Продукція > NP9

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NP9PRO POWERDescription: PRO POWER - NP9 - Befestigungselement, Klemme, Kabelklemme, Befestigung mit Schraube, 22.8 mm, Schwarz, 28.5 mm
tariffCode: 85469090
Material der Kabelklemme/des Kabelclips: -
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
Außenlänge: 28.5mm
euEccn: NLR
hazardous: false
Kabelklemme/Kabelclip: Kabelklemme, Befestigung mit Schraube
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Höhe: 43.2mm
Farbe der Kabelklemme/des Kabelclips: Schwarz
Innendurchmesser: 22.8mm
usEccn: EAR99
Außenbreite: 19mm
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+357.67 грн
5+ 277.16 грн
10+ 243.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP909359G01
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP90N03VHG
на замовлення 4322 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP90N03VHG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товар відсутній
NP90N03VHG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
товар відсутній
NP90N03VLG
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP90N03VLG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
товар відсутній
NP90N03VLG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET Single MOSFET, Pch SC-95/SOT-6
товар відсутній
NP90N03VUG
на замовлення 5555 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP90N03VUG-E1-AYRenesasTrans MOSFET N-CH 30V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NP90N03VUG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+130.97 грн
Мінімальне замовлення: 158
NP90N04MUG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP90N04MUG-S18-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 25 V
товар відсутній
NP90N04MUG-S18-AYRenesasTO220-3/N-CHANNEL POWER MOS FET VDSS=40V, ID=90A, RDSON=3MOHM NP90N04
кількість в упаковці: 50 шт
товар відсутній
NP90N04MUK
на замовлення 3789 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP90N04MUK-S18-AYRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товар відсутній
NP90N04MUK-S18-AYRenesasMP-25K/TO-220NCH, SINGLE, MP-25K/TO-220, 40V, ID(DC)90A, кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NP90N04MUK-S18-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO220
товар відсутній
NP90N04NUK
на замовлення 4784 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP90N04NUK-S18-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO262
товар відсутній
NP90N04PDH
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP90N04PUF
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP90N04PUF-E1-AY/J
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP90N04PUH
на замовлення 3432 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP90N04VDG
на замовлення 4222 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP90N04VDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+129.31 грн
Мінімальне замовлення: 164
NP90N04VDG-E1-AYRenesasTrans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NP90N04VDK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: POWER DEVICE AUTOMOTIVE MOS MP-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.08 грн
10+ 115.09 грн
100+ 91.6 грн
500+ 72.74 грн
1000+ 61.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP90N04VDK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: POWER DEVICE AUTOMOTIVE MOS MP-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP90N04VDK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET POWER DEVICE AUTOMOTIVE MOS MP-3ZP ANL
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.59 грн
10+ 126.19 грн
100+ 87.65 грн
250+ 84.2 грн
500+ 73.84 грн
1000+ 62.73 грн
2500+ 59.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP90N04VLG-E1-AYRenesasTrans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NP90N04VLG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+129.31 грн
Мінімальне замовлення: 164
NP90N04VLK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.2 грн
5000+ 66.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP90N04VLK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET POWER MOSFET
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.69 грн
10+ 140.48 грн
100+ 96.62 грн
250+ 89.03 грн
500+ 80.75 грн
1000+ 69.01 грн
2500+ 66.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
NP90N04VLK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
NP90N04VUG(1)-E1-AYRenesasOld Part NP90N04VUG(1)-E1-AY^NEC
товар відсутній
NP90N04VUG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET MP-3ZP PoTr-MOSFET Low
товар відсутній
NP90N04VUG-E1-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252
товар відсутній
NP90N04VUG-E1-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252
товар відсутній
NP90N04VUK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 25 V
на замовлення 7414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.59 грн
10+ 114.09 грн
100+ 90.81 грн
500+ 72.11 грн
1000+ 61.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP90N04VUK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET POWER DEVICE E AUTOMOTIVE MOS MP-3ZP
товар відсутній
NP90N04VUK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP90N055MUK-S18-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 55V 90A TO220-3
товар відсутній
NP90N055NUK-S18-AYRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товар відсутній
NP90N055NUK-S18-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 55V 90A TO262-3
товар відсутній
NP90N055VDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 90A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+124.36 грн
Мінімальне замовлення: 171
NP90N055VDG-E1-AYRenesasTrans MOSFET N-CH 55V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NP90N055VUG-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 55V 90A TO-252
товар відсутній
NP90N055VUG-E1-AYRenesasTrans MOSFET N-CH 55V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NP90N055VUG-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 55V 90A TO-252
товар відсутній
NP90N055VUG-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 55V 90A TO-252
товар відсутній
NP90N055VUK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 7117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.1 грн
10+ 112.94 грн
100+ 89.88 грн
500+ 71.37 грн
1000+ 60.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP90N055VUK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP90N055VUK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.37 грн
10+ 123.81 грн
100+ 86.27 грн
500+ 72.46 грн
1000+ 61.56 грн
2500+ 58.39 грн
5000+ 56.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP90N06VDK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: POWER TRANSISTOR N-CH AUTO POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.1 грн
10+ 112.72 грн
100+ 89.75 грн
500+ 71.27 грн
1000+ 60.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP90N06VDK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET POWER TRANSISTOR N-CH AUTO POWER MOSFET
на замовлення 2047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.56 грн
10+ 123.02 грн
100+ 85.58 грн
250+ 78.67 грн
500+ 71.08 грн
1000+ 61.42 грн
2500+ 58.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP90N06VDK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: POWER TRANSISTOR N-CH AUTO POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP90N06VLG
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP90N06VLG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
товар відсутній
NP90N06VLG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET POWER DEVICE E AUTO MOS MP-3ZP UMOS4
товар відсутній
NP90N06VLK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: ABU / MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.59 грн
10+ 113.94 грн
100+ 90.67 грн
500+ 72 грн
1000+ 61.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP90N06VLK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: ABU / MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP90N06VLK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET POWER TRS2 AUTOMOTIVE MOS MP-3ZP ANL2
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.17 грн
10+ 124.6 грн
100+ 86.27 грн
250+ 79.36 грн
500+ 71.77 грн
1000+ 62.04 грн
2500+ 58.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP915GIWRATM18IAntenna Technologies Limited CompanyDescription: 915 MHZ GROUND IND SLOT OMNI
Packaging: Box
Features: Cable - 457.2mm
Mounting Type: Adhesive
Frequency Range: 890MHz ~ 960MHz
Gain: 2.5dBi
Termination: TNC Male
Number of Bands: 1
VSWR: 1.5
Frequency (Center/Band): 925MHz
Part Status: Active
Power - Max: 50 W
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26375.09 грн
NP915WGIR3MMX9IAntenna Technologies Limited CompanyDescription: 915 MHZ GROUND IND SLOT OMNI
Features: Cable - 228.6mm
Packaging: Box
Mounting Type: Adhesive
Frequency Range: 890MHz ~ 960MHz
Gain: 2.5dBi
Termination: MMCX Male
Number of Bands: 1
VSWR: 1.5
Frequency (Center/Band): 925MHz
Part Status: Active
Power - Max: 50 W
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27323.94 грн
NP925GIL1RPSM50FAntenna Technologies Limited CompanyDescription: 925 MHZ GROUND IND SLOT OMNI
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NP925GITM20FAntenna Technologies Limited CompanyDescription: 925 MHZ GROUND IND SLOT OMNI
Features: Cable - 6.09m
Packaging: Box
Mounting Type: Adhesive
Frequency Range: 902MHz ~ 928MHz
Gain: 2.5dBi
Termination: TNC Male
Number of Bands: 1
VSWR: 1.5
Frequency (Center/Band): 915MHz
Part Status: Active
Power - Max: 50 W
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27972.68 грн
NP9353BCPZ
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP97125B
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP975831 REV 03AavidHeat Sinks Custom Rev. 03
товар відсутній