Продукція > NXH

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NXH003P120M3F2PTHGonsemiDiscrete Semiconductor Modules Silicon Carbide (SiC) Module - EliteSiC, 3 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package Silicon Carbide (SiC) Module ? EliteSiC, 3 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+18340.56 грн
10+ 16932.52 грн
20+ 14250.5 грн
NXH003P120M3F2PTHGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 36-Pin PIM Tray
товар відсутній
NXH003P120M3F2PTHGonsemiDescription: ELITESIC, 3 MOHM SIC M3S MOSFET,
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 979W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20889pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1195nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 160mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17122.53 грн
20+ 15443.03 грн
40+ 14862.46 грн
NXH003P120M3F2PTNGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 435A 36-Pin PIM Tray
товар відсутній
NXH003P120M3F2PTNGonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MODULE EL
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1.48kW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20889pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1200nC @ 20V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 160mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17834.73 грн
NXH003P120M3F2PTNGonsemiDiscrete Semiconductor Modules Silicon Carbide (SiC) Module - EliteSiC, 3 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package Silicon Carbide (SiC) Module EliteSiC, 3 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+19370.35 грн
10+ 17883.32 грн
20+ 15051.05 грн
NXH004P120M3F2PNGonsemiDiscrete Semiconductor Modules 1200V 4MOHM M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES(NON TIM PRINT VERSION)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+16526.55 грн
10+ 15257.92 грн
20+ 12841.26 грн
NXH004P120M3F2PTHGonsemiDescription: ELITESIC, 3 MOHM SIC M3S MOSFET,
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 785W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 284A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16410pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 876nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 120mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13943.79 грн
20+ 12576.51 грн
NXH004P120M3F2PTHGonsemiDiscrete Semiconductor Modules Silicon Carbide (SiC) Module - EliteSiC, 4 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package Silicon Carbide (SiC) Module - EliteSiC, 4 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+14936.38 грн
10+ 13789.67 грн
20+ 11605.92 грн
NXH004P120M3F2PTHGON SemiconductorSilicon Carbide Module -Elite SIC, 4mohm SIC M3 MOSFET
товар відсутній
NXH004P120M3F2PTNGON SemiconductorNXH004P120M3F2PTNG
товар відсутній
NXH004P120M3F2PTNGonsemiDiscrete Semiconductor Modules Silicon Carbide (SiC) Module - EliteSiC, 4 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package Silicon Carbide (SiC) Module - EliteSiC, 4 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+16134.44 грн
10+ 14895.22 грн
20+ 12536.91 грн
NXH006P120M3F2PTHGON SemiconductorSilicon Carbide Module MOSFET
товар відсутній
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
товар відсутній
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+30317.83 грн
2+ 29230.77 грн
3+ 28310.36 грн
NXH006P120MNF2PTG
Код товару: 201505		Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній
NXH006P120MNF2PTGonsemiDiscrete Semiconductor Modules Silicon Carbide (SiC) Module - EliteSiC, 6 mohm SiC MOSFET, 1200 V, Half Bridge 2-PACK, F2 Package
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+23343.78 грн
10+ 21551.57 грн
20+ 18138.01 грн
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19566.48 грн
Мінімальне замовлення: 17
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A Automotive 36-Pin PIM Tray
товар відсутній
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NXH006P120MNF2PTGonsemiDescription: SIC MODULES HALF BRIDGE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge Inverter
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Current: 304 A
Voltage: 1.2 kV
товар відсутній
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16831.89 грн
Мінімальне замовлення: 20
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
товар відсутній
NXH007F120M3F2PTHGON SemiconductorSiliconCarbide Module MOSFET
товар відсутній
NXH008T120M3F2PTHGonsemiDiscrete Semiconductor Modules Silicon Carbide (SiC) Module - EliteSiC, 8 mohm, 1200V, M3S, TNPC Topology, F2 Package
на замовлення 20 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
1+14008.04 грн
10+ 13223.8 грн
NXH010P120MNF1PGonsemiDescription: PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 250W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
Part Status: Active
товар відсутній
NXH010P120MNF1PGonsemiDiscrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
на замовлення 28 шт:
термін постачання 554-563 дні (днів)
1+11795.48 грн
10+ 10889.67 грн
28+ 9165.62 грн
NXH010P120MNF1PGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A Automotive
товар відсутній
NXH010P120MNF1PNGonsemiDiscrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM(NI-PLATED)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11909.01 грн
10+ 10993.64 грн
28+ 9253.27 грн
NXH010P120MNF1PNGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A Automotive
товар відсутній
NXH010P120MNF1PNGonsemiDescription: SIC 2N-CH 1200V 114A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 250W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11117.4 грн
10+ 10253.4 грн
28+ 10027.25 грн
NXH010P120MNF1PTGonsemiDescription: PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 250W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
Part Status: Active
товар відсутній
NXH010P120MNF1PTGonsemiDiscrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
на замовлення 56 шт:
термін постачання 1095-1104 дні (днів)
1+11795.48 грн
10+ 10889.67 грн
28+ 9165.62 грн
NXH010P120MNF1PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A Automotive Tray
товар відсутній
NXH010P120MNF1PTNGonsemiDescription: PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 250W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
Part Status: Active
товар відсутній
NXH010P120MNF1PTNGonsemiDiscrete Semiconductor Modules SiC Module - EliteSiC 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 10 mohm SiC M1 MOSFET Press-fit pins, Thermal Interface Material, Nickel Plated
товар відсутній
NXH010P120MNF1PTNGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A
товар відсутній
NXH010P90MNF1PGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 154A Automotive
товар відсутній
NXH010P90MNF1PGonsemiDiscrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOHM
на замовлення 28 шт:
термін постачання 518-527 дні (днів)
1+9900.15 грн
10+ 8488.88 грн
NXH010P90MNF1PTGonsemiDiscrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOHM
на замовлення 56 шт:
термін постачання 906-915 дні (днів)
1+12088.55 грн
10+ 11160.31 грн
28+ 9392.68 грн
NXH010P90MNF1PTGonsemiDescription: PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOH
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 328W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7007pF @ 450V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546.4nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
Part Status: Active
товар відсутній
NXH010P90MNF1PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 154A Automotive Tray
товар відсутній
NXH011T120M3F2PTHGonsemiDiscrete Semiconductor Modules Silicon Carbide (SiC) Module - 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, TNPC Topology in F2 Package Silicon Carbide (SiC) Module ? 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, TNPC Topology in F2 Package
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11528.17 грн
10+ 10777.77 грн
20+ 9116.62 грн
100+ 8478.94 грн
260+ 8288.47 грн
NXH011T120M3F2PTHGonsemiDescription: 11M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODUL
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Solar Inverter)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 272W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6331pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 70A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 306nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 40mA
Supplier Device Package: 29-PIM (56.7x42.5)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9792.3 грн
NXH020F120MNF1PGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 51A
товар відсутній
NXH020F120MNF1PGonsemiDiscrete Semiconductor Modules SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm M1 SiC MOSFET
товар відсутній
NXH020F120MNF1PGonsemiDescription: SIC 4N-CH 1200V 51A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
товар відсутній
NXH020F120MNF1PTGonsemiDiscrete Semiconductor Modules SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm M1 SiC MOSFET with TIM
на замовлення 56 шт:
термін постачання 98-107 дні (днів)
1+12066.82 грн
10+ 11139.67 грн
NXH020F120MNF1PTGonsemiDescription: SIC 4N-CH 1200V 51A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
товар відсутній
NXH020F120MNF1PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 51A Automotive Tray
товар відсутній
NXH020P120MNF1PGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 51A
товар відсутній
NXH020P120MNF1PGonsemiDiscrete Semiconductor Modules SiC Module, 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm SiC M1 MOSFET
на замовлення 25 шт:
термін постачання 98-107 дні (днів)
1+8481.47 грн
10+ 7632.53 грн
NXH020P120MNF1PGonsemiDescription: SIC 2N-CH 1200V 51A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
товар відсутній
NXH020P120MNF1PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 51A Automotive Tray
товар відсутній
NXH020P120MNF1PTGonsemiDiscrete Semiconductor Modules SiC Module, 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm SiC M1 MOSFET with TIM
на замовлення 28 шт:
термін постачання 98-107 дні (днів)
1+8481.47 грн
10+ 7632.53 грн
28+ 6331.95 грн
56+ 6192.54 грн
112+ 6038.64 грн
NXH020P120MNF1PTGonsemiDescription: SIC 2N-CH 1200V 51A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
товар відсутній
NXH020U90MNF2PTGonsemiDiscrete Semiconductor Modules SiC Modules, Vienna Module 900V, 2 x 10 mohm SiC MOSFET, 1200V, 2 x 100A, F2 Package
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+15401.76 грн
10+ 14219.03 грн
20+ 11967.55 грн
NXH020U90MNF2PTGonsemiDescription: SIC 2N-CH 900V 149A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 352W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 149A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7007pF @ 450V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546.4nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NXH020U90MNF2PTGONSEMICategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 900V; 149A; PIM20; Press-in PCB; 352W
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 149A
Case: PIM20
Topology: NTC thermistor; Vienna Rectifier
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 10mΩ
Pulsed drain current: 447A
Power dissipation: 352W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -8...18V
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
NXH020U90MNF2PTGON SemiconductorSiC Modules, Vienna Module SiC MOSFET
товар відсутній
NXH020U90MNF2PTGONSEMICategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 900V; 149A; PIM20; Press-in PCB; 352W
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 149A
Case: PIM20
Topology: NTC thermistor; Vienna Rectifier
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 10mΩ
Pulsed drain current: 447A
Power dissipation: 352W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -8...18V
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NXH020U90MNF2PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH020U90MNF2PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücken-Modul, Zweifach n-Kanal, 149 A, 900 V, 0.01003 ohm, Module
tariffCode: 85414900
Drain-Source-Spannung Vds: 900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücken-Modul
euEccn: NLR
Verlustleistung: 352
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01003
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19085.2 грн
5+ 18703.53 грн
NXH027B120MNF2PTGonsemiDescription: IGBT MODULE 1200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NXH027B120MNF2PTGonsemiDiscrete Semiconductor Modules PIM F2 FULL SIC BOOST 1200V 27MOHM TIM PRESS-FIT PINS
товар відсутній
NXH027B120MNF2PTGonsemiDescription: IGBT MODULE 1200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NXH040F120MNF1PGonsemionsemi PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 40MOHM
товар відсутній
NXH040F120MNF1PGON SemiconductorNXH040F120MNF1PG
товар відсутній
NXH040F120MNF1PGonsemiDescription: SIC 4N-CH 1200V 30A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 74W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
товар відсутній
NXH040F120MNF1PTGonsemiDescription: SIC 4N-CH 1200V 30A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 74W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
товар відсутній
NXH040F120MNF1PTGonsemiDiscrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 40MOHM
на замовлення 56 шт:
термін постачання 1161-1170 дні (днів)
1+8481.47 грн
10+ 7632.53 грн
28+ 6331.95 грн
56+ 6192.54 грн
112+ 6038.64 грн
NXH040F120MNF1PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Tray
товар відсутній
NXH040P120MNF1PGonsemiDescription: SIC 2N-CH 1200V 30A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 74W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
товар відсутній
NXH040P120MNF1PGonsemiDiscrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 40MOHM
на замовлення 28 шт:
термін постачання 522-531 дні (днів)
1+6136.87 грн
10+ 5523.01 грн
28+ 4581.78 грн
NXH040P120MNF1PGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive
товар відсутній
NXH040P120MNF1PTGonsemiDiscrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 40MOHM
на замовлення 28 шт:
термін постачання 1239-1248 дні (днів)
1+6136.87 грн
10+ 5523.01 грн
28+ 4581.78 грн
NXH040P120MNF1PTGonsemiDescription: SIC 2N-CH 1200V 30A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 74W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
товар відсутній
NXH100B120H3Q0PGonsemiDescription: PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 61 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6001.4 грн
24+ 5276.11 грн
NXH100B120H3Q0PGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH100B120H3Q0PG - IGBT-Modul, Zweifach, 61 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V
Dauer-Kollektorstrom: 61A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.77V
Verlustleistung Pd: 186W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 186W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 61A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4602.53 грн
NXH100B120H3Q0PTGonsemiIGBT Modules Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. 1.6mm press-fit pins, TIM
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6306.76 грн
10+ 5964.28 грн
24+ 4799.17 грн
48+ 4576.25 грн
NXH100B120H3Q0PTGonsemiDescription: IGBT MODULE 1200V 50A 186W 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6001.4 грн
24+ 5276.11 грн
48+ 5033.76 грн
96+ 4479.04 грн
NXH100B120H3Q0SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH100B120H3Q0SG - IGBT-Modul, Zweifach, 61 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V
Dauer-Kollektorstrom: 61A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.77V
Verlustleistung Pd: 186W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 186W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 61A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4602.53 грн
NXH100B120H3Q0SGonsemiDescription: PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 61 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6001.4 грн
NXH100B120H3Q0STGON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1200V 50A 186000mW Tray
товар відсутній
NXH100B120H3Q0STGonsemiDescription: IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
товар відсутній
NXH100B120H3Q0STGonsemiIGBT Modules Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. Solder pins, TIM
на замовлення 24 шт:
термін постачання 98-107 дні (днів)
1+6427.53 грн
10+ 5784.12 грн
24+ 4799.17 грн
48+ 4692.89 грн
120+ 4576.25 грн
NXH1010-WB
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NXH1010UK/S3,518NXP Semiconductors935287739518
товар відсутній
NXH1031UK/A4BZNXP Semiconductors935307661043
товар відсутній
NXH1501UK/A3ZNXP Semiconductors935304943012
товар відсутній
NXH1501UK/A4ZNXP Semiconductors935307902012
товар відсутній
NXH1501UK/A5ZNXP Semiconductors935351916012
товар відсутній
NXH16.000AC12FJENJAAN07+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NXH16.000AC12FJENJAAN07+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NXH160T120L2Q1SGON SemiconductorQ1PACK Module
товар відсутній
NXH160T120L2Q1SGonsemiDescription: PIM Q1 SPLIT T-TYPE NPC 160A 120
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 160A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 30-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38164 pF @ 25 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6375.41 грн
NXH160T120L2Q1SGonsemiIGBT Modules Power Integrated Module (PIM), IGBT 1200 V, 160 A and 650 V, 100 A Solder pins
товар відсутній
NXH160T120L2Q2F2S1GON SemiconductorPower IGBT Module Transistor
товар відсутній
NXH160T120L2Q2F2S1GonsemiDescription: PIM POWER MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 160A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM/Q2PACK (93x47)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 181 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38.8 nF @ 25 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10423.87 грн
12+ 9291.9 грн
36+ 8952.75 грн
NXH160T120L2Q2F2S1GonsemiIGBT Modules Power Integrated Module (PIM), IGBT 1200 V, 160 A and 650 V, 100 A
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11165.05 грн
10+ 10188.88 грн
25+ 8857.82 грн
36+ 8536.22 грн
108+ 8535.53 грн
504+ 8534.84 грн
NXH160T120L2Q2F2SGON SemiconductorIGBT Modules PIM 1200V 160A SPLIT TNP IGBT
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NXH160T120L2Q2F2SGonsemiDescription: POWER INTEGRATED MODULE (PIM), I
Packaging: Bulk
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+9329.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
NXH160T120L2Q2F2SGonsemiDescription: PIM 1200V, 160A SPLIT TNP
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NXH160T120L2Q2F2SGON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1200V 181A 500mW 56-Pin Case 180AK Tray
товар відсутній
NXH160T120L2Q2F2SGonsemiDescription: PIM 1200V, 160A SPLIT TNP
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9194.33 грн
NXH1900UK/B3ZNXP Semiconductors935350897012
товар відсутній
NXH2003UK/C1AZNXP SemiconductorsHigh Performance RF IC
товар відсутній
NXH200B100H4F2SGonsemiIGBT Modules 1500V F2 BOOST FOR SOLAR PIM
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10938.8 грн
10+ 9981.74 грн
20+ 8363.69 грн
60+ 8155.27 грн
NXH200B100H4F2SGonsemiDescription: 1500V F2 BOOST FOR SOLAR PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x48)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 93 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.523 nF @ 20 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10072.25 грн
NXH200B100H4F2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH200B100H4F2SG - IGBT-Modul, PIM, 100 A, 1.8 V, 93 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 6 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10518.07 грн
5+ 9900.28 грн
10+ 9282.48 грн
NXH200B100H4F2SG-RonsemiIGBT Modules 1500V F2 BOOST FOR SOLAR PIM
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+14035.41 грн
10+ 12957.13 грн
20+ 10905.44 грн
NXH200B100H4F2SG-RonsemiDescription: 1500V F2 BOOST FOR SOLAR PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x48)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 93 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6523 pF @ 20 V
товар відсутній
NXH200T120H3Q2F2SGON SemiconductorSi SiC Hybrid Module, Split T Type NPC, IGBT 1200 V, 200 A and 650 V, 150 A. SiC Diode 650 V, 75 A. Solder pins
товар відсутній
NXH200T120H3Q2F2SGonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Module, Split T-Type NPC inverter Solder pins
товар відсутній
NXH200T120H3Q2F2SGonsemiDescription: 80KW GEN-II Q2PACK-200A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 56-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 679 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 35.615 nF @ 25 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14241.65 грн
12+ 12845.05 грн
36+ 12362.18 грн
NXH200T120H3Q2F2STGonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Module, Split T-Type NPC inverter Solder pin and Thermal Interface Material
товар відсутній
NXH200T120H3Q2F2STGonsemiDescription: 80KW GEN-II Q2PACK-200A MODULE (
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 56-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 679 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 35.615 nF @ 25 V
товар відсутній
NXH200T120H3Q2F2STNGonsemiDescription: 80KW GEN-II Q2PACK-200A MODULE W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 56-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 679 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 35.615 nF @ 25 V
товар відсутній
NXH2180UK,518NXP USA Inc.Description: MI-RADIO TRANSCEIVER WITH FLASH
Packaging: Bulk
на замовлення 254838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+1156.7 грн
Мінімальне замовлення: 19
NXH2261UK/A1BSCZNXP SemiconductorsHigh Performance Communication IC
товар відсутній
NXH2261UK/A1BSCZNXP USA Inc.Description: NXH2261UK - NFMI RADIO FOR WIREL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
NXH2265UK/A0BSCZNXP SemiconductorsNFMI Radio 40-Pin WLCSP T/R
товар відсутній
NXH2265UK/A0BSCZNXP SemiconductorsNXP Semiconductors NXH2265UK/WLCSP40//A0BSC/REEL 7 Q1 DP CHIPS
товар відсутній
NXH2280DKNXP SemiconductorsNXH2280DK
товар відсутній
NXH2280DKR,598NXP SemiconductorsNxH2280 Demokit
товар відсутній
NXH2280DKRULNXP SemiconductorsBL SECURE INTERFACES & POWER
товар відсутній
NXH2280UKNXP SemiconductorsHigh Performance RF IC
товар відсутній
NXH2280UK/C1012NXP SemiconductorsDescription: NXH2280UK - Power Distribution S
Packaging: Bulk
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+695.9 грн
Мінімальне замовлення: 30
NXH2280UK/C1ZNXP SemiconductorsNXH2280UK/C1Z
товар відсутній
NXH2280UK/C1ZNXP SemiconductorsDescription: NXH2280 - NFMI RADIO FOR WIRELES
Packaging: Bulk
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+695.97 грн
Мінімальне замовлення: 30
NXH2281SDKULNXP SemiconductorsBL SECURE INTERFACES & POWER
товар відсутній
NXH24.000AC12FJENJAAN07+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NXH24.000AC12FJENJAAN07+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NXH240B120H3Q1P1GonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Power Integrated Module (PIM), 3-channel Boost Press-fit pins
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8599.83 грн
10+ 7846.82 грн
21+ 6574.87 грн
42+ 6412 грн
NXH240B120H3Q1PGonsemiDescription: PIM Q1 3 CHANNEL IGBT+SIC BOOST
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Triple, Dual - Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 158 W
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.151 nF @ 20 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10583.63 грн
21+ 9545.64 грн
42+ 9186.78 грн
NXH240B120H3Q1PGonsemiIGBT Modules Power Integrated Module (PIM) 3-channel 1200 V IGBT + SiC Boost, 80 A IGBT and 20 A SiC diode Press-fit pins
товар відсутній
NXH240B120H3Q1PG-RonsemiDescription: PIM Q1 3 CHANNEL IGBT+SIC BOOST
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 158 W
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.151 nF @ 20 V
на замовлення 4536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10020 грн
21+ 8931.44 грн
42+ 8605.46 грн
NXH240B120H3Q1PG-RonsemiIGBT Modules PIM Q1 3 CHANNEL IGBT+SIC BOOST 240A 1200V PRESS-FIT PINS
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10732.68 грн
10+ 9792.85 грн
21+ 8204.96 грн
42+ 8000.68 грн
NXH240B120H3Q1S1GonsemiIGBT Modules 150KW 110V Q1BOOST SOLDER PIN
товар відсутній
NXH240B120H3Q1S1G-RonsemiDescription: 150KW 110V Q1BOOST SOLDER PIN
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 92 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 266 W
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19.082 nF @ 20 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10148.4 грн
21+ 9046.32 грн
NXH240B120H3Q1S1G-RonsemiIGBT Modules 150KW 110V Q1BOOST SOLDER PIN
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9650.55 грн
NXH25.000AC20F-BT-3
на замовлення 65342 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NXH25C120L2C2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH25C120L2C2SG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 25A
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3011.58 грн
5+ 2951.19 грн
NXH25C120L2C2SGON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1200V 25A 20mW 26-Pin DIP Tube
товар відсутній
NXH25C120L2C2SGonsemiIGBT Modules TMPIM 1200V 25A CIB
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5219.8 грн
12+ 4779.36 грн
252+ 4133.19 грн
504+ 4110.42 грн
NXH25C120L2C2SGonsemiDescription: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 25 A IG
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 20 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5110.78 грн
NXH25T120L2Q1PGON SemiconductorIGBT Transistor Module
товар відсутній
NXH25T120L2Q1PGonsemiIGBT Modules Power Integrated Module (PIM), 3-channel T-Type NPC 1200 V, 25 A IGBT, 650 V, 25 A IGBT Press-fit pins
товар відсутній
NXH25T120L2Q1PGonsemiDescription: PIM Q1 3 CHANNEL T-TYPE NPC 25A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (71x37.4)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 81 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.502 nF @ 20 V
товар відсутній
NXH25T120L2Q1PTGonsemiIGBT Modules Power Integrated Module (PIM), 3-channel T-Type NPC 1200 V, 25 A IGBT, 650 V, 25 A IGBT Press-fit pins, pre-applied thermal interface material (TIM)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 147-156 дні (днів)
1+5593.39 грн
10+ 4996.82 грн
21+ 4194.61 грн
NXH25T120L2Q1PTGonsemiDescription: PIM Q1 3 CHANNEL T-TYPE NPC 25A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (71x37.4)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 81 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.502 nF @ 20 V
товар відсутній
NXH27.000AG10F-BK6
на замовлення 65397 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NXH300B100H4Q2F2PGonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Modules, 3 Channel flying capacitor Boost 1000 V, 100 A IGBT, 1200 V, 30 A SiC Diode
на замовлення 36 шт:
термін постачання 1301-1310 дні (днів)
1+15396.93 грн
NXH300B100H4Q2F2PGonsemiDescription: MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEV
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual, Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 27-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1118 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V
товар відсутній
NXH300B100H4Q2F2S1GonsemiDescription: PIM 1500V 250KW Q2BOOST
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual, Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1118 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V
товар відсутній
NXH300B100H4Q2F2S1GonsemiIGBT Modules PIM 1500V 250KW Q2BOOST
товар відсутній
NXH300B100H4Q2F2SGonsemiDescription: MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEV
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual, Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1118 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13636.21 грн
12+ 12299.12 грн
36+ 11836.72 грн
NXH300B100H4Q2F2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH300B100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, PIM, 73 A, 1.8 V, 194 W, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 73A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: 194W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 73A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14550.8 грн
5+ 13466.17 грн
NXH300B100H4Q2F2SG-RonsemiDescription: MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEV
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17660.79 грн
12+ 15928.35 грн
36+ 15329.52 грн
NXH350N100H4Q2F2P1GonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Module - EliteSiC, I-Type NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC Diode, Q2 Package Press-fit pins
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+15956.51 грн
10+ 14725.38 грн
25+ 12790.19 грн
36+ 12398.88 грн
NXH350N100H4Q2F2P1GONSEMIDescription: ONSEMI - NXH350N100H4Q2F2P1G - IGBT-Modul, Si/SiC-Hybrid-Modul, EliteSiC, Viererpack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.63V
Dauer-Kollektorstrom: 303A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.63V
Verlustleistung Pd: 592W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 592W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 303A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18983.79 грн
5+ 16610.91 грн
NXH350N100H4Q2F2P1GonsemiDescription: IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 276 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14897.11 грн
12+ 13436.52 грн
36+ 12931.34 грн
NXH350N100H4Q2F2P1G-RonsemiIGBT Modules GEN1.5 1500V MASS MARKET
товар відсутній
NXH350N100H4Q2F2P1G-RonsemiDescription: GEN1.5 1500V MASS MARKET
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 592 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19777.96 грн
12+ 17838.25 грн
36+ 17167.63 грн
NXH350N100H4Q2F2PGonsemiDescription: IC MODULE PIM 350A 1000V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 592 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
товар відсутній
NXH350N100H4Q2F2S1GONSEMIDescription: ONSEMI - NXH350N100H4Q2F2S1G - IGBT-Modul, Si/SiC-Hybrid-Modul, EliteSiC, Viererpack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.63V
Dauer-Kollektorstrom: 303A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.63V
Verlustleistung Pd: 592W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 592W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 303A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21322.6 грн
5+ 18657.08 грн
NXH350N100H4Q2F2S1GonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Module - EliteSiC, I-Type NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC Diode, Q2 Package Solder pins
товар відсутній
NXH350N100H4Q2F2S1GonsemiDescription: IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 276 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17097.15 грн
12+ 15420.16 грн
36+ 14840.46 грн
NXH350N100H4Q2F2S1G-RonsemiIGBT Modules GEN1.5 1500V MASS MARKET
товар відсутній
NXH350N100H4Q2F2S1G-RonsemiDescription: GEN1.5 1500V MASS MARKET
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 592 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20361 грн
12+ 18364.18 грн
36+ 17673.79 грн
NXH350N100H4Q2F2SGonsemiDescription: IC MODULE PIM 350A 1000V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 592 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
товар відсутній
NXH35C120L2C2ESGonsemiDescription: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.333 nF @ 20 V
товар відсутній
NXH35C120L2C2ESGON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1200V 35A 20mW 26-Pin DIP Tube
товар відсутній
NXH35C120L2C2ESGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH35C120L2C2ESG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 35A
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6116.83 грн
NXH35C120L2C2ESGonsemiIGBT Modules TMPIM 1200V 35A ENHANCE CIB
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6361.51 грн
12+ 5522.22 грн
102+ 4525.19 грн
252+ 4498.27 грн
504+ 4483.78 грн
NXH35C120L2C2S1GonsemiIGBT Modules TMPIM 1200V 35A CI
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6043.47 грн
12+ 5398.41 грн
30+ 4168.39 грн
NXH35C120L2C2SGonsemiIGBT Modules TMPIM 1200V 35A CIB
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7213.36 грн
12+ 6959.52 грн
54+ 6036.57 грн
102+ 5942.02 грн
252+ 5919.25 грн
2502+ 5918.56 грн
NXH35C120L2C2SGonsemiDescription: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.33 nF @ 20 V
товар відсутній
NXH35C120L2C2SGON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1200V 35A 20mW 26-Pin DIP Tube
товар відсутній
NXH35C120L2C2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH35C120L2C2SG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 35A
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7074.5 грн
5+ 6932.82 грн
NXH35C120L2C2SGonsemiDescription: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
Packaging: Bulk
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.33 nF @ 20 V
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+6550.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
NXH3670ADKNXP USA Inc.Description: NXH3670ADK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
NXH3670ADKNXP SemiconductorsBluetooth Development Tools - 802.15.1 NXH3670ADK
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+43646.49 грн
NXH3670ADKNXP SemiconductorsUltra-low power 2.4 GHz Bluetooth Low Energy transceiver for audio streaming
товар відсутній
NXH3670SDKULNXP SemiconductorsBluetooth Development Tools - 802.15.1 NXH3670SDK 12NC: 935351521598
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+89871.89 грн
NXH3670SDKULNXP USA Inc.Description: NXH3670SDK
товар відсутній
NXH3670UK/A1ZNXP USA Inc.Description: IC MCU BLE HEADPHONE AUDIO WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 34-XFBGA, WLCSP
Sensitivity: -94dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.36GHz ~ 2.5GHz
Memory Size: 96kB RAM, 128kB ROM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Power - Output: 4dBm
Protocol: Bluetooth v4.1
Current - Receiving: 7mA
Data Rate (Max): 2Mbps
Current - Transmitting: 10mA
Supplier Device Package: 34-WLCSP (2.87x2.45)
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: GPIO, I²S, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+868.97 грн
10+ 766.76 грн
25+ 697.03 грн
100+ 588.72 грн
250+ 539.66 грн
500+ 490.6 грн
1000+ 434.3 грн
NXH3670UK/A1ZNXP SemiconductorsHigh Bluetooth IC
товар відсутній
NXH3670UK/A1ZNXPDescription: NXP - NXH3670UK/A1Z - Mikrocontroller, anwendungsspezifisch, Reihe NXH3670, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 128kB, 32MHz, WLCSP-34
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: -
Ausgangsleistung (dBm): 4dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 3A991.a.2
Frequenz, min.: 2.402GHz
Betriebstemperatur, min.: -20°C
Versorgungsspannung, min.: 1.14V
Empfangsstrom: -
Empfindlichkeit (dBm): -94dBm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Übertragungsrate: 2Mbps
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.26V
Frequenz, max.: 2.48GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+771.09 грн
10+ 614.7 грн
25+ 575.99 грн
50+ 514 грн
100+ 453.89 грн
250+ 441.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
NXH3670UK/A1ZNXP USA Inc.Description: IC MCU BLE HEADPHONE AUDIO WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 34-XFBGA, WLCSP
Sensitivity: -94dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.36GHz ~ 2.5GHz
Memory Size: 96kB RAM, 128kB ROM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Power - Output: 4dBm
Protocol: Bluetooth v4.1
Current - Receiving: 7mA
Data Rate (Max): 2Mbps
Current - Transmitting: 10mA
Supplier Device Package: 34-WLCSP (2.87x2.45)
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: GPIO, I²S, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
NXH3670UK/A1ZNXP SemiconductorsRF Microcontrollers - MCU NXH3670UK/A1
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+731.88 грн
10+ 651.59 грн
25+ 493.44 грн
100+ 463.08 грн
250+ 442.37 грн
500+ 419.6 грн
1000+ 416.84 грн
NXH3670UK/A1ZNXPDescription: NXP - NXH3670UK/A1Z - Mikrocontroller, anwendungsspezifisch, Reihe NXH3670, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 128kB, 32MHz, WLCSP-34
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 1.26V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 128KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Übertragungsstrom: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
MCU-Core-Größe: 32bit
Betriebstemperatur, min.: -20°C
RAM-Speichergröße: 96KB
Übertragungsrate: 2Mbps
Anwendungsbereiche MCU: Bluetooth Low Energy-Transceiver
ADC-Kanäle: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 2.402GHz
MCU-Familie: -
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: NXH3670
Ausgangsleistung (dBm): 4dBm
Embedded-Schnittstelle: I2S, SPI, UART
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Datenbusbreite: 32bit
Empfindlichkeit (dBm): -94dBm
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
Bauform - MCU: WLCSP
Schnittstellen: I2S, SPI, UART
Versorgungsspannung, min.: 1.14V
ADC-Auflösung: -
CPU-Geschwindigkeit: 32MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
Frequenz, max.: 2.48GHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: 3A991.a.2
Empfangsstrom: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+614.7 грн
25+ 575.99 грн
50+ 514 грн
100+ 453.89 грн
250+ 441.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
NXH3675UK/A1ZNXP SemiconductorsNXH3675UK/A1Z
товар відсутній
NXH3675UK/A1ZNXP SemiconductorsAudio DSPs NXH3675UK/A1
товар відсутній
NXH3675UK/A1ZNXP USA Inc.Description: NXH3675UK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
NXH3675UK/A2ZNXP SemiconductorsRF System on a Chip - SoC NXH3675UK/A2
товар відсутній
NXH3675UK/A2ZNXP USA Inc.Description: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
NXH40.000AF20F-BK3
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NXH400B100H4Q2F2PGonsemiDescription: N06NF Q2BOOST
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 50-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 164 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 396 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12687.7 pF @ 20 V
товар відсутній
NXH400B100H4Q2F2SGonsemiDescription: N06NF Q2BOOST#1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 50-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 164 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 396 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12687.7 pF @ 20 V
товар відсутній
NXH400B100H4Q2F2SGonsemionsemi N06NF Q2BOOST#1
товар відсутній
NXH400N100H4Q2F2PGonsemiDescription: MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 409 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 959 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.093 nF @ 20 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21983.97 грн
12+ 19827.95 грн
NXH400N100H4Q2F2PGonsemiIGBT Modules SiC Hybrid Module, I-Type NPC 1000 V, 400 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC Diode Press-fit pins
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+23549.9 грн
10+ 21741.25 грн
25+ 18298.12 грн
NXH400N100H4Q2F2PGON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1000V 409A/409A/360A/360A 959W 42-Pin PIM Tray
товар відсутній
NXH400N100H4Q2F2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH400N100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, Viererpack, 409 A, 1.77 V, 959 W, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V
Dauer-Kollektorstrom: 409A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.77V
Verlustleistung Pd: 959W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 959W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 409A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22140.14 грн
5+ 20362.61 грн
NXH400N100H4Q2F2SGonsemiDescription: MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 409 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 959 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.093 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21494.25 грн
12+ 19386.62 грн
36+ 18657.84 грн
NXH400N100H4Q2F2SGonsemiIGBT Modules SiC Hybrid Module, I-Type NPC 1000 V, 400 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC Diode Solder pins
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+23025.74 грн
10+ 21257.12 грн
25+ 17890.25 грн
NXH400N100H4Q2F2SG-RonsemiDescription: MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 409 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 959 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.093 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24734.95 грн
12+ 22308.95 грн
NXH400N100H4Q2F2SG-RonsemiIGBT Modules MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK INPC-400A
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+26495.95 грн
10+ 24461.88 грн
25+ 20586.59 грн
NXH400N100L4Q2F2SGonsemiIGBT Modules I-Type NPC 1000 V, 200 A IGBT, 1000 V, 75 A Diode Solder Pin
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+15877.6 грн
10+ 14658.72 грн
25+ 12336.08 грн
NXH400N100L4Q2F2SGonsemiDescription: ESS 200KW PIM SOLDER PIN
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 48-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 360 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 980 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.06 nF @ 20 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14821.71 грн
NXH40B120MNQ0SNGonsemiDescription: 80KW GENII 1200V 80MOHM SIC MOSF
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Boost Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Power - Max: 118 W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.227 nF @ 20 V
товар відсутній
NXH40B120MNQ0SNGonsemiDiscrete Semiconductor Modules 80KW GENII 1200V 80MOHM SIC MOSFET
на замовлення 48 шт:
термін постачання 647-656 дні (днів)
1+7247.17 грн
NXH40B120MNQ1SNGonsemiDescription: 30KW Q1BOOST FULL SIC
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Triple, Dual - Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
Power - Max: 156 W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.227 nF @ 800 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11208.48 грн
21+ 10109.73 грн
NXH40B120MNQ1SNGonsemiDiscrete Semiconductor Modules Full SiC MOSFET Module EliteSiC Three Channel Full SiC Boost, 1200 V, 40 mohm SiC MOSFET + 1200 V, 40 A SiC Diode Nickel-plated DBC
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+12300.31 грн
10+ 11355.54 грн
21+ 9556.93 грн
NXH40B120MNQ1SNGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH40B120MNQ1SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, ThreePack, Dreifach n-Kanal, 44 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
MOSFET-Modul-Konfiguration: ThreePack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Dreifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11827.22 грн
5+ 11352.65 грн
10+ 10877.3 грн
NXH40T120L3Q1PGonsemiDescription: IGBT MOD 3TNPC Q1PACK 1200V/40
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Part Status: Active
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
товар відсутній
NXH40T120L3Q1PGonsemiIGBT Modules Power Integrated Module (PIM), 3-channel T-Type NPC 1200 V, 40 A IGBT, 650 V, 25 A IGBT Press-fit pins
товар відсутній
NXH40T120L3Q1PTGonsemiDescription: PIM Q1 3 CHANNEL T-TYPE NPC 40A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (71x37.4)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 146 W
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.753 nF @ 20 V
товар відсутній
NXH40T120L3Q1PTGonsemiIGBT Modules PIM Q1 3 CHANNEL T-TYPE NPC 40A 1200V PRESS-FIT PINS TIM
товар відсутній
NXH40T120L3Q1SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH40T120L3Q1SG - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 42 A, 1.85 V, 146 W, 175 °C, PIM
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 42A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 146W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: PIM
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: NXH40T120L3Q1
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 42A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26221.64 грн
5+ 22944.51 грн
10+ 19010.88 грн
NXH40T120L3Q1SGonsemiDescription: IGBT MODULE SUNGROW 20KW Q1PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Part Status: Active
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
товар відсутній
NXH40T120L3Q1SGonsemiIGBT Modules SUNGROW 20KW Q1PACK
товар відсутній
NXH450B100H4Q2F2PGON SemiconductorSi SiC Hybrid Modules, 3 Channel Symmetric Boost 1000 V, 150 A IGBT, 1200 V, 30 A SiC Diode Press fit pins
товар відсутній
NXH450B100H4Q2F2PGonsemiDescription: 1000V,75A FSIII IGBT, MID SPEED
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
Current - Collector (Ic) (Max): 101 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 234 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.342 nF @ 20 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14988.94 грн
12+ 13519.19 грн
NXH450B100H4Q2F2PGonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Modules, 3 Channel Symmetric Boost 1000 V, 150 A IGBT, 1200 V, 30 A SiC Diode Press-fit pins
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+16056.34 грн
10+ 14823.79 грн
25+ 12475.49 грн
NXH450B100H4Q2F2PGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2PG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 101A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 234W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 101A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15438.79 грн
5+ 14199.32 грн
NXH450B100H4Q2F2PG-RonsemiIGBT Modules 1000V,75A FSIII IGBT, MID SPEED WITH RUGGED ANTI-PARALLEL DIODES IN PRESS FIT PINS
на замовлення 36 шт:
термін постачання 126-135 дні (днів)
1+20298.69 грн
10+ 18741.25 грн
25+ 15772.24 грн
NXH450B100H4Q2F2PG-RonsemiDescription: 1000V75A FSIII IGBT MID SPEED WI
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
Current - Collector (Ic) (Max): 101 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 234 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.342 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18950.8 грн
12+ 17092.05 грн
36+ 16449.51 грн
NXH450B100H4Q2F2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 101
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 234
Verlustleistung: 234
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1
IGBT-Konfiguration: Zweifach
DC-Kollektorstrom: 101
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NXH450B100H4Q2F2SGonsemiDescription: 1000V,75A FSIII IGBT, MID SPEED
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
Current - Collector (Ic) (Max): 101 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 234 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.342 nF @ 20 V
товар відсутній
NXH450B100H4Q2F2SGonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Modules, 3 Channel Symmetric Boost 1000 V, 150 A IGBT, 1200 V, 30 A SiC Diode Solder pins
товар відсутній
NXH450N65L4Q2F2PGonsemiDescription: 650V 450A 3-LEVEL NPC INVERTER M
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 36-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 167 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 365 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14630 pF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8550.82 грн
10+ 7622.13 грн
36+ 7343.94 грн
NXH450N65L4Q2F2PGON SemiconductorNXH450N65L4Q2F2PG
товар відсутній
NXH450N65L4Q2F2S1GON SemiconductorNXH450N65L4Q2F2S1G
товар відсутній
NXH450N65L4Q2F2S1GonsemiDescription: 120KW 1100V Q2PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 40-PIM/Q2PACK (107.2x47)
IGBT Type: Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 167 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 365 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14630 pF @ 20 V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9194.33 грн
12+ 8195.96 грн
NXH450N65L4Q2F2SGON Semiconductor3-Level NPC Inverter IGBT Module
товар відсутній
NXH450N65L4Q2F2SGonsemiDescription: 136KW 650V Q2PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 40-PIM/Q2PACK (107.2x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 167 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 365 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14630 pF @ 20 V
товар відсутній
NXH450N65L4Q2F2SGonsemiIGBT Modules 136KW 650V Q2PACK
товар відсутній
NXH450N65L4Q2F2SGON Semiconductor3-Level NPC Inverter IGBT Module
товар відсутній
NXH50C120L2C2ES1GonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 50A 26DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.89 nF @ 20 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+6866.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
NXH50C120L2C2ES1GON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1200V 50A 20mW 26-Pin DIP Tube
товар відсутній
NXH50C120L2C2ES1GonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 50A 26DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.89 nF @ 20 V
товар відсутній
NXH50C120L2C2ES1GonsemiIGBT Modules TMPIM 1200V 50A CI
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8081.31 грн
12+ 6821.42 грн
30+ 5776.39 грн
54+ 5753.62 грн
NXH50C120L2C2ESGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH50C120L2C2ESG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 50A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4323.82 грн
NXH50C120L2C2ESGonsemiDescription: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 50 A IG
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5711.74 грн
10+ 5216.52 грн
NXH50C120L2C2ESGON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1200V 50A 20mW 26-Pin DIP Tube
товар відсутній
NXH50C120L2C2ESGonsemiIGBT Modules TMPIM 1200V 50A CIB
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7495.16 грн
12+ 7274.6 грн
NXH50M65L4C2ESGonsemiDescription: 650V 50A CONVERTER-INVERTER-PFCS
Packaging: Tube
Package / Case: 27-PowerDIP Module (1.858", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Single Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 27-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.608 nF @ 20 V
товар відсутній
NXH50M65L4C2SGonsemiIGBT Modules 650V 50A Converter-Inverter-PFCs Module 650V 50A Converter-Inverter-PFCs Module
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5117.55 грн
12+ 4571.42 грн
30+ 3837.82 грн
54+ 3700.48 грн
102+ 3563.83 грн
252+ 3529.33 грн
NXH50M65L4C2SGonsemiDescription: 650V 50A CONVERTER-INVERTER-PFCS
Packaging: Tube
Package / Case: 27-PowerDIP Module (1.858", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Single Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 27-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.877 nF @ 20 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4712.13 грн
NXH50M65L4C2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH50M65L4C2SG - IGBT-Modul, 50 A, 1.6 V, 150 °C, DIP
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Dauer-Kollektorstrom: 50A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4920.72 грн
5+ 4822.4 грн
NXH50M65L4Q1PTGonsemiDescription: 6KW H6.5 50A Q1PACK PRESS-FIT PI
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 86 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.137 nF @ 20 V
товар відсутній
NXH50M65L4Q1SGonsemiDescription: Q1PACK 50A 650V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 86 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.137 nF @ 20 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4659.13 грн
21+ 4065.92 грн
NXH50M65L4Q1SGonsemiIGBT Modules IGBT Module, H6.5 Topology, 650 V, 50 A IGBT, 650 V, 50 A Diode Solder pins
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4990.33 грн
10+ 4615.07 грн
21+ 3764.66 грн
42+ 3475.5 грн
504+ 3474.81 грн
2520+ 3472.74 грн
NXH50M65L4Q1SGON SemiconductorIGBT Module, H6.5 Topology, 650 V, 50 A IGBT, 650 V, 50 A Diode Solder pins
товар відсутній
NXH5104ADBULNXP SemiconductorsEEPROM 4MB EEPROM demo board, SO8-footprint compatible
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+12923.5 грн
10+ 11098.4 грн
25+ 9625.25 грн
50+ 9366.45 грн
100+ 8343.68 грн
NXH5104UK/A1SZNXP Semiconductors935376972012
товар відсутній
NXH5104UK/A1ZNXP USA Inc.Description: IC EEPROM 4MBIT SPI 13WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1V ~ 2.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 10 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 13-WLCSP (2.8x2.74)
Part Status: Active
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
NXH5104UK/A1ZNXPDescription: NXP - NXH5104UK/A1Z - EEPROM, 4 Mbit, Seriell SPI, 5 MHz, WLCSP, 13 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Schnittstelle: SPI
Betriebstemperatur, min.: -20
Versorgungsspannung, min.: 1
Taktfrequenz: 5
Speicherkonfiguration EEPROM: -
Speichergröße: 4
Anzahl der Pins: 13
Produktpalette: 4Mbit SPI Serial EEPROM
Speicherschnittstelle: Seriell SPI
Versorgungsspannung, max.: 2
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+305.03 грн
10+ 281.03 грн
25+ 275.61 грн
50+ 254.49 грн
100+ 213.68 грн
250+ 212.35 грн
500+ 205.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
NXH5104UK/A1ZNXP USA Inc.Description: IC EEPROM 4MBIT SPI 13WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 13-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1V ~ 2.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 10 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 13-WLCSP (2.8x2.74)
Part Status: Active
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+465.84 грн
10+ 409.48 грн
25+ 401.6 грн
50+ 374.19 грн
100+ 335.75 грн
250+ 334.49 грн
500+ 308.35 грн
1000+ 295.34 грн
NXH5104UK/A1ZNXP SemiconductorsEEPROM 4 Mbit Serial EEPROM
на замовлення 1676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+491.14 грн
10+ 430.16 грн
100+ 335.4 грн
250+ 334.71 грн
500+ 313.32 грн
1000+ 300.21 грн
2000+ 287.09 грн
NXH5104UK/A1ZNXP SemiconductorsEEPROM Serial-SPI 4M-bit 1.6V 13-Pin WLCSP T/R
товар відсутній
NXH600A100H4F5SNGonsemionsemi F5 1500V 600A ANPC IGBT SOLDER PIN
товар відсутній
NXH600B100H4Q2F2S1GonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Modules, 3 Channel Flying Capacitor Boost 1000 V, 200 A IGBT, 1200 V, 60 A SiC Diode Solder pins
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+18701.27 грн
10+ 17265.86 грн
25+ 14530.7 грн
NXH600B100H4Q2F2SGonsemiDescription: MASS MARKET GEN3 Q2BOOST
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 192 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 511 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.256 nF @ 20 V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18185.6 грн
10+ 16402.17 грн
NXH600B100H4Q2F2SGonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Modules, 3 Channel Symmetric Boost 1000 V, 200 A IGBT, 1200 V, 60 A SiC Diode Solder pins
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+19479.85 грн
10+ 17984.11 грн
25+ 15135.94 грн
NXH600N65L4Q2F2SGonsemiDescription: 150KW 1100V Q2PACK SOLDER PIN
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 41-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 483 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 931 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37.1 nF @ 20 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10290.99 грн
10+ 9173.56 грн
NXH75M65L4Q1PTGonsemiIGBT Modules 6KW H6.5 75A Q1PACK PRESS-FIT PIN WITH TCP7000
товар відсутній
NXH75M65L4Q1PTGonsemiDescription: 6KW H6.5 75A Q1PACK PRESS-FIT PI
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 86 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.665 nF @ 30 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4877.86 грн
21+ 4257.24 грн
NXH75M65L4Q1PTGON SemiconductorIGBT Module, H6.5 Topology
товар відсутній
NXH75M65L4Q1SGonsemiDescription: Q1PACK 75A 650V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 86 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.665 nF @ 30 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5130.19 грн
21+ 4476.81 грн
NXH75M65L4Q1SGON SemiconductorIGBT Module, H6.5 Topology, 650 V, 75 A IGBT, 650 V, 50 A Diode Solder pins
товар відсутній
NXH75M65L4Q1SGonsemiIGBT Modules Q1PACK 75A 650V
товар відсутній
NXH800A100L4Q2F2P1Gonsemionsemi MASS MARKET GEN3 Q2PACK POSITIVE WITH PRESS-FIT PIN
товар відсутній
NXH800A100L4Q2F2P2Gonsemionsemi MASS MARKET GEN3 Q2PACK NEGATIVE WITH PRESS-FIT PIN
товар відсутній
NXH800A100L4Q2F2S1GonsemiDescription: MASS MARKET GEN3 Q2PACK POSITIVE
Packaging: Tray
Part Status: Active
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 51-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 309 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 714 W
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 49.7 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9301.83 грн
10+ 8291.92 грн
36+ 7989.26 грн
NXH800A100L4Q2F2S1Gonsemionsemi MASS MARKET GEN3 Q2PACK POSITIVE
товар відсутній
NXH800A100L4Q2F2S2GonsemiDescription: MASS MARKET GEN3 Q2PACK NEGATIVE
Packaging: Tray
Part Status: Active
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 51-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 309 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 714 W
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 49.7 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9301.83 грн
10+ 8291.92 грн
36+ 7989.26 грн
NXH800A100L4Q2F2S2Gonsemionsemi MASS MARKET GEN3 Q2PACK NEGATIVE
товар відсутній
NXH800H120L7QDSGON SemiconductorNXH800H120L7QDSG
товар відсутній
NXH80B120H2Q0SGON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1200V 41A 103mW 20-Pin Case 180AJ Tray
товар відсутній
NXH80B120H2Q0SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH80B120H2Q0SG - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 40 A, 2.2 V, 103 W, 150 °C, PIM
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
Dauer-Kollektorstrom: 40
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2
Verlustleistung Pd: 103
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103
Bauform - Transistor: PIM
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 22
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3537.25 грн
NXH80B120H2Q0SGonsemiDescription: PIM 1200V, 40A DUAL BOOST
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5781.17 грн
NXH80B120H2Q0SGON SemiconductorIGBT Modules PIM 1200V 40A DU BST SiC DIODE
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NXH80B120H2Q0SNGonsemiDescription: PIM POWER MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Boost Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 103 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.7 nF @ 25 V
товар відсутній
NXH80B120MNQ0SNGonsemiDescription: PIM POWER MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Boost Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Part Status: Active
Power - Max: 69 W
товар відсутній
NXH80B120MNQ0SNGonsemiDiscrete Semiconductor Modules Full SiC MOSFET Module EliteSiC Two Channel Full SiC Boost, 1200 V, 80 mohm SiC MOSFET + 1200 V, 20 A SiC Diode Nickel-plated DBC
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6845.4 грн
10+ 6225.39 грн
48+ 4761.9 грн
120+ 4683.92 грн
264+ 4601.79 грн
NXH80T120L2Q0P2GonsemiIGBT Modules PIM Q0 T-TYPE NPC 80A 1200V PRESS-FIT PINS
товар відсутній
NXH80T120L2Q0P2GonsemiDescription: IC MODULE PIM 1200V 80A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 158 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19400 pF @ 20 V
товар відсутній
NXH80T120L2Q0P2TGonsemiDescription: IGBT MODULE 1200V 80A TNPC PIM20
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3608.01 грн
24+ 3105.59 грн
NXH80T120L2Q0PGON SemiconductorIGBT Modules 1200V 80AT-TYPE IGBT PWR INTEG MODULE
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NXH80T120L2Q0PGON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1200V 65A 146mW 20-Pin Q0PACK Tray
товар відсутній
NXH80T120L2Q0S1GON SemiconductorIGBT Modules PIM 1200V 80A TNPC CUST T-TYPE MODULE
товар відсутній
NXH80T120L2Q0S2GON Semiconductor
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NXH80T120L2Q0S2GONSEMIDescription: ONSEMI - NXH80T120L2Q0S2G - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 67 A, 2.35 V, 158 mW, 150 °C, PIM
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.35V
Dauer-Kollektorstrom: 67A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.35V
Verlustleistung Pd: 158mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158mW
Bauform - Transistor: PIM
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 67A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4995.81 грн
5+ 4679.95 грн
10+ 4364.08 грн
NXH80T120L2Q0S2GON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1200V 67A 158000mW 20-Pin Q0PACK Tray
товар відсутній
NXH80T120L2Q0S2GonsemiDescription: PIM 1200V, 80A TNPC CUSTO
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NXH80T120L2Q0S2GonsemiIGBT Modules PIM 1200V 80A TNPC STANDARD PINOUT
товар відсутній
NXH80T120L2Q0S2TGonsemiDescription: MODULE PIM 1200V 80A
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+4955.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
NXH80T120L2Q0S2TGonsemiDescription: MODULE PIM 1200V 80A
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NXH80T120L2Q0S2TGonsemiIGBT Modules PIM Q0 T-TYPE NPC 80A 1200V SOLDER PINS TIM
товар відсутній
NXH80T120L2Q0SGON SemiconductorIGBT Modules 80A 1200V PIM Q0PACK
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NXH80T120L2Q0SGON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1200V 65A 146000mW 20-Pin Q0PACK Tray
товар відсутній
NXH80T120L2Q0SGonsemiDescription: IGBT MODULE 1200V 65A 146W PIM20
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: T-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 146 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.99 nF @ 20 V
товар відсутній
NXH80T120L3Q0P3GonsemiDescription: PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 188 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18150 pF @ 20 V
товар відсутній
NXH80T120L3Q0S3GONSEMIDescription: ONSEMI - NXH80T120L3Q0S3G - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 75 A, 1.7 V, 188 W, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 75A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 188W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5796.32 грн
NXH80T120L3Q0S3GonsemiIGBT Modules Power Integrated Module (PIM), T-Type NPC 1200 V, 80 A IGBT, 600 V, 50 A IGBT Solder pins
на замовлення 24 шт:
термін постачання 112-121 дні (днів)
1+6028.17 грн
10+ 5384.12 грн
24+ 4521.04 грн
NXH80T120L3Q0S3GON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1200V 75A/75A/50A/50A 188W Tray
товар відсутній
NXH80T120L3Q0S3GonsemiDescription: PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 188 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.15 nF @ 20 V
товар відсутній
NXHP270C5C520
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)