Продукція > RQ1

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RQ147M2R2BATME
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ1A060ZPTR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ1A060ZPTRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; Idm: -24A; 1.5W; TSMT8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
RQ1A060ZPTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 6 V
на замовлення 35921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.95 грн
10+ 55.43 грн
100+ 42.51 грн
500+ 31.54 грн
1000+ 25.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
RQ1A060ZPTRROHM SemiconductorMOSFET RECOMMENDED ALT 755-RF4C050APTR
на замовлення 3564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.92 грн
10+ 59.13 грн
100+ 35.54 грн
500+ 29.74 грн
1000+ 25.26 грн
3000+ 20.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
RQ1A060ZPTRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; Idm: -24A; 1.5W; TSMT8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RQ1A060ZPTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 6 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.3 грн
6000+ 22.69 грн
15000+ 21.84 грн
30000+ 19.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RQ1A070APTRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -7A; Idm: -28A; 1.5W; TSMT8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
RQ1A070APTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RQ1A070APTRROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET P-CH 12V 7A
на замовлення 3681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.16 грн
10+ 53.1 грн
100+ 31.88 грн
500+ 26.71 грн
1000+ 22.64 грн
3000+ 19.32 грн
6000+ 19.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
RQ1A070APTRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -7A; Idm: -28A; 1.5W; TSMT8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RQ1A070APTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 6 V
на замовлення 3473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.23 грн
10+ 48.38 грн
100+ 33.5 грн
500+ 26.27 грн
1000+ 22.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
RQ1A070ZPFRATRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -7A; Idm: -28A; 1.5W; TSMT8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
RQ1A070ZPFRATRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -7A; Idm: -28A; 1.5W; TSMT8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RQ1A070ZPHZGTRRohm SemiconductorDescription: AUTOMOTIVE PCH -12V -7A SMALL SI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 6 V
товар відсутній
RQ1A070ZPHZGTRROHM SemiconductorMOSFET MOSFET 12V PCH -7A
на замовлення 5933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.41 грн
10+ 62.06 грн
100+ 42.03 грн
500+ 40.51 грн
3000+ 34.37 грн
6000+ 33.68 грн
9000+ 33.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
RQ1A070ZPHZGTRRohm SemiconductorDescription: AUTOMOTIVE PCH -12V -7A SMALL SI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 6 V
товар відсутній
RQ1A070ZPTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 6 V
на замовлення 5267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.87 грн
10+ 65.27 грн
100+ 50.77 грн
500+ 40.38 грн
1000+ 32.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
RQ1A070ZPTRROHM SemiconductorMOSFET SW MOSFET MID PWR P-CH 12V -7A
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.76 грн
10+ 70.63 грн
100+ 47.83 грн
500+ 40.51 грн
1000+ 32.99 грн
3000+ 30.99 грн
6000+ 29.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
RQ1A070ZPTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RQ1A070ZPTR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ1C065UNTR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ1C065UNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
товар відсутній
RQ1C065UNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
338+35.43 грн
352+ 34.01 грн
500+ 32.79 грн
Мінімальне замовлення: 338
RQ1C065UNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.29 грн
10+ 37.96 грн
100+ 28.35 грн
500+ 20.9 грн
1000+ 16.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
RQ1C065UNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
338+35.43 грн
352+ 34.01 грн
500+ 32.79 грн
1000+ 30.58 грн
2500+ 27.48 грн
Мінімальне замовлення: 338
RQ1C065UNTRROHM SemiconductorMOSFET 1.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 2406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.71 грн
10+ 41.11 грн
100+ 26.71 грн
500+ 20.98 грн
1000+ 16.22 грн
3000+ 13.8 грн
9000+ 12.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
RQ1C075UNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 4471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+30.11 грн
435+ 27.56 грн
448+ 26.75 грн
500+ 24.82 грн
1000+ 22.16 грн
3000+ 20.14 грн
Мінімальне замовлення: 398
RQ1C075UNTRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.5A; Idm: 30A; 1.5W; TSMT8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
RQ1C075UNTRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.5A; Idm: 30A; 1.5W; TSMT8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RQ1C075UNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V
товар відсутній
RQ1C075UNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+37.52 грн
333+ 36.01 грн
500+ 34.71 грн
1000+ 32.38 грн
Мінімальне замовлення: 319
RQ1C075UNTRROHM SemiconductorMOSFET 1.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 2081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.69 грн
10+ 45.16 грн
100+ 26.85 грн
500+ 22.43 грн
1000+ 19.05 грн
3000+ 17.25 грн
6000+ 16.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
RQ1C075UNTR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ1C075UNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V
товар відсутній
RQ1E050RPFRATRRohm SemiconductorDescription: PCH -30V -5A SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
RQ1E050RPFRATRRohm SemiconductorDescription: PCH -30V -5A SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
RQ1E050RPHZGTRROHM SemiconductorMOSFET Pch -30V -5A Small Signal MOSFET: RQ1E050RPHZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.14 грн
10+ 46.9 грн
100+ 27.81 грн
500+ 23.26 грн
1000+ 19.74 грн
3000+ 17.87 грн
6000+ 16.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
RQ1E050RPTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
товар відсутній
RQ1E050RPTRROHMDescription: ROHM - RQ1E050RPTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.022 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.15 грн
500+ 26.96 грн
1000+ 19.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
RQ1E050RPTRROHMDescription: ROHM - RQ1E050RPTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.022 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.66 грн
19+ 42.27 грн
100+ 30.58 грн
500+ 24.08 грн
1000+ 16.06 грн
Мінімальне замовлення: 15
RQ1E050RPTRROHM SemiconductorMOSFET RECOMMENDED ALT 755-RF4E075ATTCR
на замовлення 3310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.16 грн
10+ 52.38 грн
100+ 35.47 грн
500+ 29.74 грн
1000+ 23.88 грн
3000+ 23.19 грн
6000+ 21.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
RQ1E050RPTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
на замовлення 1731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.98 грн
10+ 50.83 грн
100+ 39.6 грн
500+ 30.7 грн
1000+ 24.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
RQ1E070RPHZGTRRohm SemiconductorDescription: PCH -30V -7A SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
товар відсутній
RQ1E070RPHZGTRROHM SemiconductorMOSFET MOSFET 30V PCH -7A
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.6 грн
10+ 61.35 грн
100+ 41.48 грн
500+ 35.2 грн
1000+ 28.64 грн
3000+ 26.98 грн
6000+ 25.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
RQ1E070RPHZGTRRohm SemiconductorDescription: PCH -30V -7A SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
товар відсутній
RQ1E070RPTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
на замовлення 7987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.85 грн
10+ 73.54 грн
100+ 57.34 грн
500+ 44.45 грн
1000+ 35.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
RQ1E070RPTRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 1.5W; TSMT8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RQ1E070RPTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RQ1E070RPTRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 1.5W; TSMT8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
RQ1E070RPTRROHM SemiconductorMOSFET MID PWR MOSFET SER
на замовлення 6245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.98 грн
10+ 74.52 грн
100+ 49.28 грн
500+ 41.75 грн
1000+ 34.09 грн
3000+ 32.02 грн
6000+ 30.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
RQ1E070RPTR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ1E075VN TRROHMTSMT8
на замовлення 2723 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ1E075XNTCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.53 грн
6000+ 19.64 грн
9000+ 18.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RQ1E075XNTCRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.5A; Idm: 30A; 1.5W; TSMT8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
RQ1E075XNTCRROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch MOSFET. MOSFETs are made as ultra-low ON-resistance by the micro-processing technologies suitable for mobilr equipment for low current consumption. In wide lineup including compact type, high-power type and complex type to meet in the
на замовлення 12048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.63 грн
10+ 51.83 грн
100+ 31.26 грн
500+ 26.16 грн
1000+ 22.22 грн
3000+ 19.32 грн
6000+ 18.7 грн
Мінімальне замовлення: 6
RQ1E075XNTCRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.5A; Idm: 30A; 1.5W; TSMT8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RQ1E075XNTCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V
на замовлення 26858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.74 грн
10+ 47.23 грн
100+ 32.73 грн
500+ 25.67 грн
1000+ 21.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
RQ1E100XNTRROHM SemiconductorMOSFET RECOMMENDED ALT 755-RF4E110BNTR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.86 грн
10+ 62.62 грн
100+ 42.37 грн
500+ 35.96 грн
1000+ 29.26 грн
3000+ 27.47 грн
6000+ 26.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
RQ1E100XNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
товар відсутній
RQ1R50SHARP0222+
на замовлення 18373 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ1V-CH-A115IDECGeneral Purpose Relays Relay PCB SPDT 16A 120VAC
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+848.63 грн
10+ 783.33 грн
25+ 605.93 грн
100+ 545.2 грн
250+ 484.47 грн
500+ 454.11 грн
1000+ 423.74 грн
RQ1V-CM-D24IDECDescription: IDEC - RQ1V-CM-D24 - POWER RELAY, SPDT, 24VDC, 12A, PC BOARD
tariffCode: 85364190
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Solder
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Spulentyp: Non Latching
Kontaktmaterial: Silver Nickel
Kontaktstrom: 12A
usEccn: EAR99
Spulenwiderstand: 1.44kohm
euEccn: NLR
Kontaktspannung V DC: -
Relaismontage: Through Hole
Produktpalette: RQ Series
productTraceability: No
Spulenspannung: 24VDC
Kontaktkonfiguration: SPDT
Kontaktspannung V AC: -
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+334.45 грн
10+ 324.38 грн
25+ 317.42 грн
50+ 288.27 грн
Мінімальне замовлення: 3