Продукція > R65

PLCC68

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6501AQ

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6501AQQ

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6501JC

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6502

01+ DIP

на замовлення 99 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6502-11

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6502-40

на замовлення 47 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6502AP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6502AP

DIP

на замовлення 892 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6502AP

PDIP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6502BP

DIP

на замовлення 13 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6502P

DIP

на замовлення 39 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6502P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6502P

02+ DIP;

на замовлення 27 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6502P2

на замовлення 311 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6503

03+ DIP40

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6503

DIP

на замовлення 628 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6503-13

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6503AP

03+ DIP

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6504AP

03+ DIP28

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6504AP

на замовлення 17 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6504END3TL1

Description: 650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

товар відсутній

R6504END3TL1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 12A; 58W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 58W
Gate charge: 15nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.02Ω

товар відсутній

R6504END3TL1

Description: ROHM - R6504END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	80.52 грн
13+	60.85 грн

Мінімальне замовлення: 10

R6504END3TL1

товар відсутній

R6504END3TL1

MOSFET 650V 4A TO-252, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 1460 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123.19 грн
10+	100 грн
100+	67.43 грн
500+	57.14 грн
1000+	46.51 грн
2500+	43.75 грн
5000+	41.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6504END3TL1

Description: 650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

на замовлення 1497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.47 грн
10+	89.65 грн
100+	69.7 грн
500+	55.44 грн
1000+	45.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6504END3TL1

Description: ROHM - R6504END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 58W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.955ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6504ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

на замовлення 92 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	156.03 грн
10+	124.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6504ENJTL

Description: ROHM - R6504ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm

на замовлення 97 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	77.42 грн
12+	67.82 грн

Мінімальне замовлення: 10

R6504ENJTL

MOSFET Nch 650V 4A Power MOSFET. R6504ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

товар відсутній

R6504ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

товар відсутній

R6504ENJTL

на замовлення 97 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6504ENXC7G

Description: 650V 4A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	167.22 грн
50+	129.82 грн
100+	106.81 грн
500+	84.82 грн
1000+	71.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6504ENXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 1999 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	181.96 грн
10+	150 грн
100+	102.83 грн
250+	100.76 грн
500+	86.96 грн
1000+	69.7 грн
5000+	68.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6504KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

товар відсутній

R6504KND3TL1

Description: ROHM - R6504KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 58W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.955ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6504KND3TL1

MOSFET High-speed Switching, Nch 650V 4A Power MOSFET.

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	111.92 грн
10+	90.48 грн
100+	61.01 грн
500+	51.76 грн
1000+	42.17 грн
2500+	39.61 грн
5000+	37.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6504KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

на замовлення 2450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	101.53 грн
10+	80.3 грн
100+	62.44 грн
500+	49.66 грн
1000+	40.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6504KND3TL1

Description: ROHM - R6504KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	97.55 грн
11+	74.32 грн

Мінімальне замовлення: 8

R6504KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	156.03 грн
10+	124.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6504KNJTL

Description: ROHM - R6504KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6504KNJTL

MOSFET Nch 650V 4A Power MOSFET. R6504KNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

товар відсутній

R6504KNJTL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 12A; 58W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 58W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.05Ω
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

R6504KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

товар відсутній

R6504KNJTL

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	103.74 грн
10+	90.58 грн

Мінімальне замовлення: 8

R6504KNJTL

товар відсутній

R6504KNXC7G

Description: 650V 4A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	165.73 грн
50+	128.49 грн
100+	105.73 грн
500+	83.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6504KNXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 1992 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	181.96 грн
10+	150 грн
100+	102.83 грн
250+	100.76 грн
500+	86.96 грн
1000+	73.84 грн
2500+	69.7 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6504P

00+ DIP

на замовлення 57 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6505-00

Description: BRD SPT SNAP LOCK SCRW MNT 5.5MM

товар відсутній

R6505-00

Standoffs & Spacers 5.0 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

на замовлення 2835 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

R6505AP

01+ DIP

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6505P

04+ DIP

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6507-15

00+ DIP

на замовлення 57 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6507AP

04+ DIP

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6507END3TL1

Description: ROHM - R6507END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	123.1 грн
10+	91.35 грн

Мінімальне замовлення: 7

R6507END3TL1

Description: 650V 7A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

на замовлення 2477 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	129.9 грн
10+	103.52 грн
100+	82.37 грн
500+	65.41 грн
1000+	55.5 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6507END3TL1

Description: ROHM - R6507END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6507END3TL1

Description: 650V 7A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

товар відсутній

R6507END3TL1

MOSFET 650V 7A TO-252, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 2486 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	140.9 грн
10+	115.08 грн
100+	80.06 грн
250+	78.67 грн
500+	67.43 грн
1000+	57.21 грн
2500+	54.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6507ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS

товар відсутній

R6507ENJTL

MOSFET Nch 650V 7A Power MOSFET. R6507ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

на замовлення 1090 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	252.01 грн
10+	223.81 грн
100+	159.42 грн
500+	135.27 грн
1000+	113.87 грн
2000+	108.35 грн
5000+	104.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6507ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	226.2 грн
10+	195.25 грн
100+	160 грн
500+	127.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6507ENJTL

Description: ROHM - R6507ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	125.42 грн
10+	109.93 грн
25+	90.58 грн
100+	75.48 грн

Мінімальне замовлення: 7

R6507ENXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 1988 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	210.95 грн
10+	173.81 грн
100+	119.39 грн
250+	115.94 грн
500+	100.76 грн
1000+	86.27 грн
2500+	81.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6507ENXC7G

Description: 650V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	194.1 грн
50+	150.64 грн
100+	123.94 грн
500+	98.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6507GD

DIP

на замовлення 220 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6507GD

03+ DIP

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6507KND3TL1

Description: ROHM - R6507KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	80.52 грн
13+	61.78 грн

Мінімальне замовлення: 10

R6507KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

на замовлення 2488 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.4 грн
10+	111 грн
100+	89.24 грн
500+	68.8 грн
1000+	57.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6507KND3TL1

Description: ROHM - R6507KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	61.78 грн

Мінімальне замовлення: 100

R6507KND3TL1

MOSFET High-speed Switching, Nch 650V 7A Power MOSFET.

на замовлення 2496 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123.19 грн
10+	101.59 грн
100+	70.39 грн
250+	67.43 грн
500+	58.8 грн
1000+	50.38 грн
2500+	47.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6507KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

товар відсутній

R6507KNJTL

MOSFET Nch 650V 7A Power MOSFET. R6507KNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

на замовлення 1090 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	252.01 грн
10+	223.81 грн
100+	159.42 грн
500+	135.27 грн
1000+	113.87 грн
2000+	108.35 грн
5000+	104.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6507KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	226.2 грн
10+	195.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6507KNJTL

Description: ROHM - R6507KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	125.42 грн
10+	109.93 грн
25+	90.58 грн
100+	75.48 грн

Мінімальне замовлення: 7

R6507KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS

товар відсутній

R6507KNXC7G

Description: 650V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

товар відсутній

R6507KNXC7G

Description: ROHM - R6507KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	147.1 грн
10+	108.39 грн

Мінімальне замовлення: 6

R6507KNXC7G

Description: 650V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	191.11 грн
10+	165.56 грн
100+	133.06 грн
500+	102.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6507KNXC7G

MOSFET 650V 7A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	162.64 грн
10+	145.24 грн
50+	118.7 грн
100+	100.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6507P

04+ DIP

на замовлення 333 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6507P

DIP

на замовлення 2222 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6509END3TL1

Description: 650V 9A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	67.23 грн

Мінімальне замовлення: 2500

R6509END3TL1

Description: ROHM - R6509END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 94W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 85 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	155.61 грн
10+	140.13 грн

Мінімальне замовлення: 5

R6509END3TL1

MOSFET 650V 9A TO-252, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 6990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	161.84 грн
10+	132.54 грн
100+	91.79 грн
250+	87.65 грн
500+	77.98 грн
1000+	66.11 грн
2500+	62.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6509END3TL1

на замовлення 85 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6509END3TL1

Description: 650V 9A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

на замовлення 4440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	148.56 грн
10+	119.19 грн
100+	94.92 грн
500+	75.37 грн
1000+	63.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6509ENJTL

MOSFET 650V N-CH 9A POWER MOSFET

на замовлення 1094 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	237.52 грн
10+	210.32 грн
25+	173.22 грн
100+	152.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6509ENJTL

Description: ROHM - R6509ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 94
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	89.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

R6509ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

на замовлення 88 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	223.96 грн
10+	180.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6509ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

товар відсутній

R6509ENJTL

Description: ROHM - R6509ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 94
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 94
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	114.58 грн
10+	97.55 грн
100+	89.03 грн

Мінімальне замовлення: 7

R6509ENXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 1986 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	210.95 грн
10+	187.3 грн
100+	133.2 грн
500+	113.87 грн
1000+	95.24 грн
2000+	90.41 грн
5000+	86.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6509ENXC7G

Description: 650V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

на замовлення 994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	184.39 грн
50+	140.94 грн
100+	120.8 грн
500+	100.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6509KND3TL1

MOSFET High-speed Switching, Nch 650V 9A Power MOSFET.

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	140.1 грн
10+	123.81 грн
100+	86.96 грн
500+	71.08 грн
1000+	58.94 грн
2500+	54.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6509KND3TL1

Description: ROHM - R6509KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 94W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	92.9 грн
500+	70.38 грн
1000+	53.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

R6509KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	63.07 грн

Мінімальне замовлення: 2500

R6509KND3TL1

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	127.74 грн
10+	114.58 грн
100+	92.9 грн
500+	70.38 грн
1000+	53.82 грн

Мінімальне замовлення: 7

R6509KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	138.11 грн
10+	119.19 грн
100+	95.83 грн
500+	73.88 грн
1000+	61.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6509KNJTL

Description: ROHM - R6509KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 94
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	89.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

R6509KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS

на замовлення 94 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	245.61 грн
10+	212.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6509KNJTL

Description: ROHM - R6509KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 94
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 94
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	114.58 грн
10+	97.55 грн
100+	89.03 грн

Мінімальне замовлення: 7

R6509KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS

товар відсутній

R6509KNJTL

MOSFET 650V N-CH 9A POWER MOSFET

на замовлення 1096 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	237.52 грн
10+	210.32 грн
25+	173.22 грн
100+	158.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6509KNXC7G

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9A; Idm: 27A; 48W; TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
On-state resistance: 1.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 16.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 27A
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

R6509KNXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 3980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	210.95 грн
10+	187.3 грн
100+	133.2 грн
500+	113.87 грн
1000+	95.24 грн
2000+	90.41 грн
5000+	86.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6509KNXC7G

товар відсутній

R6509KNXC7G

Description: 650V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	226.95 грн
10+	196.4 грн
100+	160.87 грн
500+	128.52 грн
1000+	108.39 грн
2000+	105.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6510-00

Standoffs & Spacers 9.6 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

на замовлення 3070 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

R6510-00

Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 9.45MM

на замовлення 2311 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6511AP

DIP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6511AQ

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6511AQ/R1700-17

на замовлення 2988 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6511END3TL1

Description: ROHM - R6511END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 124W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	126.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

R6511END3TL1

Description: 650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 767 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	185.89 грн
10+	148.81 грн
100+	118.45 грн
500+	94.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6511END3TL1

MOSFET 650V 11A TO-252, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	202.09 грн
10+	165.87 грн
100+	114.56 грн
250+	112.49 грн
500+	96.62 грн
1000+	83.51 грн
2500+	82.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6511END3TL1

Description: ROHM - R6511END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 11
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 124
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 124
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

R6511END3TL1

Description: 650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

товар відсутній

R6511ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

товар відсутній

R6511ENJTL

MOSFET 650V N-CH 11A POWER MOSFET

на замовлення 898 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

R6511ENJTL

Description: ROHM - R6511ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6511ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	303.09 грн
10+	261.96 грн

R6511ENJTL

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	188.9 грн
10+	139.35 грн

Мінімальне замовлення: 5

R6511ENXC7G

Description: 650V 11A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	217.99 грн
50+	166.42 грн
100+	142.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6511ENXC7G

MOSFET High-speed Switching, Nch 650V 11A Power MOSFET.

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	192.43 грн
10+	171.43 грн
25+	140.1 грн
100+	119.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6511KND3TL1

Description: ROHM - R6511KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	107.61 грн
10+	79.74 грн

Мінімальне замовлення: 8

R6511KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

на замовлення 2495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	153.79 грн
10+	123.22 грн
100+	98.1 грн
500+	77.9 грн
1000+	66.1 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6511KND3TL1

Description: ROHM - R6511KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 124W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6511KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

товар відсутній

R6511KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

товар відсутній

R6511KNJTL

Description: ROHM - R6511KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	188.9 грн
10+	137.8 грн
100+	116.9 грн

Мінімальне замовлення: 5

R6511KNJTL

MOSFET 650V N-CH 11A POWER MOSFET

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

R6511KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	272.49 грн
10+	220.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6511KNJTL

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	116.9 грн

Мінімальне замовлення: 100

R6511KNXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	276.97 грн
10+	246.03 грн
25+	202.21 грн
100+	175.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6511KNXC7G

Description: 650V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

на замовлення 3984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	220.97 грн
50+	168.75 грн
100+	144.64 грн
500+	120.66 грн
1000+	103.31 грн
2000+	97.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6511P

DIP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6512AP

02+ DIP

на замовлення 787 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6512AP

DIP

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6512P

DIP

на замовлення 222 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6512P

01+ DIP

на замовлення 61 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6513-00

Standoffs & Spacers 12.7 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

R6513-00

Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 12.8MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Screw Mount
Material: Nylon
Between Board Height: 0.504" (12.80mm)
Holding Type: Snap Lock
Mounting Hole Diameter: 0.142" (3.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)

на замовлення 1905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	26.88 грн
13+	22.29 грн
16+	18.55 грн
25+	16.33 грн
50+	15.64 грн
100+	13.9 грн
250+	12.99 грн
500+	12.31 грн
1000+	11.62 грн

Мінімальне замовлення: 12

R6514P

на замовлення 262 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6515ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	395.66 грн
10+	342.26 грн
100+	280.38 грн

R6515ENJTL

MOSFET Nch 650V 15A Power MOSFET. R6515ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

на замовлення 889 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	415.46 грн
10+	368.25 грн
100+	262.94 грн
500+	227.74 грн
1000+	189.1 грн
2000+	178.74 грн
10000+	175.98 грн

R6515ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS

товар відсутній

R6515ENXC7G

R6515ENXC7G THT N channel transistors

товар відсутній

R6515ENXC7G

Description: 650V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	181.41 грн
50+	138.3 грн
100+	118.54 грн
500+	108.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6515ENXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 1989 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	289.85 грн
10+	257.14 грн
100+	183.57 грн
500+	156.66 грн
1000+	131.12 грн
2000+	124.22 грн
5000+	119.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6515KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS

товар відсутній

R6515KNJTL

MOSFET 650V N-CH 15A POWER MOSFET

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	462.96 грн
10+	411.11 грн
25+	337.47 грн
100+	292.62 грн

R6515KNJTL

Description: ROHM - R6515KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 184
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 184
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	267.09 грн
10+	226.84 грн
100+	196.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6515KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	395.66 грн
10+	342.26 грн

R6515KNX3C16

Description: 650V 15A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

на замовлення 956 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	263.53 грн
10+	227.96 грн
100+	186.79 грн
500+	149.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6515KNX3C16

MOSFET 650V 15A, TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 976 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	267.31 грн
10+	237.3 грн
100+	167.7 грн
500+	143.55 грн
1000+	114.56 грн
5000+	110.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6515KNX3C16

Description: ROHM - R6515KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 161
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 161
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	285.67 грн
10+	243.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6515KNXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 3992 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	289.85 грн
10+	257.14 грн
100+	183.57 грн
500+	156.66 грн
1000+	131.12 грн
2000+	126.98 грн
5000+	119.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6515KNXC7G

Description: 650V 15A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	275.47 грн
10+	238.81 грн
100+	195.63 грн
500+	156.29 грн
1000+	131.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6515KNZC17

MOSFET 650V 15A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 282 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	358.29 грн
10+	296.83 грн
25+	250.52 грн
100+	208.42 грн
300+	202.21 грн
600+	184.95 грн
1200+	149.07 грн

R6515KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	371.77 грн
10+	321.2 грн
100+	263.18 грн

R6518

CONEXANT

PLCC44

на замовлення 108 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6518AJ

PLCC44

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6518AJ

на замовлення 113 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6518AJ-R1113-18

на замовлення 2988 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6519-00

Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 19.1MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Screw Mount
Material: Nylon
Between Board Height: 0.752" (19.10mm)
Holding Type: Snap Lock
Mounting Hole Diameter: 0.142" (3.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Part Status: Active

на замовлення 2039 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	28.37 грн
13+	23.87 грн
15+	19.84 грн
25+	17.54 грн
50+	16.79 грн
100+	14.92 грн
300+	13.95 грн
500+	13.22 грн
1000+	12.48 грн

Мінімальне замовлення: 11

R6519-00

Standoffs & Spacers 19.1 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

на замовлення 392 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.82 грн
15+	21.35 грн
100+	16.15 грн
200+	15.32 грн

Мінімальне замовлення: 10

R6520

00+ DIP40

на замовлення 57 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6520AP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6520AP

R6520-13

83+

на замовлення 82 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6520AP

DIP

на замовлення 85 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6520ENJTL

Description: ROHM - R6520ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	224.51 грн
10+	196.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

R6520ENJTL

MOSFET Nch 650V 20A Power MOSFET. R6520ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

товар відсутній

R6520ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	422.54 грн
10+	341.76 грн
100+	276.43 грн

R6520ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	388.26 грн

Мінімальне замовлення: 31

R6520ENJTL

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6520ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

товар відсутній

R6520ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6520ENX

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk

на замовлення 123 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

61+	199.33 грн
63+	191.74 грн
100+	185.24 грн

Мінімальне замовлення: 61

R6520ENXC7G

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 60A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

R6520ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	221.82 грн
57+	213.37 грн
100+	206.13 грн

Мінімальне замовлення: 54

R6520ENXC7G

товар відсутній

R6520ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	168.52 грн
85+	141.6 грн
100+	134.62 грн

Мінімальне замовлення: 72

R6520ENXC7G

Description: ROHM - R6520ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

R6520ENXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 766 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	384.86 грн
10+	346.03 грн
50+	261.56 грн
100+	224.29 грн
250+	222.22 грн
500+	198.76 грн
1000+	160.8 грн

R6520ENXC7G

Description: 650V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	252.33 грн
50+	192.59 грн
100+	165.08 грн
500+	151.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6520ENZ4C13

Description: ROHM - R6520ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	354.58 грн
10+	218.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6520ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	394.59 грн
32+	377.63 грн
50+	363.25 грн
100+	338.39 грн
250+	303.82 грн
500+	283.73 грн

Мінімальне замовлення: 31

R6520ENZ4C13

MOSFET 650V 20A TO-247, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 468 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	417.07 грн
10+	374.6 грн
25+	261.56 грн
100+	242.93 грн
250+	215.32 грн
600+	184.26 грн
1200+	173.91 грн

R6520ENZ4C13

Description: 650V 20A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 1153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	273.98 грн
30+	208.84 грн
120+	179.01 грн
510+	164.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6520ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	426.78 грн

Мінімальне замовлення: 29

R6520ENZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6520ENZC17

MOSFET 650V 20A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 292 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	444.44 грн
10+	368.25 грн
25+	310.56 грн
100+	258.8 грн
300+	250.52 грн
600+	229.81 грн
1200+	185.65 грн

R6520ENZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	415.07 грн
30+	316.79 грн
120+	271.54 грн

R6520ENZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	403.85 грн

Мінімальне замовлення: 30

R6520ENZC8

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

товар відсутній

R6520KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	332.28 грн
38+	318 грн
50+	305.89 грн
100+	284.95 грн

Мінімальне замовлення: 37

R6520KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

товар відсутній

R6520KNJTL

Description: ROHM - R6520KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 231
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

товар відсутній

R6520KNJTL

MOSFET Nch 650V 20A Power MOSFET. R6520KNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

товар відсутній

R6520KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

79+	151.57 грн
84+	142.59 грн

Мінімальне замовлення: 79

R6520KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	422.54 грн
10+	341.76 грн

R6520KNJTL

Description: ROHM - R6520KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

товар відсутній

R6520KNX

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

61+	199.33 грн
63+	191.74 грн
100+	185.24 грн

Мінімальне замовлення: 61

R6520KNX1C10

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	371.98 грн
34+	356 грн
50+	342.43 грн

Мінімальне замовлення: 33

R6520KNX3C16

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 60A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

R6520KNX3C16

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	168.52 грн
85+	141.6 грн
100+	133.62 грн

Мінімальне замовлення: 72

R6520KNX3C16

MOSFET 650V 20A, TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 870 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	326.09 грн
10+	292.86 грн
50+	222.22 грн
100+	189.79 грн
250+	187.03 грн
500+	169.08 грн
1000+	135.27 грн

R6520KNX3C16

Description: 650V 20A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 949 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	303.84 грн
50+	232.27 грн
100+	199.1 грн
500+	166.08 грн

R6520KNX3C16

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6520KNX3C16

товар відсутній

R6520KNX3C16

Description: ROHM - R6520KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 979 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	279.48 грн
10+	203.61 грн
100+	164.9 грн
500+	140.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6520KNXC7G

Description: 650V 20A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	329.97 грн
50+	251.55 грн
100+	215.61 грн
500+	179.86 грн

R6520KNXC7G

Description: ROHM - R6520KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

R6520KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

96+	124.64 грн
105+	114.67 грн
108+	111.68 грн
200+	106.73 грн
500+	94.37 грн
1000+	88.03 грн

Мінімальне замовлення: 96

R6520KNXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 1880 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	353.46 грн
10+	292.06 грн
50+	249.14 грн
100+	205.66 грн
250+	201.52 грн
500+	182.19 грн
1000+	155.97 грн

R6520KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	402.75 грн

Мінімальне замовлення: 30

R6520KNZ4C13

Description: ROHM - R6520KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 231
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

на замовлення 189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	466.83 грн
10+	402.58 грн
100+	348.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6520KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6520KNZ4C13

MOSFET Nch 650V 20A Power MOSFET. R6520KNZ4 is a power MOSFET for switching applications.

товар відсутній

R6520KNZ4C13

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	575.58 грн
30+	442.26 грн
120+	395.71 грн

R6520KNZC17

MOSFET 650V 20A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 292 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	420.29 грн
10+	347.62 грн
25+	293.31 грн
100+	243.62 грн
300+	236.71 грн
600+	216.7 грн
1200+	175.29 грн

R6520KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6520KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	391.93 грн
30+	299.08 грн
120+	256.37 грн

R6520KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6520KNZC8

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

товар відсутній

R6520P

DIP

на замовлення 122 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6520P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6521AP

DIP

на замовлення 33 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6521AP

04+ DIP40

на замовлення 600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6521P1

04+ DIP40

на замовлення 650 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522

01+ DIP40

на замовлення 75 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522-31

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522-41

на замовлення 190 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522/P

на замовлення 28 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R652231

на замовлення 2001 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522AC

на замовлення 44 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522AP

DIP

на замовлення 1088 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522AP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522APE

ROCKWE

на замовлення 469 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522P

DIP

на замовлення 2280 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522P

DIP

на замовлення 2215 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522P

PDIP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522PE

DIP

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522PO1

DIP

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6523

PLCC44

на замовлення 310 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6523

N/A

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6523

DIP

на замовлення 2548 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6523P

04+ DIP

на замовлення 301 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6524ENJTL

R6524ENJTL SMD N channel transistors

товар відсутній

R6524ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

на замовлення 94 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	478.53 грн
10+	416.67 грн

R6524ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

товар відсутній

R6524ENJTL

MOSFET Nch 650V 24A Power MOSFET. R6524ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

на замовлення 1094 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	535.43 грн
10+	476.98 грн
100+	342.99 грн
500+	298.83 грн

R6524ENXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	401.77 грн
10+	332.54 грн
50+	283.64 грн
100+	233.95 грн
250+	229.81 грн
500+	207.73 грн
1000+	167.7 грн

R6524ENXC7G

Description: 650V 24A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	370.28 грн
50+	282.58 грн
100+	242.21 грн
500+	202.05 грн
1000+	173 грн

R6524ENZ4C13

Description: 650V 24A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V

на замовлення 475 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	397.16 грн
30+	302.99 грн
120+	259.71 грн

R6524ENZ4C13

MOSFET 650V 24A TO-247, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	433.98 грн
10+	384.13 грн
120+	273.29 грн
510+	238.1 грн
1020+	186.34 грн

R6524ENZC17

MOSFET 650V 24A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	458.94 грн
10+	380.16 грн
25+	320.22 грн
100+	267.08 грн
300+	258.8 грн
600+	237.4 грн
1200+	191.17 грн

R6524KNJTL

MOSFET Nch 650V 24A Power MOSFET. R6524KNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	561.19 грн
10+	500 грн
25+	414.77 грн
100+	360.25 грн

R6524KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	478.53 грн
10+	416.67 грн

R6524KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

товар відсутній

R6524KNX3C16

Description: 650V 24A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 253W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

товар відсутній

R6524KNX3C16

Description: 650V 24A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 253W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

на замовлення 388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	339.67 грн
10+	294.1 грн
100+	240.96 грн

R6524KNX3C16

MOSFET 650V 24A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 994 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	366.34 грн
10+	324.6 грн
100+	231.19 грн
500+	196.69 грн

R6524KNXC7G

Description: 650V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	370.28 грн
50+	282.58 грн
100+	242.21 грн
500+	202.05 грн

R6524KNXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 1996 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	401.77 грн
10+	332.54 грн
50+	283.64 грн
100+	233.95 грн
250+	229.81 грн
500+	207.73 грн
1000+	178.05 грн

R6524KNXC7G

Description: ROHM - R6524KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.16 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 74
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

R6524KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

67+	179.01 грн
73+	164.77 грн
100+	159.68 грн

Мінімальне замовлення: 67

R6524KNZ4C13

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 72A; 245W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 245W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

R6524KNZ4C13

товар відсутній

R6524KNZ4C13

Description: 650V 24A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

на замовлення 1063 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	487.49 грн
10+	422.13 грн
100+	345.84 грн
500+	276.29 грн
1000+	233.02 грн

R6524KNZ4C13

MOSFET 650V 24A TO-247, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 598 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	433.98 грн
10+	384.13 грн
120+	273.29 грн
510+	233.26 грн
1020+	186.34 грн

R6524KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	475.54 грн
10+	411.56 грн
100+	337.21 грн

R6524KNZC17

MOSFET 650V 24A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 298 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	458.94 грн
10+	380.16 грн
25+	320.22 грн
100+	267.08 грн
300+	258.8 грн
600+	237.4 грн
1200+	191.17 грн

R6528-00

Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 28.5MM

товар відсутній

R6528-00

Standoffs & Spacers 28.5 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

товар відсутній

R6530

01+ DIP40

на замовлення 63 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6530ENXC7G

Description: 650V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

на замовлення 978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	442.7 грн
50+	337.49 грн
100+	289.27 грн
500+	241.31 грн

R6530ENZ4C13

Description: 650V 30A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA
Supplier Device Package: TO-247G
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

на замовлення 486 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	454.64 грн
30+	346.91 грн
120+	297.36 грн

R6530ENZ4C13

Description: ROHM - R6530ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	295.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6530ENZ4C13

MOSFET 650V 30A TO-247, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 540 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	496.78 грн
10+	439.68 грн
120+	313.32 грн
510+	272.6 грн
1020+	213.94 грн

R6530ENZC17

MOSFET 650V 30A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	467.79 грн
10+	396.03 грн
25+	326.43 грн
100+	286.4 грн
300+	277.43 грн
600+	252.59 грн
1200+	217.39 грн

R6530ENZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	425.53 грн
10+	351.39 грн
100+	292.81 грн

R6530KNX3C16

MOSFET 650V 30A, TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 1079 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	490.34 грн
10+	426.98 грн
100+	302.97 грн
500+	263.63 грн
1000+	218.08 грн
2500+	207.04 грн

R6530KNX3C16

Description: ROHM - R6530KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	352.25 грн
10+	295.74 грн
25+	286.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6530KNXC7G

Description: 650V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

на замовлення 894 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	529.29 грн
10+	457.57 грн
100+	374.91 грн
500+	299.51 грн

R6530KNXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	504.83 грн
10+	446.82 грн
100+	318.84 грн
500+	271.22 грн
1000+	233.26 грн
2000+	216.7 грн

R6530KNZ4C13

MOSFET 650V 30A TO-247, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	493.56 грн
10+	408.73 грн
25+	344.38 грн
100+	287.09 грн
250+	278.81 грн
600+	261.56 грн
1200+	206.35 грн

R6530KNZ4C13

Description: ROHM - R6530KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	284.9 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6530KNZ4C13

Description: 650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

на замовлення 441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	543.48 грн
10+	470.37 грн
100+	385.39 грн

R6530KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 960µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	425.53 грн
10+	351.39 грн
100+	292.81 грн

R6530KNZC17

MOSFET 650V 30A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	467.79 грн
10+	396.03 грн
25+	326.43 грн
100+	286.4 грн
300+	277.43 грн
600+	252.59 грн
1200+	217.39 грн

R6530P

DIP

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6531

02+ DIP

на замовлення 336 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532

01+ DIP40

на замовлення 75 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532-11

DIP

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532-15

02+ DIP

на замовлення 299 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532-23

01+ DIP

на замовлення 62 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532-24

01+ DIP

на замовлення 74 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532-25

01+ DIP

на замовлення 70 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532-32

03+ DIP

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532-34

01+ DIP

на замовлення 62 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532-40

03+ DIP

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532AP

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532AP

DIP

на замовлення 53 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532AP

02+ DIP

на замовлення 467 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532GD

DIP

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532GD

02+ DIP

на замовлення 1430 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532P

DIP

на замовлення 140 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532P

01+ DIP

на замовлення 110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6535

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6535

DIP

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6535-00

Description: BRD SPT SNAP LOCK SCREW MNT 35MM

товар відсутній

R6535-00

Standoffs & Spacers 35.0 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

товар відсутній

R6535ENZ4C13

Description: 650V 35A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

на замовлення 571 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	497.94 грн
30+	382.66 грн
120+	342.39 грн
510+	283.52 грн

R6535ENZ4C13

MOSFET 650V 35A TO-247, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 556 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	540.26 грн
10+	457.14 грн
25+	330.57 грн
250+	291.93 грн
600+	262.25 грн
1200+	250.52 грн

R6535ENZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	514.36 грн
10+	424.43 грн
100+	353.69 грн

R6535ENZC17

MOSFET 650V 35A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	566.02 грн
10+	478.57 грн
25+	394.75 грн
100+	345.76 грн
300+	334.71 грн
600+	305.73 грн
1200+	262.25 грн

R6535KNX3C16

Description: 650V 35A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	453.89 грн
10+	374.61 грн
100+	312.17 грн

R6535KNX3C16

MOSFET 650V MOSFET

на замовлення 971 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	531.4 грн
10+	471.43 грн
50+	387.16 грн
100+	334.71 грн

R6535KNZ4C13

Description: ROHM - R6535KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.098 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 379W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: TO-247G
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.098ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	375.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6535KNZ4C13

Description: 650V 35A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	496.45 грн
10+	409.76 грн
100+	341.5 грн

R6535KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	514.36 грн
10+	424.43 грн
100+	353.69 грн

R6535KNZC17

MOSFET 650V 35A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 270 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	566.02 грн
10+	478.57 грн
25+	394.75 грн
100+	345.76 грн
300+	334.71 грн
600+	305.73 грн
1200+	262.25 грн

R6540

04+ DIP

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6541

04+ DIP

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6545

00+ DIP

на замовлення 59 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6545-1AP

DIP

на замовлення 91 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6545-1P

DIP

на замовлення 32 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6545AP

DIP

на замовлення 351 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6545AP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6545EAP

DIP

на замовлення 82 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6545P

DIP

на замовлення 1110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6547ENZ4C13

Description: 650V 47A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.72mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V

на замовлення 370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	627.84 грн
30+	482.92 грн
120+	432.09 грн

R6547KNZ4C13

MOSFET Nch 650V 47A Power MOSFET. R6547KNZ4 is a power MOSFET for switching applications.

на замовлення 587 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1105.47 грн
10+	959.52 грн
30+	788.82 грн
60+	721.19 грн
120+	720.5 грн
270+	653.55 грн
510+	600.41 грн

R6547KNZ4C13

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; Idm: 141A; 480W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 480W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

R6547KNZ4C13

Description: ROHM - R6547KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1094.7 грн
5+	983.21 грн

R6547KNZ4C13

товар відсутній

R6549

00+ DIP40

на замовлення 58 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6549P

DIP

на замовлення 1123 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6550-00

Description: 3.2MM CABLE CLAMP

товар відсутній

R6551

01+ DIP

на замовлення 62 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6551-00

Description: 4.8MM CABLE CLAMP

товар відсутній

R6551-11

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6551-13

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6551-17

DIP

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6551-22

DIP

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6551AP

DIP

на замовлення 1023 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6551AP

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6551APE

DIP

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6551P

DIP

на замовлення 1577 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6551P

на замовлення 900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6551P(R6551-11)

02+ DIP

на замовлення 2005 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6552-00

Description: 6.35MM CABLE CLAMP

товар відсутній

R6553-00

Description: 7.9MM CABLE CLAMP

товар відсутній

R6554-00

Description: 9.5MM CABLE CLAMP

товар відсутній

R6555-00

Description: 12.7MM CABLE CLAMP

товар відсутній

R6556-00

Description: 15.8MM CABLE CLAMP

товар відсутній

R656

Description: CONN EDGE 56CONT WIREWRAP FLUSH
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Prototyping Board
Accessory Type: Edge Connectors

товар відсутній

R656

Vector

Standard Card Edge Connectors 56P EDGE CONN W WRAP

товар відсутній

R656-1

Description: CONN EDGE 56CONT SOLDRTAIL FLUSH

товар відсутній

R656-1

Vector

Standard Card Edge Connectors 56 POS EDGE CARD 042" Hole Diameter

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

R656-2

Description: CONN EDGE 56CONT WIREWRAP CENTER
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Prototyping Board
Accessory Type: Edge Connectors

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1843.94 грн

R656-3

Description: CONN EDGE 56CONT WIREWRAP 0.025"
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Prototyping Board
Accessory Type: Edge Connectors

товар відсутній

R656-3

Vector

Racks & Rack Cabinet Accessories RECEPTACLE U/O 3690-16, 3690-17

товар відсутній

R656-4#

Description: RECEPTACLE BULK STD BUS MTR BD

товар відсутній

R6562AP

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6570-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товар відсутній

R6570SA

на замовлення 2240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6570SB

на замовлення 2240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6571-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товар відсутній

R6572-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товар відсутній

R6573-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK
Features: Snap-Mount
Packaging: Bulk
Color: Black
For Use With/Related Products: Cable, Wires
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Panel Thickness: 0.075" ~ 0.126" (1.90mm ~ 3.20mm)
Diameter - Inside: Variable Size
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 0.626" L x 0.528" W (15.90mm x 13.40mm)
Bushing, Grommet Type: Bushing, Strain Relief
Material Flammability Rating: UL94 V-2
Part Status: Obsolete

товар відсутній

R6574-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товар відсутній

R6575-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товар відсутній

R6576ENZ4C13

Description: 650V 76A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 44.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.96mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V

на замовлення 552 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1291.51 грн
30+	1006.3 грн
120+	947.11 грн
510+	805.5 грн

R6576ENZ4C13

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 76A; Idm: 228A; 735W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 735W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

R6576ENZ4C13

MOSFET MOSFET

на замовлення 1036 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1402.58 грн
10+	1218.25 грн
25+	1030.36 грн
50+	972.39 грн
100+	915.11 грн
250+	886.13 грн
600+	829.54 грн

R6576ENZ4C13

товар відсутній

R6576KNZ1

товар відсутній

R6576KNZ1C9

Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1081 грн
25+	1031.09 грн

Мінімальне замовлення: 12

R6576KNZ1C9

товар відсутній

R6576KNZ4C13

MOSFET 650V 76A TO-247, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 589 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1159.42 грн
10+	1050.79 грн
120+	771.57 грн
510+	685.99 грн
1020+	629.4 грн

R6576KNZ4C13

Description: 650V 76A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

на замовлення 504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1215.36 грн
10+	1075.6 грн
100+	908.38 грн
500+	758.34 грн

R6580-00

Description: BUSHING 0.205" NYLON BLACK

товар відсутній

R6581-00

Description: BUSHING 0.248" NYLON BLACK

товар відсутній

R6582-00

Description: BUSHING 0.323" NYLON BLACK

товар відсутній

R6583-00

Description: BUSHING 0.520" NYLON BLACK

товар відсутній

R6583A

на замовлення 36 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6584-00

Description: BUSHING 0.563" NYLON BLACK

товар відсутній

R6585-00

Description: BUSHING 0.693" NYLON BLACK

товар відсутній

R65C/SC51P1

01+ DIP28

на замовлення 74 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02

01+ DIP40

на замовлення 97 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02

PLCC44

на замовлення 155 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02-33

03+ DIP

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02AP

03+ DIP

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02J1

03+ PLCC

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02J2

03+ PLCC

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02J3

00+ PLCC-44

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02J3(11450-31)

на замовлення 66 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02J4

на замовлення 562 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02J4

PLCC44

на замовлення 89 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P

02+ DIP40

на замовлення 189 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P1

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P1

DIP

на замовлення 39 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P1

03+ DIP40

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P2

09+ SOP8

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P2

DIP

на замовлення 364 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P2

01+ DIP

на замовлення 65 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P2
Код товару: 83555

Rockwell

Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: DIP-40
Короткий опис: Microprocessors(CPU)
Живлення, В: 5,0 V

товар відсутній

R65C02P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P3

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P3

DIP

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P3

01+ DIP

на замовлення 136 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P4

DIP

на замовлення 350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02PIE

на замовлення 76 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C03P2

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C102

01+ DIP40

на замовлення 61 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C102P2

DIP

на замовлення 84 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C102P3

00+

на замовлення 4 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C112P-1

04+ DIP

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C112P-2

04+ DIP

на замовлення 550 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C112P-3

04+ DIP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C112P-4

04+ DIP

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C112P2

01+ DIP

на замовлення 63 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C112P3

00+ DIP

на замовлення 59 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C12

01+ DIP40

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21

03+ DIP40

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21J1

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21J1E

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21J2

на замовлення 1540 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21J2E

на замовлення 2145 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21J3

на замовлення 3240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21J3E

на замовлення 1478 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21J4

на замовлення 2365 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21J4E

на замовлення 3254 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21JI

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21P

на замовлення 180 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21P2

92+

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21P2

DIP

на замовлення 807 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21P2/P3

на замовлення 3560 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21P3

на замовлення 623 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22

02+ DIP40

на замовлення 217 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22AP

03+ DIP40

на замовлення 882 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22C2E

04+ DIP

на замовлення 1003 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22C3E

0018+ DIP

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22C4E

0321+ DIP

на замовлення 1289 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22J

00+ PLCC-44

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22J1

на замовлення 6589 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22J2

на замовлення 4580 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22J3

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22J4

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P

02+ DIP40

на замовлення 114 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P-3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P1

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P1

DIP

на замовлення 103 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P1

04+ DIP40

на замовлення 786 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P1E

01+ DIP

на замовлення 72 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P2

03+ DIP40

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P2

PDIP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P2

09+

на замовлення 518 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P2

DIP

на замовлення 215 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P2E

0118+ DIP

на замовлення 1185 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P2E

DIP

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P3

DIP

на замовлення 76 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P3

0204+ DIP40

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P3

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P4

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P4

DIP

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P4

01+ DIP

на замовлення 145 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P4E

02+ DIP

на замовлення 136 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P4E

DIP

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22PC

DIP40

на замовлення 96 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22PI

на замовлення 580 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C24J2

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C24P

01+ DIP

на замовлення 115 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C24P-4

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C24P1

на замовлення 558 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C24P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C24P2

DIP

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C24P2

02+ DIP

на замовлення 790 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51

на замовлення 859 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51-J1

на замовлення 112 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51J1

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51J2

PLCC28

на замовлення 155 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51J2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51J2E

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51J3

0448+ PLCC

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51J4

0215+ PLCC

на замовлення 330 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51JC2

ROCKWE

на замовлення 130 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51P

02+ DIP28

на замовлення 129 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51P1

DIP

на замовлення 885 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51P1E

07+

на замовлення 13 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51P1E

на замовлення 13 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51P2

DIP28

на замовлення 887 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51P2

ROCKEWLL

DIP28 09+

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51P2E

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51P2S

DIP

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51P3

на замовлення 74 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51P3\P4

DIP

на замовлення 887 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51P4

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51PI

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52

PLCC44

на замовлення 108 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52J1

03+ PLCC

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52J2

04+ PLCC44

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52J2

ZILOG

на замовлення 110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52J2

PLCC44

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52J2E

0402+ PLCC44

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52J3

03+ PLCC

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52J3

PLCC

на замовлення 876 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52J3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52J3

0530+ PLCC

на замовлення 350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52J3E

04+ PLCC44

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52J4

0229+ PLCC

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52J4E

04+ PLCC44

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52P

DIP

на замовлення 282 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52P

03+ DIP40

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52P1

DIP

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52P2

ПРОЧИЕ ИЗГОТОВИТЕЛИ

Сдв адаптер асинхр интерфейса (мультимедиа) DIP 40

на замовлення 10 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

1+	226.8 грн

R65C52P3

DIP

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52P3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65F11

01+ DIP40

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC02J1

04+ PLCC

на замовлення 568 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC02J2

04+ PLCC44

на замовлення 668 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC02J3

04+ PLCC44

на замовлення 768 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC02J4

04+ PLCC44

на замовлення 628 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC02P

01+ DIP

на замовлення 130 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC02P1

04+ DIP

на замовлення 789 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC02P1

DIP

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC02P2

01+ DIP40

на замовлення 71 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC02P2

DIP

на замовлення 111 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC02P3

01+ DIP40

на замовлення 131 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC02P4

00+ DIP40

на замовлення 59 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22

на замовлення 859 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22-J2

на замовлення 130 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22J1

04+ PLCC44

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22J2

PLCC44

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22J2

04+ PLCC44

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22J2

ROCKWE

на замовлення 125 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22J2(11484-37

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22J2(11484-37)

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22J3

PLCC44

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22J3

03+ PLCC-44

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22J4

04+ PLCC44

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22P

00+ DIP40

на замовлення 57 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22P1

DIP

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22P1

01+ DIP40

на замовлення 64 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22P2

02+ DIP40

на замовлення 164 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22P2

DIP

на замовлення 468 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22P3

01+ DIP40

на замовлення 107 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22P3

DIP

на замовлення 340 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22P4

01+ DIP40

на замовлення 70 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22P4

DIP

на замовлення 89 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC51P1

04+ DIP40

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC51P2

04+ DIP40

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC51P3

04+ DIP40

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC51P4

04+ DIP40

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65SC02PE4

CMD

на замовлення 102 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65SC112J1

04+ PLCC44

на замовлення 560 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65SC112J2

04+ PLCC44

на замовлення 550 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65SC112J3

04+ PLCC44

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65SC112J4

04+ PLCC44

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65SC23P-2

04+ DIP

на замовлення 689 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65SC23P-3

04+ DIP

на замовлення 568 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65SC23P-4