Продукція > RRQ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RRQ020P03ROHM SemiconductorMOSFET
товар відсутній
RRQ020P03TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
262+45.73 грн
273+ 43.89 грн
500+ 42.3 грн
1000+ 39.46 грн
2500+ 35.46 грн
Мінімальне замовлення: 262
RRQ020P03TCRROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET P-CH 30V 2A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.95 грн
13+ 25.08 грн
100+ 15.18 грн
500+ 11.87 грн
1000+ 9.66 грн
3000+ 8.14 грн
9000+ 7.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
RRQ020P03TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.37 грн
13+ 23.15 грн
100+ 16.08 грн
500+ 11.78 грн
1000+ 9.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
RRQ020P03TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
товар відсутній
RRQ020P03TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
262+45.73 грн
273+ 43.89 грн
500+ 42.3 грн
1000+ 39.46 грн
2500+ 35.46 грн
Мінімальне замовлення: 262
RRQ030P03
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RRQ030P03FRATRROHM SEMICONDUCTORRRQ030P03FRATR SMD P channel transistors
товар відсутній
RRQ030P03HZGTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.27 грн
10+ 41.84 грн
100+ 32.08 грн
500+ 23.8 грн
Мінімальне замовлення: 7
RRQ030P03HZGTRROHM SemiconductorMOSFET Pch -30V -3A Small Signal MOSFET
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.92 грн
10+ 43.41 грн
100+ 28.99 грн
500+ 22.91 грн
1000+ 18.7 грн
3000+ 16.63 грн
9000+ 15.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
RRQ030P03HZGTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
товар відсутній
RRQ030P03TRROHM SemiconductorMOSFET TRANS MOSFET P-CH 30V 3A TR
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.58 грн
11+ 31.11 грн
100+ 15.73 грн
1000+ 13.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
RRQ030P03TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.03 грн
10+ 38.89 грн
100+ 29.01 грн
500+ 21.4 грн
1000+ 16.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
RRQ030P03TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RRQ030P03TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
товар відсутній
RRQ035N03
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RRQ045P03
на замовлення 123800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RRQ045P03FRATRROHMDescription: ROHM - RRQ045P03FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.025 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.86 грн
17+ 47.61 грн
100+ 34.99 грн
Мінімальне замовлення: 13
RRQ045P03FRATRROHMDescription: ROHM - RRQ045P03FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.025 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Verlustleistung: 1.25
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.69 грн
500+ 27.39 грн
1000+ 20.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
RRQ045P03HZGTRRohm SemiconductorDescription: AUTOMOTIVE PCH -30V -4.5A SMALL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
товар відсутній
RRQ045P03HZGTRROHMDescription: ROHM - RRQ045P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.025 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: TSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.61 грн
10+ 96.77 грн
100+ 75.41 грн
500+ 57.87 грн
1000+ 39.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
RRQ045P03HZGTRRohm SemiconductorDescription: AUTOMOTIVE PCH -30V -4.5A SMALL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.29 грн
10+ 85.76 грн
100+ 66.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
RRQ045P03HZGTRROHM SemiconductorMOSFET AECQ
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.81 грн
10+ 77.54 грн
100+ 52.45 грн
500+ 45.41 грн
1000+ 36.99 грн
3000+ 34.78 грн
6000+ 32.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
RRQ045P03HZGTRROHMDescription: ROHM - RRQ045P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.025 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: TSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.41 грн
500+ 57.87 грн
1000+ 39.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
RRQ045P03TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
товар відсутній
RRQ045P03TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RRQ045P03TRROHM SemiconductorMOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -30V, -4.5A
на замовлення 4139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.69 грн
10+ 51.27 грн
100+ 34.71 грн
500+ 29.47 грн
1000+ 24.43 грн
3000+ 23.05 грн
6000+ 21.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
RRQ045P03TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.44 грн
10+ 57.3 грн
100+ 44.69 грн
500+ 34.65 грн
1000+ 27.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
RRQ3-433
Код товару: 150269		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній