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 4777 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	209.39 грн
10+	173.32 грн
25+	146.6 грн
100+	122.62 грн
250+	118.51 грн
500+	108.92 грн
1000+	87.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE065N10NM5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

на замовлення 28258 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	137.09 грн
10+	111.03 грн
100+	89.85 грн
500+	82.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

IQE065N10NM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE065N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0057 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3848 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	226.7 грн
10+	164.45 грн
100+	132.95 грн
500+	113.46 грн
1000+	84.31 грн

Мінімальне замовлення: 4

IQE065N10NM5CGATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

на замовлення 9930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	137.09 грн
10+	111.03 грн
100+	89.85 грн
500+	82.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

IQE065N10NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE065N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0057 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	149.14 грн
500+	117.25 грн
1000+	93.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQE065N10NM5CGATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 5124 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	209.39 грн
10+	173.32 грн
25+	146.6 грн
100+	122.62 грн
250+	118.51 грн
500+	108.92 грн
1000+	87.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE065N10NM5CGATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TTFN-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	91.26 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IQE065N10NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE065N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0057 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	245.14 грн
10+	195.19 грн
25+	178.29 грн
100+	149.14 грн
500+	117.25 грн
1000+	93.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

IQE065N10NM5CGATMA1

SP005399451

товар відсутній

IQE065N10NM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

товар відсутній

IQE065N10NM5CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 13A 9-Pin WHTFN EP T/R

товар відсутній

IQE065N10NM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

товар відсутній

IQE065N10NM5CGSCATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 5427 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	230.17 грн
10+	191.44 грн
25+	156.87 грн
100+	134.27 грн
250+	126.73 грн
500+	119.88 грн
1000+	102.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE065N10NM5SCATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 3188 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	230.17 грн
10+	191.44 грн
25+	156.87 грн
100+	134.27 грн
250+	126.73 грн
500+	119.88 грн
1000+	102.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE065N10NM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

товар відсутній

IQE065N10NM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

товар відсутній

IQE065N10NM5SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin WHSON EP T/R

товар відсутній

IQE220N15NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 7A 8-Pin TSON EP T/R

товар відсутній

IQE220N15NM5ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V

товар відсутній

IQE220N15NM5ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 203-212 дні (днів)

2+	219.78 грн
10+	182.77 грн
25+	150.02 грн
100+	128.1 грн
250+	121.25 грн
500+	113.72 грн
1000+	97.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE220N15NM5ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V

товар відсутній

IQE220N15NM5CGATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V

товар відсутній

IQE220N15NM5CGATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 203-212 дні (днів)

2+	219.78 грн
10+	182.77 грн
25+	150.02 грн
100+	128.1 грн
250+	121.25 грн
500+	113.72 грн
1000+	97.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE220N15NM5CGATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V

товар відсутній

IQE220N15NM5CGATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 7A 9-Pin TTFN EP T/R

товар відсутній

IQE220N15NM5CGSCATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 203-212 дні (днів)

2+	241.36 грн
10+	200.1 грн
25+	163.73 грн
100+	140.43 грн
250+	132.21 грн
500+	124.68 грн
1000+	106.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE220N15NM5CGSCATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9

товар відсутній

IQE220N15NM5CGSCATMA1

TRENCH >=100V

товар відсутній

IQE220N15NM5CGSCATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9

товар відсутній

IQE220N15NM5SCATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Supplier Device Package: PG-WHSON-8

товар відсутній

IQE220N15NM5SCATMA1

TRENCH >=100V

товар відсутній

IQE220N15NM5SCATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Supplier Device Package: PG-WHSON-8

товар відсутній

IQE220N15NM5SCATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 203-212 дні (днів)

2+	241.36 грн
10+	200.1 грн
25+	163.73 грн
100+	140.43 грн
250+	132.21 грн
500+	124.68 грн
1000+	106.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

iQE24009A120V-001-R

Description: DC DC CONVERTER 12V

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IQE24009A120V-001-R

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 9A 108W 8-Pin Quarter-Brick

товар відсутній

IQE24009A120V-007-R

Description: DC DC CONVERTER 12V 108W

товар відсутній

iQE24012A080V-001-R

Description: DC DC CONVERTER 8V 96W
Features: Remote On/Off, OCP, OVP, SCP
Packaging: Tray
Package / Case: Quarter Brick
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.41" H (57.9mm x 36.8mm x 10.4mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 12A
Supplier Device Package: Quarter Brick
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 8V
Power (Watts): 96 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

товар відсутній

IQE24015A033V-031-R

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 16-40VDC

товар відсутній

IQE24015A033V-031-R

Description: DC DC CONVERTER 3.3V 50W
Packaging: Tray
Features: Remote On/Off, OCP, OVP, SCP
Package / Case: Quarter Brick
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.41" H (57.9mm x 36.8mm x 10.4mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 40V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 15A
Supplier Device Package: Quarter Brick
Voltage - Input (Min): 16V
Voltage - Output 1: 3.3V
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 50 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

товар відсутній

IQE24015A050V-031-R

Description: DC DC CONVERTER 5V 75W
Packaging: Tray
Features: Remote On/Off, OCP, OVP, SCP
Package / Case: Quarter Brick
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.41" H (57.9mm x 36.8mm x 10.4mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 15A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Control Features: Enable, Active Low
Part Status: Obsolete
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

товар відсутній

IQE24024A050V-001-R

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 24A 120W 8-Pin Quarter-Brick

товар відсутній

iQE24024A050V-001-R

Description: DC DC CONVERTER 5V 120W
Features: Remote On/Off, OCP, OVP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP Module
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.39" H (57.9mm x 36.8mm x 9.9mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Intermediate Bus Converter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 24A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Control Features: Enable, Active Low
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4600.33 грн

iQE24024A050V-001-R

Isolated DC/DC Converters 18-36Vin 5V 24A 120W NegPlrty 1/4brick TH

на замовлення 68 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IQE24024A050V-007-R

Description: DC DC CONVERTER 5V 120W
Packaging: Tray
Features: Remote On/Off, OCP, OVP, SCP
Package / Case: Quarter Brick
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.41" H (57.9mm x 36.8mm x 10.4mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 24A
Supplier Device Package: Quarter Brick
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Power (Watts): 120 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

товар відсутній

IQE24030A033V-007-R

Isolated DC/DC Converters 18-36VDC

товар відсутній

IQE48010A150V-001-R

Module DC-DC 48VIN 1-OUT 15V 10A 150W 8-Pin Quarter-Brick

товар відсутній

IQE48010A150V-001-R

Description: DC DC CONVERTER 15V 150W
Features: Remote On/Off, OCP, OVP, SCP
Packaging: Tray
Package / Case: Quarter Brick
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.41" H (57.9mm x 36.8mm x 10.4mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 10A
Supplier Device Package: Quarter Brick
Voltage - Input (Min): 36V
Voltage - Output 1: 15V
Power (Watts): 150 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	6027.56 грн
5+	5758.5 грн
10+	5712.48 грн
25+	5015.11 грн
40+	4842.18 грн

iQE48010A150V-007-R

Isolated DC/DC Converters 48Vin15Vout 10A 150W PCB Mount 1/4 Brick

товар відсутній

IQE48017A120V-000-R

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 36-75VDC

товар відсутній

iQE48017A120V-001-R

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 48Vin12Vout 17A 204W PCB Mount 1/4 Brick

на замовлення 72 шт:

термін постачання 182-191 дні (днів)

1+	5940.58 грн
10+	5810.02 грн
25+	4650.76 грн
50+	4649.39 грн
72+	4330.16 грн

iQE48017A120V-001-R

Description: DC DC CONVERTER 12V
Packaging: Tray
Features: Remote On/Off, OCP, OVP
Package / Case: 8-DIP Module, 1/4 Brick
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.39" H (57.9mm x 36.8mm x 9.9mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 17A
Voltage - Input (Min): 36V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active Low
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	5910.48 грн
5+	5647.04 грн
10+	5602.66 грн
25+	5090.94 грн

IQE48017A120V-007-R

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 36-75VDC

товар відсутній

IQE48030A050V-001-R

Description: DC DC CONVERTER 5V 150W
Features: Remote On/Off, OCP, OVP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP Module
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.39" H (57.9mm x 36.8mm x 9.9mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Intermediate Bus Converter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 91%
Current - Output (Max): 30A
Voltage - Input (Min): 36V
Voltage - Output 1: 5V
Control Features: Enable, Active Low
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	5511.06 грн
5+	5265.56 грн
10+	5224.1 грн
25+	4746.97 грн
50+	4513.51 грн

IQE48030A050V-001-R

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 36-75Vin 5V 30A 150W NegPlrty 1/4brick TH

товар відсутній

iQE48040A033V-001-R

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 48Vin3.3Vout40A 132W PCB Mount 1/4 Brick

товар відсутній

IQE4W011A120V-001-R

Module DC-DC 1-OUT 12V 11A 132W 8-Pin Quarter-Brick

товар відсутній

IQE4W011A120V-001-R

Description: DC DC CONVERTER 12V 132W
Features: Remote On/Off, OCP, OVP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP Module
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.39" H (57.9mm x 36.8mm x 9.9mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Intermediate Bus Converter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 60V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 11A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active Low
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	6027.56 грн
5+	5758.5 грн
10+	5712.48 грн
25+	5015.11 грн
50+	4842.17 грн

IQE4W011A120V-001-R

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 18-60V 12Vout11A132W NegPlrty 1/4brick T

товар відсутній

IQE4W011A120V-001-R