Продукція > RH6

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RH600ExtechEnvironmental Test Equipment Handheld Dewpoint Meter
товар відсутній
RH60000GYHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories RainHood Grey For PF50/60/70/65/67000
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
RH60000GYHammond ManufacturingDescription: RAIN HOOD USE W/ PF50 60 70 65
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RH60000LGHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Type 3R Rain Hood Steel/Light Grey
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
RH60000LGHammond ManufacturingDescription: RAIN HOOD USE W/ PF50 60 70 65
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RH60000N4GYHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Type 4 Rain Hood - Use w/ PF6x000/PFA60000 - Steel/Gray
товар відсутній
RH60000N4LGHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Type 4 Rain Hood - Use w/ PF6x000/PFA60000 - Steel/Lt.Gray
товар відсутній
RH60000N4S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Type 4X Rain Hood - Use w/ PF6x000/PFA60000 - 316 SS
товар відсутній
RH60000N4SSHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Type 4X Rain Hood - Use w/ PF6x000/PFA60000 - 304 SS
товар відсутній
RH60000SSHammond ManufacturingDescription: RAIN HOOD USE W/ PF50 60 70 65
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RH60000SSHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Type 3R Rain Hood - Use w/ PF50, 60, 70, 65, 67000 - 304 SS
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+23602.23 грн
5+ 23255.53 грн
10+ 20218.75 грн
25+ 20108.33 грн
50+ 19926.83 грн
100+ 19632.14 грн
250+ 19628 грн
RH6003TOSHIBASOT-89
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RH601ExtechEnvironmental Test Equipment Replacement Probe for RH600
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+45277.73 грн
RH601693HANRUN02+ SMD
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RH6045TLF-101MBOCHENSMD power inductor; inductance: 100uH; 20%; current: 1A; resistance: 0.559R; dimensions: 6x6x5mm equivalent: SRN6045-101M; VLS6045EX-101M SMD Power Inductor; 100uH D DJNR6045-100.0
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
RH60DZ-HMITSUBISHI60A/800V/DIODE/2U
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RH611C106KA30A3Kyocera AVX ComponentsCap Ceramic 10uF 100V X7R 10% SMD 125C Low ESR Waffle
товар відсутній
RH611C106KA3LA3Kyocera AVX ComponentsCap Ceramic 10uF 100V X7R 10% SMD 125C Waffle
товар відсутній
RH611C106KA3LA3KYOCERA AVXSpeciality Ceramic Capacitors
товар відсутній
RH611C106KAA0A3KYOCERA AVXSpeciality Ceramic Capacitors
товар відсутній
RH611C106KAA0A3Kyocera AVX ComponentsCap Ceramic 10uF 100V X7R 10% SMD 2 Stacked 125C Low ESR T/R
товар відсутній
RH611C106KAARA3Kyocera AVX ComponentsCap Ceramic 10uF 100V X7R 10% Pad SMD 125C Low ESR T/R
товар відсутній
RH611C106KAARA3KYOCERA AVXSpeciality Ceramic Capacitors
товар відсутній
RH615C106MA30A3Kyocera AVX ComponentsCap Ceramic 10uF 50V X7R 20% SMD 2 Stacked 125C Low ESR T/R
товар відсутній
RH625C226KA30A3Kyocera AVX ComponentsCap Ceramic 22uF 50V X7R 10% SMD 2 Stacked 125C Low ESR T/R
товар відсутній
RH627C155KA30A3Kyocera AVX ComponentsCap Ceramic 1.5uF 500V X7R 10% SMD 125C Low ESR Waffle
товар відсутній
RH627C155KA3RA3Kyocera AVX ComponentsCap Ceramic 1.5uF 500V X7R 10% SMD 125C Low ESR Waffle
товар відсутній
RH6590AKU-AE2
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RH68R0JS55
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RH6D28-330M
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RH6E040BGTB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 30V 125A, HSMT8, Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.77 грн
10+ 97.62 грн
100+ 66.11 грн
500+ 56.31 грн
1000+ 45.82 грн
3000+ 43.13 грн
6000+ 41.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
RH6G040BGTB1ROHM SemiconductorMOSFET NCH 40V 95A MOSFET
на замовлення 5961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.27 грн
10+ 119.84 грн
100+ 84.2 грн
500+ 69.7 грн
1000+ 62.59 грн
3000+ 53.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
RH6G040BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 95A, HSMT8, POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 20 V
на замовлення 5281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.7 грн
10+ 94.82 грн
100+ 75.44 грн
500+ 59.9 грн
1000+ 50.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
RH6G040BGTB1ROHMDescription: ROHM - RH6G040BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 0.0028 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 59W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.51 грн
10+ 123.1 грн
Мінімальне замовлення: 6
RH6G040BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 95A, HSMT8, POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+53.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RH6L040BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 65A, HSMT8, POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V
на замовлення 23400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+61.04 грн
6000+ 56.57 грн
9000+ 54.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RH6L040BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 65A, HSMT8, POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V
на замовлення 24821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.12 грн
10+ 108.26 грн
100+ 86.19 грн
500+ 68.44 грн
1000+ 58.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
RH6L040BGTB1ROHM SemiconductorMOSFET N CHAN 60V HSMT8
на замовлення 8369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.95 грн
10+ 121.43 грн
100+ 84.89 грн
250+ 77.98 грн
500+ 70.39 грн
1000+ 67.43 грн
3000+ 57.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
RH6P040BHTB1ROHMDescription: ROHM - RH6P040BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.012 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
RH6P040BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 40A, HSMT8, POWER MOSFE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+57.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RH6P040BHTB1ROHM SemiconductorMOSFET NCH 100V 40A MOSFET
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.85 грн
10+ 108.73 грн
100+ 75.22 грн
250+ 69.01 грн
500+ 62.94 грн
1000+ 60.46 грн
3000+ 51.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
RH6P040BHTB1ROHMDescription: ROHM - RH6P040BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.012 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.77 грн
10+ 109.16 грн
100+ 77.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
RH6P040BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 40A, HSMT8, POWER MOSFE
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.42 грн
10+ 108.62 грн
100+ 87.3 грн
500+ 67.31 грн
1000+ 55.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
RH6R025BHTB1ROHMDescription: ROHM - RH6R025BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.046 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+157.93 грн
10+ 128.51 грн
100+ 102.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
RH6R025BHTB1ROHMDescription: ROHM - RH6R025BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.046 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+102.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
RH6R025BHTB1ROHM SemiconductorMOSFET RH6R025BH is a power MOSFET with low-on resistance and High power package, suitable for switching.
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.07 грн
10+ 111.11 грн
100+ 77.98 грн
250+ 71.08 грн
500+ 64.8 грн
1000+ 58.52 грн
3000+ 50.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
RH6R20JS12N
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RH6VA24CA-T
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)