Продукція > NTG

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTG04-015MD0.8YAGEODescription: YAGEO - NTG04-015MD0.8 - Thermistor, ICL, NTC, 15 Ohm, Produktreihe NT, 13mm, 4A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 4A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
hazardous: false
Temperaturabhängiger Widerstand bei 25°C: 15ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 13mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.19 грн
50+ 37.86 грн
250+ 31.74 грн
Мінімальне замовлення: 15
NTG04-020MYageoInrush Current Limiter Thermistors
товар відсутній
NTG05-010MD0.8YAGEODescription: YAGEO - NTG05-010MD0.8 - Thermistor, ICL, NTC, 10 Ohm, Produktreihe NT, 13mm, 5A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 5A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
hazardous: false
Temperaturabhängiger Widerstand bei 25°C: 10ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 13mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.06 грн
50+ 39.87 грн
250+ 33.44 грн
500+ 27.39 грн
1500+ 22.03 грн
Мінімальне замовлення: 14
NTG06-005MD0.8YAGEODescription: YAGEO - NTG06-005MD0.8 - Thermistor, ICL, NTC, 5 Ohm, Produktreihe NT, 13mm, 6A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 6A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
hazardous: false
Temperaturabhängiger Widerstand bei 25°C: 5ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 13mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+42.19 грн
50+ 35.15 грн
Мінімальне замовлення: 19
NTG07-002MD0.8YAGEODescription: YAGEO - NTG07-002MD0.8 - Thermistor, ICL, NTC, 2 Ohm, Produktreihe NT, 13mm, 7A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 7A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
hazardous: false
Temperaturabhängiger Widerstand bei 25°C: 2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 13mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48 грн
50+ 39.79 грн
Мінімальне замовлення: 17
NTG204AH683HT
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTG3441T1ON04+ ;
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTG3441T1ONSOT163-PT2
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTG3441T1ON
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTG3441T1ON07+;
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTG3441T1 SOT163-PT2ON
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTG3441T1 SOT163-PT2ON
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTG3441T1SOT163
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTG3441T1SOT163-PT2
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTG3443T1ON
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGD1100Lonsemionsemi NFET SC74 20V 3.3A 55MOHM
товар відсутній
NTGD1100LT1onsemiDescription: IC PWR DRIVER P-CHAN 1:1 6TSOP
товар відсутній
NTGD1100LT1onsemiMOSFET NFET TSOP6 3.3A 20V TR
товар відсутній
NTGD1100LT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 8V; 2.4A; Idm: 10A; 430mW; TSOP6
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.43W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTGD1100LT1GonsemiDescription: IC PWR DRIVER P-CHAN 1:1 6TSOP
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+43.3 грн
10+ 36.88 грн
25+ 34.62 грн
100+ 26.52 грн
250+ 24.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTGD1100LT1GonsemiMOSFET 8V +/-3.3A P-Channel w/Level Shift
товар відсутній
NTGD1100LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD1100LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: -
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 830
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTGD1100LT1GONSEMI2009 SC-74
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGD1100LT1G
Код товару: 187236		Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: TSOP-6
Примітка: MOSFET 8V +/-3.3A P-Channel w/Level Shift
товар відсутній
NTGD1100LT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 8V; 2.4A; Idm: 10A; 430mW; TSOP6
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.43W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTGD1100LT1GonsemiDescription: IC PWR DRIVER P-CHAN 1:1 6TSOP
товар відсутній
NTGD1100LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD1100LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: -
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 830
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTGD1100LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 8V 3.3A 6-Pin SC-74 T/R
товар відсутній
NTGD1100LT1GON08+ DIP
на замовлення 399 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGD1100LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 8V 3.3A 6-Pin SC-74 T/R
товар відсутній
NTGD3122C
на замовлення 305 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGD3122CT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGD3133PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 560mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
987+20.97 грн
Мінімальне замовлення: 987
NTGD3133PT1GON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGD3133PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 560mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTGD3133PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD3133PT1G - NTGD3133PT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTGD3133PT1HonsemiDescription: PFET TSOP6 20V 2.3A 145MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
987+20.97 грн
Мінімальне замовлення: 987
NTGD3133PT1HONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD3133PT1H - NTGD3133P - PFET TSOP6 20V 2.3A 145MO
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTGD3147FT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGD3147FT1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
товар відсутній
NTGD3148NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.2A; 0.9W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTGD3148NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
NTGD3148NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.74 грн
22+ 36.15 грн
100+ 22.68 грн
500+ 13.37 грн
3000+ 10.48 грн
Мінімальне замовлення: 18
NTGD3148NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.2A; 0.9W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTGD3148NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
товар відсутній
NTGD3148NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTGD3148NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
NTGD3148NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.68 грн
500+ 13.37 грн
3000+ 10.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTGD3148NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
товар відсутній
NTGD3148NT1GonsemiMOSFET NFET 20V 3A 70MOHM TSOP6
на замовлення 45598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.69 грн
10+ 33.33 грн
100+ 20.22 грн
500+ 15.8 грн
1000+ 12.84 грн
3000+ 10.9 грн
9000+ 10.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTGD3149CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.4A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
NTGD3149CT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
товар відсутній
NTGD3149CT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGD3149CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.4A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
NTGD4161PT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP
товар відсутній
NTGD4161PT1GNO10+ SOT23-6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGD4161PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
NTGD4161PT1GON Semiconductor
на замовлення 319 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGD4161PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
NTGD4161PT1GonsemiMOSFET PFET TSOP6 20V 2.3A 160mOhm
товар відсутній
NTGD4161PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP
товар відсутній
NTGD4161PT1GON09+
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGD4161PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
NTGD4167Consemionsemi COMP TSOP6 30V 2.9A 0.090
товар відсутній
NTGD4167CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.53 грн
9000+ 14.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTGD4167CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+23.66 грн
27+ 22.03 грн
100+ 18.06 грн
250+ 16.62 грн
500+ 14.01 грн
1000+ 11.78 грн
Мінімальне замовлення: 26
NTGD4167CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.6/1.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 911000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTGD4167CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.72 грн
18+ 43.66 грн
100+ 29.34 грн
500+ 16.68 грн
3000+ 13.01 грн
Мінімальне замовлення: 15
NTGD4167CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.33 грн
9000+ 13.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTGD4167CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
NTGD4167CT1GonsemiMOSFET COMP 30V 2.9A 0.090 TSOP6
на замовлення 44921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.48 грн
13+ 26.19 грн
100+ 16.43 грн
500+ 13.32 грн
1000+ 12.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTGD4167CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
505+23.72 грн
594+ 20.17 грн
597+ 20.05 грн
680+ 16.97 грн
1000+ 13.21 грн
Мінімальне замовлення: 505
NTGD4167CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.6/1.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 923824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
12+ 25.88 грн
100+ 17.98 грн
500+ 13.17 грн
1000+ 11.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTGD4167CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.9/-1.4A
Power dissipation: 0.9W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90/170mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTGD4167CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.34 грн
500+ 16.68 грн
3000+ 13.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTGD4167CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.9/-1.4A
Power dissipation: 0.9W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90/170mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTGD4167CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTGD4167CT1G-ND
на замовлення 3106 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGD4167PT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGD4169FT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.6A 6TSOP
на замовлення 185907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2061+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 2061
NTGD4169FT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP
товар відсутній
NTGD4169FT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD4169FT1G - NTGD4169FT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 185907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTGD4169FT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
NTGD4169FT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGF3123PT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGLA05A2
на замовлення 244 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGLX25A
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS1135PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 8V 4.6A 6TSOP
на замовлення 17380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 1110
NTGS1135PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 8V 4.6A 6TSOP
товар відсутній
NTGS1N03LT1G
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS1P02LT1G
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS1P03LT1G
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3130
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3130NT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 19A; 600mW; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 0.6W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTGS3130NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3130NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.019 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 5.6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NTGS3130NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.6A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
NTGS3130NT1GonsemiMOSFET POWER MOSFET 20V 5.6A SNGL CH
на замовлення 8013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.16 грн
10+ 53.25 грн
100+ 32.09 грн
500+ 26.85 грн
1000+ 22.84 грн
3000+ 20.63 грн
6000+ 19.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTGS3130NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 4.23A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 16 V
на замовлення 16905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.95 грн
10+ 55.35 грн
100+ 42.41 грн
500+ 31.47 грн
1000+ 25.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTGS3130NT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 19A; 600mW; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 0.6W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTGS3130NT1GON Semiconductor
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3130NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.6A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
NTGS3130NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 4.23A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 16 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.24 грн
6000+ 22.63 грн
15000+ 21.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTGS3136PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1901 pF @ 10 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.92 грн
6000+ 25.03 грн
15000+ 24.1 грн
30000+ 21.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTGS3136PT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.6A; Idm: -20A; 700mW; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 0.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTGS3136PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
NTGS3136PT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.6A; Idm: -20A; 700mW; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 0.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTGS3136PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3136PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.1 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 1.25
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NTGS3136PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
NTGS3136PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1901 pF @ 10 V
на замовлення 55967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.41 грн
10+ 61.18 грн
100+ 46.91 грн
500+ 34.8 грн
1000+ 27.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTGS3136PT1GON Semiconductor
на замовлення 20939 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3136PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3136PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.1 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 5.1
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NTGS3136PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
NTGS3136PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
NTGS3136PT1GonsemiMOSFET PFET TSOP6 20V/8V TR
на замовлення 5648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+80.52 грн
10+ 70.16 грн
100+ 46.72 грн
500+ 36.99 грн
1000+ 29.61 грн
3000+ 26.78 грн
6000+ 24.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTGS3136PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
NTGS3341T1
на замовлення 2616 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3433MOTOROLA
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3433T1ON2004
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3433T1onsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.3A 6-TSOP
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
на замовлення 50930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3206+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 3206
NTGS3433T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3433T1 - NTGS3433T1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3570+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 3570
NTGS3433T1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.35A; Idm: -14A; 1W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.35A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTGS3433T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 3.3A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
NTGS3433T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.35A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 5 V
товар відсутній
NTGS3433T1GonsemiMOSFET -12V -3.3A P-Channel
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 350-359 дні (днів)
9+37.84 грн
10+ 33.57 грн
100+ 23.88 грн
500+ 20.15 грн
1000+ 17.46 грн
3000+ 16.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTGS3433T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 3.3A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
NTGS3433T1G
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3433T1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.35A; Idm: -14A; 1W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.35A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTGS3433T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.35A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 5 V
товар відсутній
NTGS3433VT1G
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3441MOTOROLA
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3441BT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
товар відсутній
NTGS3441BT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3441BT1G - NTGS3441BT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 48750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3210+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 3210
NTGS3441BT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 48750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2885+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 2885
NTGS3441G1
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3441LT1ON09+
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3441PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3441PT1G - NTGS3441PT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3570+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 3570
NTGS3441PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 15 V
товар відсутній
NTGS3441PT1G
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3441PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.8A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 15 V
на замовлення 4571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3206+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 3206
NTGS3441PT1G10+ SOT-163
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3441T1ON01+ SOT23-5
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3441T1ONSOT163
на замовлення 12810 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3441T1onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V
товар відсутній
NTGS3441T1ON
на замовлення 1921 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3441T1ON05+
на замовлення 5541 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3441T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3441T1 - NTGS3441T1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 47513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6420+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 6420
NTGS3441T1onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V
на замовлення 47513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5770+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 5770
NTGS3441T1/PT
на замовлення 3110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3441T1GonsemiMOSFET 20V 1A P-Channel
на замовлення 8458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.22 грн
10+ 34.21 грн
100+ 22.5 грн
500+ 17.81 грн
1000+ 14.42 грн
3000+ 12.22 грн
9000+ 11.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTGS3441T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
NTGS3441T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.56 грн
6000+ 14.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTGS3441T1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.35A; 1W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.35A
Power dissipation: 1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTGS3441T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
542+22.08 грн
608+ 19.7 грн
614+ 19.5 грн
667+ 17.32 грн
1000+ 14.1 грн
3000+ 12.88 грн
Мінімальне замовлення: 542
NTGS3441T1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.35A; 1W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.35A
Power dissipation: 1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTGS3441T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V
на замовлення 14618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.03 грн
10+ 38.6 грн
100+ 28.81 грн
500+ 21.24 грн
1000+ 16.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTGS3441T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+21.66 грн
29+ 20.5 грн
100+ 17.64 грн
250+ 16.17 грн
500+ 14.29 грн
1000+ 12.57 грн
3000+ 11.96 грн
Мінімальне замовлення: 28
NTGS3441T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
NTGS3441T1SOT163-PT2
на замовлення 7897 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3441TI
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3442T1G
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3443ONSOT-163
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3443BT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3443BT1G - NTGS3443BT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 64592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3570+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 3570
NTGS3443BT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.7A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 819 pF @ 10 V
на замовлення 64592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3206+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 3206
NTGS3443BT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 819 pF @ 10 V
товар відсутній
NTGS3443T
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3443T1OnsemiSOT163
на замовлення 15080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3443T1onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V
товар відсутній
NTGS3443T1ON07+;
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3443T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.92 грн
6000+ 10.9 грн
9000+ 10.12 грн
30000+ 9.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTGS3443T1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; 1W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
Power dissipation: 1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTGS3443T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTGS3443T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
NTGS3443T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V
на замовлення 53672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.09 грн
10+ 29.11 грн
100+ 20.24 грн
500+ 14.83 грн
1000+ 12.05 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTGS3443T1GonsemiMOSFET 20V 2A P-Channel
на замовлення 43119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.9 грн
10+ 34.37 грн
100+ 22.36 грн
500+ 17.6 грн
1000+ 13.6 грн
3000+ 12.35 грн
6000+ 11.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTGS3443T1GON-SemicoductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin TSOP NTGS3443T1G TNTGS3443
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTGS3443T1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; 1W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
Power dissipation: 1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTGS3443T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3443T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.058 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 3.1
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.058
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTGS3443T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
NTGS3443T2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTGS3443T2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V
товар відсутній
NTGS3445T1G
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3446onsemiMOSFET NFET TSOP6 20V 5.1A 45MOH
товар відсутній
NTGS3446GonsemiMOSFET
товар відсутній
NTGS3446T1ON09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3446T1onsemiMOSFET 20V 5.1A N-Channel
товар відсутній
NTGS3446T1onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V
товар відсутній
NTGS3446T1ON07+;
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3446T1ON09+ ORIGIN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3446T1onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V
товар відсутній
NTGS3446T1ON05+
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3446T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3446T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.76 грн
500+ 17.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTGS3446T1GonsemiMOSFET 20V 5.1A N-Channel
на замовлення 48669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.95 грн
10+ 32.38 грн
100+ 22.5 грн
500+ 18.7 грн
1000+ 15.18 грн
3000+ 13.73 грн
9000+ 12.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTGS3446T1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTGS3446T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
NTGS3446T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 4331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+27.21 грн
24+ 25.54 грн
25+ 25.28 грн
100+ 21.44 грн
250+ 19.66 грн
500+ 16.62 грн
1000+ 14.25 грн
3000+ 13.28 грн
Мінімальне замовлення: 22
NTGS3446T1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTGS3446T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 4331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
440+27.23 грн
500+ 23.95 грн
505+ 23.71 грн
574+ 20.13 грн
1000+ 15.99 грн
3000+ 14.3 грн
Мінімальне замовлення: 440
NTGS3446T1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTGS3446T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3446T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.57 грн
23+ 34.14 грн
100+ 22.76 грн
500+ 17.04 грн
Мінімальне замовлення: 19
NTGS3446T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTGS3446T1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V
на замовлення 6747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.29 грн
10+ 37.81 грн
100+ 26.3 грн
500+ 19.27 грн
1000+ 15.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTGS3446T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
NTGS3446T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
NTGS3446T1G/446
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3447PT1G10+ SOT-163
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3447PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.4A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 6 V
товар відсутній
NTGS3447PT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3447PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3447PT1G - NTGS3447PT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2010+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 2010
NTGS3447PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.4A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 6 V
на замовлення 8980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1803+12.69 грн
Мінімальне замовлення: 1803
NTGS3447T1G
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3448T1G
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3455T
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3455T1ONSOT23-6 05+
на замовлення 2953 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS3455T1onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V
товар відсутній
NTGS3455T1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; 2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTGS3455T1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; 2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTGS3455T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.56 грн
6000+ 12.39 грн
9000+ 11.51 грн
30000+ 10.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTGS3455T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
NTGS3455T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V
на замовлення 38984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.31 грн
10+ 33.14 грн
100+ 23.02 грн
500+ 16.87 грн
1000+ 13.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTGS3455T1GonsemiMOSFET 30V 3.5A P-Channel
на замовлення 140635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.95 грн
13+ 25.56 грн
100+ 17.05 грн
500+ 14.42 грн
1000+ 12.63 грн
3000+ 11.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTGS3455T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
NTGS3455T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTGS3455TI
на замовлення 10807 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS4111
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS4111PT1onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
товар відсутній
NTGS4111PT1ON04+
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS4111PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS4111PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.7 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4.7
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.06 грн
20+ 39.79 грн
100+ 29.73 грн
500+ 16.75 грн
Мінімальне замовлення: 17
NTGS4111PT1GonsemiMOSFET -30V -4.7A P-Channel
на замовлення 21296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.91 грн
12+ 26.83 грн
100+ 19.05 грн
500+ 17.87 грн
1000+ 14.63 грн
3000+ 12.01 грн
9000+ 10.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTGS4111PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
NTGS4111PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTGS4111PT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; 1.25W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTGS4111PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
на замовлення 36114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.07 грн
10+ 31.13 грн
100+ 21.6 грн
500+ 15.83 грн
1000+ 12.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTGS4111PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
374+32.04 грн
493+ 24.27 грн
512+ 23.41 грн
637+ 18.12 грн
1000+ 12.87 грн
3000+ 11.15 грн
6000+ 11.03 грн
Мінімальне замовлення: 374
NTGS4111PT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; 1.25W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTGS4111PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS4111PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.7 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 1.25
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.73 грн
500+ 16.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTGS4111PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.72 грн
6000+ 11.63 грн
9000+ 10.8 грн
30000+ 9.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTGS4111PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+35 грн
20+ 30.05 грн
25+ 29.75 грн
100+ 21.74 грн
250+ 19.4 грн
500+ 14.95 грн
1000+ 11.47 грн
3000+ 10.36 грн
6000+ 10.24 грн
Мінімальне замовлення: 17
NTGS4111PT2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
товар відсутній
NTGS4141Nonsemionsemi NFET TSOP6 30V 7A 0.030R
товар відсутній
NTGS4141NT1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS4141NT1Rochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP
товар відсутній
NTGS4141NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 5240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
451+26.58 грн
567+ 21.13 грн
571+ 20.97 грн
698+ 16.53 грн
1000+ 12.22 грн
3000+ 11.38 грн
Мінімальне замовлення: 451
NTGS4141NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 5240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+25.96 грн
24+ 24.87 грн
25+ 24.68 грн
100+ 18.92 грн
250+ 17.39 грн
500+ 13.64 грн
1000+ 10.9 грн
3000+ 10.57 грн
Мінімальне замовлення: 23
NTGS4141NT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+24.85 грн
25+ 17.83 грн
65+ 12.95 грн
175+ 12.24 грн
Мінімальне замовлення: 20
NTGS4141NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 24 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTGS4141NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
NTGS4141NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS4141NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0215 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0215ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0215ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 46750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+26.48 грн
34+ 23.38 грн
100+ 18.27 грн
500+ 13.66 грн
1000+ 10.09 грн
3000+ 9.29 грн
Мінімальне замовлення: 30
NTGS4141NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTGS4141NT1GonsemiMOSFET 30V 7A N-Channel
на замовлення 55122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.44 грн
15+ 22.06 грн
100+ 14.63 грн
500+ 12.28 грн
1000+ 10.14 грн
3000+ 9.32 грн
9000+ 8.76 грн
Мінімальне замовлення: 13
NTGS4141NT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+29.82 грн
25+ 22.22 грн
65+ 15.54 грн
175+ 14.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTGS4141NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
NTGS4141NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 24 V
на замовлення 4419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
11+ 26.38 грн
100+ 18.32 грн
500+ 13.42 грн
1000+ 10.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTGS4141NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTGS4141NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTGS4191NT1GON05+
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS4191NT1GON05+NOP
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS5120PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 30 V
на замовлення 28350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.34 грн
11+ 28.25 грн
100+ 19.63 грн
500+ 14.39 грн
1000+ 11.7 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTGS5120PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS5120PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.072 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 2.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.68 грн
21+ 37.32 грн
100+ 24.85 грн
Мінімальне замовлення: 17
NTGS5120PT1GonsemiMOSFET PFET TSOP6 60V 2.5A 110mOhm
на замовлення 10549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.67 грн
10+ 36.43 грн
100+ 23.67 грн
500+ 18.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTGS5120PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
NTGS5120PT1GONSOT-163
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTGS5120PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 30 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.57 грн
6000+ 10.57 грн
9000+ 9.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTGS5120PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTGS5120PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+46.55 грн
344+ 34.87 грн
347+ 34.52 грн
Мінімальне замовлення: 258
NTGS5120PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+51.33 грн
14+ 43.65 грн
25+ 43.23 грн
100+ 31.22 грн
250+ 28.62 грн
Мінімальне замовлення: 12
NTGWApex Tool Group B.V.Soldering Tips For micro soldering pencil
товар відсутній
NTGWWellerSoldering Irons Weller Cylind Tip For WMP Solder Penc
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1869.56 грн
NTGWWELLERDescription: WELLER - NTGW - Lötspitze, konisch, 2mm
tariffCode: 85159080
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
Breite der Spitze/Düse: 2mm
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
Spitze/Düse: Konisch
Zur Verwendung mit: Mikro-Lötkolben der Baureihe WMP von Weller
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2028.36 грн
NTGWApex Tool GroupSoldering Irons Weller Cylind Tip For WMP Solder Penc
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTGWWELLERWEL.NT-GW Soldering tips
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2433.57 грн
2+ 2300.72 грн
NTGWNApex Tool GroupDescription: TIP CYLINDRICAL NTGW
товар відсутній