Продукція > PMX

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PMX-068(98F)
на замовлення 11992 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PMX-068(99A)
на замовлення 8430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PMX-PR9000-LVORingModular Power Supplies High Voltage Modular power supply, EU type
товар відсутній
PMX100UNEZNexperiaMOSFET PMX100UNE/SOT8013/DFN0603-3
на замовлення 12249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.21 грн
24+ 13.41 грн
100+ 7.45 грн
1000+ 3.31 грн
2500+ 2.9 грн
10000+ 2.28 грн
15000+ 2.07 грн
Мінімальне замовлення: 16
PMX100UNEZNexperia USA Inc.Description: PMX100UNE/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 10 V
товар відсутній
PMX100UNEZNexperia USA Inc.Description: PMX100UNE/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 10 V
на замовлення 5324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+18.66 грн
24+ 12.08 грн
100+ 5.9 грн
500+ 4.62 грн
1000+ 3.21 грн
2000+ 2.78 грн
5000+ 2.54 грн
Мінімальне замовлення: 16
PMX100UNZNexperia USA Inc.Description: PMX100UN/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 144 pF @ 10 V
на замовлення 43992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
14+ 21.35 грн
100+ 10.76 грн
500+ 8.95 грн
1000+ 6.97 грн
2000+ 6.24 грн
5000+ 6 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMX100UNZNexperia USA Inc.Description: PMX100UN/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 144 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+5.97 грн
30000+ 5.68 грн
Мінімальне замовлення: 15000
PMX100UNZNexperiaMOSFET PMX100UN/SOT8013/DFN0603-3
на замовлення 102750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.74 грн
14+ 23.41 грн
100+ 9.11 грн
1000+ 6.35 грн
2500+ 6.21 грн
10000+ 5.52 грн
15000+ 5.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMX1303EHPHLBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PMX1503B5700STEI
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
pmx2005hp
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PMX3-256BEI SensorsEncoders QUADRATURE W/INDEX ROTARY OPT ENCODER
товар відсутній
PMX300UNEZNexperia USA Inc.Description: PMX300UNE/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 15 V
на замовлення 12755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+18.66 грн
24+ 12.08 грн
100+ 5.9 грн
500+ 4.62 грн
1000+ 3.21 грн
2000+ 2.78 грн
5000+ 2.54 грн
Мінімальне замовлення: 16
PMX300UNEZNexperia USA Inc.Description: PMX300UNE/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 15 V
товар відсутній
PMX300UNEZNexperiaMOSFET PMX300UNE/SOT8013/DFN0603-3
на замовлення 14205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.21 грн
24+ 13.41 грн
100+ 7.45 грн
1000+ 3.31 грн
2500+ 2.9 грн
10000+ 2.28 грн
15000+ 2.07 грн
Мінімальне замовлення: 16
PMX400UPZNexperia USA Inc.Description: PMX400UP/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 10 V
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.85 грн
13+ 22.64 грн
100+ 11.39 грн
500+ 9.48 грн
1000+ 7.38 грн
2000+ 6.6 грн
5000+ 6.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMX400UPZNexperiaMOSFET PMX400UP/SOT8013/DFN0603-3
на замовлення 42447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.19 грн
13+ 24.76 грн
100+ 9.66 грн
1000+ 6.76 грн
2500+ 6.63 грн
10000+ 6 грн
15000+ 5.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMX400UPZNexperia USA Inc.Description: PMX400UP/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 10 V
товар відсутній
PMX700ENZNexperia USA Inc.Description: PMX700ENZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 30 V
товар відсутній
PMX700ENZNexperiaMOSFET new products in DFN0603
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.48 грн
14+ 23.25 грн
100+ 12.56 грн
1000+ 6.69 грн
2500+ 5.94 грн
10000+ 5.11 грн
15000+ 4.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMX700ENZNexperia USA Inc.Description: PMX700ENZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 30 V
на замовлення 27563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.11 грн
15+ 19.91 грн
100+ 10.06 грн
500+ 8.36 грн
1000+ 6.51 грн
2000+ 5.82 грн
5000+ 5.6 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMX800ENEZNexperiaMOSFET new products in DFN0603
товар відсутній
PMXB120EPE147NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL FET
на замовлення 648598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PMXB120EPEZNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 2.4A 3-Pin DFN-D EP T/R
товар відсутній
PMXB120EPEZNexperiaMOSFET PMXB120EPE/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 18551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.7 грн
16+ 21.11 грн
100+ 10.01 грн
1000+ 6.42 грн
5000+ 6.07 грн
10000+ 5.45 грн
25000+ 5.38 грн
Мінімальне замовлення: 12
PMXB120EPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 309 pF @ 15 V
на замовлення 31016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.13 грн
15+ 19.27 грн
100+ 11.57 грн
500+ 10.05 грн
1000+ 6.83 грн
2000+ 6.29 грн
Мінімальне замовлення: 12
PMXB120EPEZNEXPERIAPMXB120EPEZ SMD P channel transistors
товар відсутній
PMXB120EPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 309 pF @ 15 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+6.67 грн
10000+ 5.78 грн
25000+ 5.7 грн
Мінімальне замовлення: 5000
PMXB350UPE147Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL FET
на замовлення 78076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PMXB350UPEZNEXPERIAPMXB350UPEZ SMD P channel transistors
товар відсутній
PMXB350UPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 447mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 5.68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.11 грн
15+ 19.99 грн
100+ 10.08 грн
500+ 8.38 грн
1000+ 6.52 грн
2000+ 5.84 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMXB350UPEZNEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PMXB350UPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 447mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 5.68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
PMXB350UPEZNexperiaMOSFET PMXB350UPE/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.48 грн
15+ 21.9 грн
100+ 8.56 грн
1000+ 5.94 грн
5000+ 5.59 грн
10000+ 5.04 грн
50000+ 4.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMXB360ENEAZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.13 грн
15+ 19.48 грн
100+ 11.66 грн
500+ 10.13 грн
1000+ 6.89 грн
2000+ 6.34 грн
Мінімальне замовлення: 12
PMXB360ENEAZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 700mA; Idm: 4.4A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 887mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 4.5nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 4.4A
Mounting: SMD
Case: DFN1010D-3; SOT1215
товар відсутній
PMXB360ENEAZNexperiaMOSFET PMXB360ENEA/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 21261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.97 грн
16+ 20.24 грн
100+ 9.8 грн
1000+ 6.35 грн
5000+ 6.14 грн
10000+ 5.87 грн
25000+ 5.45 грн
Мінімальне замовлення: 12
PMXB360ENEAZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 700mA; Idm: 4.4A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 887mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 4.5nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 4.4A
Mounting: SMD
Case: DFN1010D-3; SOT1215
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
PMXB360ENEAZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+6.72 грн
10000+ 5.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000
PMXB360ENEAZNEXPERIATrans MOSFET N-CH 80V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
PMXB40UNEZNexperiaMOSFET PMXB40UNE/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 21648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.88 грн
15+ 21.83 грн
100+ 12.35 грн
500+ 8.97 грн
1000+ 6.21 грн
5000+ 5.8 грн
10000+ 5.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMXB40UNEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 12V; 2.5A; Idm: 15A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 15A
Case: DFN1010D-3; SOT1215
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
PMXB40UNEZNEXPERIATrans MOSFET N-CH 12V 3.2A Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
товар відсутній
PMXB40UNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 556 pF @ 10 V
на замовлення 4225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.59 грн
12+ 24.15 грн
100+ 15.06 грн
500+ 9.67 грн
1000+ 7.44 грн
2000+ 6.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
PMXB40UNEZNXPTrans MOSFET N-CH 12V 3.2A 3-Pin DFN-D EP PMXB40UNEZ TPMXB40u
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
PMXB40UNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 556 pF @ 10 V
товар відсутній
PMXB40UNEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 12V; 2.5A; Idm: 15A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 15A
Case: DFN1010D-3; SOT1215
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
PMXB43UNE,147Nexperia USA Inc.Description: 20V, N CHANNEL TRENCH MOSFET
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PMXB43UNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 551 pF @ 10 V
на замовлення 45658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.85 грн
13+ 22.64 грн
100+ 11.39 грн
500+ 9.48 грн
1000+ 7.38 грн
2000+ 6.6 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMXB43UNEZNEXPERIAPMXB43UNEZ SMD N channel transistors
товар відсутній
PMXB43UNEZNexperiaMOSFET PMXB43UNE/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 15585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.78 грн
13+ 26.11 грн
100+ 14.15 грн
500+ 9.73 грн
1000+ 7.45 грн
5000+ 6.69 грн
10000+ 5.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMXB43UNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 551 pF @ 10 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+7.14 грн
10000+ 6.09 грн
25000+ 6.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000
PMXB43UNEZNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 3.2A Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
товар відсутній
PMXB56ENNXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
товар відсутній
PMXB56ENNXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
товар відсутній
PMXB56ENNXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
товар відсутній
PMXB56EN147NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL FET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PMXB56ENZNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PMXB56ENZNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+29.81 грн
29+ 20.59 грн
100+ 10.73 грн
250+ 9.83 грн
500+ 8.67 грн
Мінімальне замовлення: 20
PMXB56ENZNEXPERIAPMXB56ENZ SMD N channel transistors
товар відсутній
PMXB56ENZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
товар відсутній
PMXB56ENZNexperiaMOSFET PMXB56EN/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 11256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.12 грн
12+ 27.62 грн
100+ 14.84 грн
500+ 10.28 грн
1000+ 7.11 грн
2500+ 7.04 грн
5000+ 6.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
PMXB56ENZNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 9280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+13.13 грн
68+ 8.76 грн
101+ 5.89 грн
Мінімальне замовлення: 46
PMXB56ENZNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
товар відсутній
PMXB56ENZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.85 грн
13+ 22.64 грн
100+ 11.39 грн
500+ 9.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMXB65ENENXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
на замовлення 3072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PMXB65ENENexperiaNexperia
товар відсутній
PMXB65ENE,147NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PMXB65ENE - SMALL S
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1401+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 1401
PMXB65ENE147NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMXB65ENE147 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1233350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3731+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 3731
PMXB65ENEZNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
товар відсутній
PMXB65ENEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
13+ 23.51 грн
100+ 14.12 грн
500+ 12.27 грн
1000+ 8.34 грн
2000+ 7.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMXB65ENEZNexperiaMOSFET PMXB65ENE/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 8939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.74 грн
13+ 26.43 грн
100+ 12.77 грн
1000+ 8.01 грн
5000+ 7.38 грн
10000+ 6.9 грн
25000+ 6.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMXB65ENEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 12.8A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 12.8A
Case: DFN1010D-3; SOT1215
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
PMXB65ENEZNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
товар відсутній
PMXB65ENEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
PMXB65ENEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 12.8A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 12.8A
Case: DFN1010D-3; SOT1215
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
PMXB65ENEZNXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PMXB65EN - SMALL SIGNAL
Packaging: Bulk
на замовлення 1233350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2929+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 2929
PMXB65UPE147NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 6 V
на замовлення 8951063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5495+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 5495
PMXB65UPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 6 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+5.49 грн
10000+ 4.57 грн
25000+ 4.48 грн
50000+ 3.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
PMXB65UPEZNexperiaMOSFET PMXB65UPE/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 43654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.46 грн
14+ 23.57 грн
100+ 8.21 грн
1000+ 5.24 грн
5000+ 4.21 грн
10000+ 3.8 грн
25000+ 3.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMXB65UPEZNEXPERIATrans MOSFET P-CH 12V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+4.4 грн
Мінімальне замовлення: 5000
PMXB65UPEZNEXPERIAPMXB65UPEZ SMD P channel transistors
товар відсутній
PMXB65UPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 6 V
на замовлення 70201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.1 грн
14+ 21.49 грн
100+ 10.85 грн
500+ 8.31 грн
1000+ 6.16 грн
2000+ 5.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMXB75UPE/M5147NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 10 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3328+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 3328
PMXB75UPE147NXPDescription: NXP - PMXB75UPE147 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4088434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6024+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 6024
PMXB75UPE147NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 10 V
на замовлення 4088434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4729+4.1 грн
Мінімальне замовлення: 4729
PMXB75UPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 2.9A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 10 V
на замовлення 36643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.62 грн
16+ 19.05 грн
100+ 9.62 грн
500+ 8 грн
1000+ 6.23 грн
2000+ 5.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMXB75UPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 2.9A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+6.03 грн
10000+ 5.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000
PMXB75UPEZNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 3-Pin DFN-D EP T/R
товар відсутній
PMXB75UPEZNexperiaMOSFET PMXB75UPE/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 45113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.23 грн
16+ 20.87 грн
100+ 8.14 грн
1000+ 5.73 грн
5000+ 5.11 грн
10000+ 4.9 грн
25000+ 4.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
PMXB75UPEZNEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 3-Pin DFN-D EP T/R
товар відсутній
PMXB75UPEZNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 3-Pin DFN-D EP T/R
товар відсутній
PMXB75UPEZNEXPERIAPMXB75UPEZ SMD P channel transistors
товар відсутній
PMXS1C0239YZILOG
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PMXSIC0239Y
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PMXSIC0250YZILOGPLCC-68
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PMXSIC0379YZILOG09+ SOP28
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PMXSIC0475Y
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PMXSIC0477Y
на замовлення 234 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PMXSIC0540YPMX2 MQFP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PMXSIC0576Y
на замовлення 558 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)