Продукція > UMD

на замовлення 8503 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD10N

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD10N-TP

Digital Transistors

товар відсутній

UMD10NHE3-TP

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	24.64 грн
15+	19.19 грн
25+	17.54 грн
100+	12.24 грн
250+	11.1 грн
500+	9.19 грн
1000+	6.78 грн

Мінімальне замовлення: 13

UMD10NHE3-TP

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.99 грн
6000+	6.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

UMD12 N TR

09+

на замовлення 60018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD12 NTR

на замовлення 34630 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD12 N TR

SOT363-D12

на замовлення 438000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD12 N TR SOT363-D12

на замовлення 390000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD12 N TR SOT363-D12

на замовлення 438000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD12-323

на замовлення 3450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD12-N-TR

на замовлення 2372 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD12-NTRSOT363-D12

на замовлення 66000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD12.N.TR

на замовлення 12673 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD12/D12

на замовлення 288200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD12B

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD12N

на замовлення 4575 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD12N-TPQ2

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-363

товар відсутній

UMD12NFHATR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SC88; SOT363
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 68
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
кількість в упаковці: 10 шт

товар відсутній

UMD12NFHATR

Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGITAL NPN+PNP

на замовлення 1932 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	39.69 грн
13+	25.95 грн
100+	14.08 грн
1000+	8.49 грн
3000+	6.35 грн
9000+	5.73 грн
24000+	5.31 грн

Мінімальне замовлення: 9

UMD12NFHATR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

товар відсутній

UMD12NFHATR

товар відсутній

UMD12NHE3-TP

Bipolar Transistors - Pre-Biased

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	26.25 грн
16+	21.03 грн
100+	12.42 грн
1000+	7.25 грн
3000+	6.35 грн
9000+	5.59 грн
24000+	5.11 грн

Мінімальне замовлення: 13

UMD12NHE3-TP

Description: DIGITAL TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.54 грн
6000+	6.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

UMD12NHE3-TP

Description: DIGITAL TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	23.89 грн
16+	18.12 грн
100+	10.86 грн
500+	9.44 грн
1000+	6.42 грн

Мінімальне замовлення: 13

UMD12NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6

на замовлення 4779 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.35 грн
14+	21.35 грн
100+	10.78 грн
500+	8.97 грн
1000+	6.98 грн

Мінімальне замовлення: 10

UMD12NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

UMD12NTR

UMD12NTR Complementary transistors

на замовлення 11940 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

37+	7.58 грн
280+	3.69 грн
750+	3.49 грн

Мінімальне замовлення: 37

UMD12NTR

Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP/NPN 50V 30MA

на замовлення 10829 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.65 грн
12+	28.73 грн
100+	15.6 грн
500+	10.7 грн

Мінімальне замовлення: 9

UMD12NTRSOT363-D12

на замовлення 402000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD12VL-235

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD12VL-705

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD15D15

на замовлення 72 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD15NHE3-TP

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

UMD16N

на замовлення 15100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD18N-TP

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-363

товар відсутній

UMD1N

на замовлення 15100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD1NTR

на замовлення 8503 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD2 N TR

SOT26/SOT363

на замовлення 2999 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD2 N TR

SOT26

на замовлення 2390 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD2 NTR

97+

на замовлення 2850 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD2 TR

SOT363

на замовлення 13800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD2/D2

SOT-363

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD22

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD22-N-TR

на замовлення 150000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD22/D22

на замовлення 10151 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD22N

на замовлення 3854 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD22N

Yangjie Technology

Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.05 грн
15000+	1.84 грн
30000+	1.77 грн
60000+	1.54 грн
120000+	1.42 грн
300000+	1.3 грн

Мінімальне замовлення: 3000

UMD22N-TP

Digital Transistors NPN Dual Digital Transistors

товар відсутній

UMD22N-TP

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-363

товар відсутній

UMD22N-TP

Digital Transistors

товар відсутній

UMD22NFHATR

Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.2 грн

Мінімальне замовлення: 3000

UMD22NFHATR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 80
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ

товар відсутній

UMD22NFHATR

Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.85 грн
13+	22.29 грн
100+	11.24 грн
500+	9.35 грн
1000+	7.27 грн

Мінімальне замовлення: 10

UMD22NFHATR

товар відсутній

UMD22NFHATR

Digital Transistors PNP+NPN Digital transistor (with built-in resistors)

на замовлення 4728 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	35.19 грн
15+	22.46 грн
100+	9.52 грн
1000+	7.45 грн
3000+	6.42 грн
9000+	5.73 грн
24000+	5.31 грн

Мінімальне замовлення: 10

UMD22NHE3-TP

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

UMD22NHE3-TP

Pre-biased TransistorsSOT-363

товар відсутній

UMD22NHE3-TP

Digital Transistors NPN & PNP 50Vcc -5Vin 30V

товар відсутній

UMD22NTR

товар відсутній

UMD22NTR

Digital Transistors DUAL DIGITAL SMT PNP/NPN

на замовлення 1586 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	28.42 грн
15+	22.46 грн
100+	12.01 грн
1000+	7.73 грн
3000+	6.07 грн
9000+	5.59 грн
24000+	5.45 грн

Мінімальне замовлення: 12

UMD22NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6

товар відсутній

UMD22NTR

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD22NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6

товар відсутній

UMD22NTR

товар відсутній

UMD25NTR

Description: UMD25N IS A DIGITAL TRANSISTOR C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6

на замовлення 11840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	26.88 грн
16+	18.55 грн
100+	9.33 грн
500+	7.76 грн
1000+	6.04 грн

Мінімальне замовлення: 12

UMD25NTR

Bipolar Transistors - Pre-Biased UMD25N is a digital transistor contains a DTA123J chip and a DTC123J chip in a UMT package, therefore the mounting cost and area can be cut in half. It is suitable for inverter, interface, driver applications.

на замовлення 1209 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	29.23 грн
16+	20.56 грн
100+	8.01 грн
1000+	6.21 грн
3000+	5.38 грн
9000+	4.76 грн
24000+	4.49 грн

Мінімальне замовлення: 12

UMD25NTR

Description: UMD25N IS A DIGITAL TRANSISTOR C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.98 грн
6000+	5.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

UMD2A

на замовлення 57200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD2N

03/04+ SOT-363

на замовлення 3100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD2N

Bipolar Transistors - Pre-Biased

товар відсутній

UMD2N-TP

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-363 T/R

товар відсутній

UMD2N-TP

Description: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-363

товар відсутній

UMD2N-TP

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-363 T/R

товар відсутній

UMD2N-TP

Digital Transistors NPN and PNP l Digital Transistors

товар відсутній

UMD2N-TR

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R

на замовлення 3700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1715+	6.98 грн
1878+	6.37 грн
2190+	5.46 грн
2315+	4.98 грн
3000+	4.32 грн

Мінімальне замовлення: 1715

UMD2N-TR

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R

на замовлення 1080 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

109+	5.45 грн
154+	3.85 грн
156+	3.81 грн
157+	3.64 грн
262+	2.02 грн
356+	1.43 грн
500+	1.42 грн
1000+	0.71 грн

Мінімальне замовлення: 109

UMD2N-TR

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

665+	18 грн
690+	17.36 грн
1000+	16.79 грн
2500+	15.71 грн

Мінімальне замовлення: 665

UMD2N-TR

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R

на замовлення 1080 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

UMD2N.TR

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD2NFHATR

Description: ROHM - UMD2NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: UMD2N Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 5229 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	31.04 грн
37+	21.44 грн
100+	10.37 грн
500+	7.62 грн
1000+	5.18 грн
5000+	4.11 грн

Мінімальне замовлення: 25

UMD2NFHATR

Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.85 грн
13+	22.29 грн

Мінімальне замовлення: 10

UMD2NFHATR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
кількість в упаковці: 10 шт

товар відсутній

UMD2NFHATR

Digital Transistors TRANS DIGITAL NPN+PNP

на замовлення 705 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	35.19 грн
13+	24.44 грн
100+	11.46 грн
1000+	7.66 грн
3000+	6.69 грн
9000+	5.31 грн
45000+	4.76 грн

Мінімальне замовлення: 10

UMD2NFHATR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ

товар відсутній

UMD2NFHATR

Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

UMD2NFHATR

на замовлення 5229 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.37 грн
500+	7.62 грн
1000+	5.18 грн
5000+	4.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

UMD2NHE3-TP

Digital Transistors

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.68 грн
14+	22.78 грн
100+	12.35 грн
1000+	6.69 грн
3000+	5.8 грн
9000+	5.04 грн
24000+	4.69 грн

Мінімальне замовлення: 11

UMD2NHE3-TP

Description: DIGITAL TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	28.37 грн
15+	19.55 грн
100+	9.86 грн
500+	8.2 грн
1000+	6.38 грн

Мінімальне замовлення: 11

UMD2NHE3-TP

Pre-biased Transistors SOT-363

товар відсутній

UMD2NHE3-TP

Description: DIGITAL TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.32 грн
6000+	5.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

UMD2NHE3-TPQ2

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

UMD2NHE3-TPQ2

Digital Transistors

товар відсутній

UMD2NTL

09+

на замовлення 27313 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD2NTR

SOT-363

на замовлення 2250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD2NTR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ

товар відсутній

UMD2NTR

Digital Transistors NPN/PNP 50V 30MA

на замовлення 8608 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	34.46 грн
14+	23.97 грн
100+	9.39 грн
1000+	7.32 грн
3000+	6.14 грн
9000+	5.59 грн
24000+	5.24 грн

Мінімальне замовлення: 10

UMD2NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT6

на замовлення 4292 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.1 грн
14+	21.85 грн
100+	11.04 грн
500+	9.18 грн
1000+	7.15 грн

Мінімальне замовлення: 10

UMD2NTR

Description: ROHM - UMD2NTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: UMD2N Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

товар відсутній

UMD2NTR

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD2NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT6

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

UMD2NTR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
кількість в упаковці: 10 шт

товар відсутній

UMD2TL

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD2TR

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD2TR(D2)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD2\D2

SOT-353

на замовлення 21100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3 N TR

SOT26/SOT363

на замовлення 2540 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3 N TR

SOT26

на замовлення 2921 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3 N TR

SOT363-D3

на замовлення 474000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3 N TR SOT363-D3

на замовлення 435000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3 N TR SOT363-D3

на замовлення 474000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3 N TR/D3

SMD

на замовлення 86200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3 NFHATR

SOT23

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3 NFHATR

SOT26/SOT363

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3 NTR

SOT23-6

на замовлення 2126 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3 NTR

на замовлення 9200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3 TR

на замовлення 11100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3(D3)

95 SOT-363

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3-N-TR

SOT23

на замовлення 8880 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3/D3

Yangjie Electronic Technology

00+ SOT-363

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD36B

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3N

UMD3N

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6303+	1.9 грн

Мінімальне замовлення: 6303

UMD3N

03/04+ SOT363

на замовлення 3100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3N

на замовлення 7100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3N

Bipolar Transistors - Pre-Biased

товар відсутній

UMD3N

Yangjie Technology

Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.24 грн
15000+	2.01 грн
30000+	1.94 грн
60000+	1.69 грн
120000+	1.55 грн
300000+	1.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

UMD3N-TP

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 50mA 150mW 6-Pin SOT-363 T/R

товар відсутній

UMD3N-TP

Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN and PNP l Digital Transistors

товар відсутній

UMD3N-TP

Description: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active

товар відсутній

UMD3N-TP

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 50mA 150mW 6-Pin SOT-363 T/R

товар відсутній

UMD3N.TR

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3NFHA

Bipolar Transistors - Pre-Biased

товар відсутній

UMD3NFHATR

Description: ROHM - UMD3NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN+PNP, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	21.29 грн
50+	15.87 грн
100+	10.45 грн
500+	7.69 грн
1500+	6.97 грн

Мінімальне замовлення: 37

UMD3NFHATR

Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN + PNP
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.04 грн
6000+	6.63 грн
9000+	5.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

UMD3NFHATR

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin UMT T/R

на замовлення 5975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1627+	7.35 грн
1936+	6.18 грн
2047+	5.64 грн

Мінімальне замовлення: 1627

UMD3NFHATR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 10 шт

товар відсутній

UMD3NFHATR

Digital Transistors TRANS DIGITAL PNP+NPN

на замовлення 35156 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	34.46 грн
15+	21.59 грн
100+	9.25 грн
1000+	7.38 грн
3000+	5.73 грн
9000+	5.24 грн
24000+	4.97 грн

Мінімальне замовлення: 10

UMD3NFHATR

на замовлення 2334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.45 грн
500+	7.69 грн
1500+	6.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

UMD3NFHATR

Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN + PNP
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.1 грн
14+	21.78 грн
100+	10.98 грн
500+	9.13 грн
1000+	7.11 грн

Мінімальне замовлення: 10

UMD3NFHATR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ

товар відсутній

UMD3NHE3-TP

Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN & PNP 50Vcc -10Vin 40V

товар відсутній

UMD3NHE3-TP

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

UMD3NTL

97+

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3NTL

09+

на замовлення 3018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3NTL/D3

на замовлення 2153 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3NTR

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1226+	9.76 грн
1267+	9.45 грн
2500+	9.17 грн

Мінімальне замовлення: 1226

UMD3NTR
Код товару: 189190

Мікросхеми > Інші мікросхеми

товар відсутній

UMD3NTR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ

товар відсутній

UMD3NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active

на замовлення 208592 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	27.62 грн
16+	18.69 грн
100+	9.43 грн
500+	7.84 грн
1000+	6.1 грн

Мінімальне замовлення: 11

UMD3NTR

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R

на замовлення 3245 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1226+	9.76 грн
1267+	9.45 грн
2500+	9.17 грн

Мінімальне замовлення: 1226

UMD3NTR
Код товару: 110590

Транзистори > Біполярні NPN

товар відсутній

UMD3NTR

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	25.78 грн
33+	18.19 грн
50+	17.36 грн

Мінімальне замовлення: 23

UMD3NTR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 10 шт

товар відсутній

UMD3NTR

Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN/PNP 50V 50MA

на замовлення 12873 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	29.95 грн
16+	21.03 грн
100+	8.21 грн
1000+	6.35 грн
3000+	5.38 грн
9000+	4.9 грн
24000+	4.55 грн

Мінімальне замовлення: 11

UMD3NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active

на замовлення 201000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.04 грн
6000+	5.69 грн
9000+	5.04 грн
30000+	4.67 грн
75000+	3.97 грн
150000+	3.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

UMD3NTR

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R

на замовлення 8477 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

885+	13.53 грн
912+	13.12 грн
942+	12.72 грн
1000+	11.58 грн
2000+	10.44 грн
3000+	9.76 грн

Мінімальне замовлення: 885

UMD3NTR(D3)

на замовлення 2300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3NTRSOT363

на замовлення 435000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3P

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3T2R

на замовлення 216000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3Z1TR

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD4

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD4N

на замовлення 27 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD4NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6

на замовлення 1047 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	24.64 грн
16+	17.97 грн
100+	10.17 грн

Мінімальне замовлення: 13

UMD4NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6

на замовлення 1047 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	26.88 грн
16+	19.12 грн
100+	10.85 грн
500+	6.74 грн
1000+	5.17 грн

Мінімальне замовлення: 12

UMD4NTR

Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP/NPN

на замовлення 6983 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.23 грн
12+	26.9 грн
100+	13.25 грн
500+	8.83 грн

Мінімальне замовлення: 9

UMD4NTR

UMD4NTR Complementary transistors

товар відсутній

UMD4NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6

товар відсутній

UMD5

на замовлення 17900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD5

SOT-363

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD5N

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD5NTR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SC88; SOT363
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 47/4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47/10kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 30...68
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape

товар відсутній

UMD5NTR

Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP/NPN

на замовлення 8523 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	32.21 грн
14+	23.81 грн
100+	7.8 грн
1000+	5.94 грн
3000+	4.07 грн
9000+	3.59 грн
24000+	3.52 грн

Мінімальне замовлення: 10

UMD5NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW, 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6

на замовлення 3680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	29.86 грн
15+	20.2 грн
100+	10.19 грн
500+	7.8 грн
1000+	5.79 грн

Мінімальне замовлення: 10

UMD5NTR

товар відсутній

UMD5NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW, 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6

товар відсутній

UMD5NTR

05+ SOT363

на замовлення 2795 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD5V-235

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD5V-553

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD5V-563

UMD

SOT-563 08+

на замовлення 65000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD5V-705

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD5V-706

UMD

0909+ SC70-6

на замовлення 84000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD5V-953

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD6/D6

на замовлення 63000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD6B-TR

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD6D-100

на замовлення 1991 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD6D-100L

на замовлення 2502 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD6JN

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD6N

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD6N-TR

на замовлення 1160 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD6NFHA

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

UMD6NFHATN

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

UMD6NFHATR

Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.1 грн
6000+	6.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

UMD6NFHATR

Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.1 грн
14+	22 грн
100+	11.09 грн
500+	9.22 грн
1000+	7.17 грн

Мінімальне замовлення: 10

UMD6NFHATR

Bipolar Transistors - BJT PNP+NPN Digital transistor (with built-in resistors). Devices integrating two transistors are available in ultra-compact packages, suitable for various applications such as pre-amplifier differential amplification circuits, high

на замовлення 5965 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	35.19 грн
16+	20.32 грн
100+	9.52 грн
1000+	7.45 грн
3000+	5.73 грн
24000+	5.31 грн
45000+	4.76 грн

Мінімальне замовлення: 10

UMD6NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: UMT6

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.42 грн
6000+	6.04 грн
9000+	5.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

UMD6NTR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SC88; SOT363
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 100...600
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape

товар відсутній

UMD6NTR

Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN/PNP 50V 100MA

на замовлення 2854 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	34.06 грн
13+	25.08 грн
100+	13.6 грн
500+	9.32 грн
1000+	7.18 грн
3000+	6 грн

Мінімальне замовлення: 10

UMD6NTR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SC88; SOT363
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 100...600
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape

товар відсутній

UMD6NTR

на замовлення 1945 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD6NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: UMT6

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	29.11 грн
15+	19.84 грн
100+	10.01 грн
500+	8.33 грн
1000+	6.48 грн

Мінімальне замовлення: 11

UMD6NTR(D6)

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD6TL

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD714

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD716

на замовлення 220 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD7423

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD8D-100L

на замовлення 2977 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD8N

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD9 N TR

SOT26/SOT363

на замовлення 11631 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD9/D9

на замовлення 4062 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD9N

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD9N-13P

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363

товар відсутній

UMD9N-TPQ2

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363

товар відсутній

UMD9NFHATR

Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP+NPN Digital transistor (with built-in resistors). Devices integrating two transistors are available in ultra-compact packages, suitable for various applications such as pre-amplifier differential amplification circuit

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	39.45 грн
11+	29.29 грн
100+	15.87 грн
500+	10.9 грн

Мінімальне замовлення: 9

UMD9NFHATR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 68
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ

товар відсутній

UMD9NFHATR

Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.85 грн
13+	22.29 грн
100+	11.24 грн
500+	9.35 грн
1000+	7.27 грн

Мінімальне замовлення: 10

UMD9NFHATR

Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.2 грн

Мінімальне замовлення: 3000

UMD9NFHATR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 68
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 10 шт

товар відсутній

UMD9NHE3-TP

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

UMD9NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.91 грн
6000+	6.51 грн
9000+	5.77 грн
30000+	5.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

UMD9NTR

UMD9NTR Complementary transistors

товар відсутній

UMD9NTR

Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN/PNP 50V 70MA

на замовлення 5998 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	34.06 грн
13+	25.16 грн
100+	13.66 грн
500+	9.32 грн
1000+	7.18 грн
3000+	6.14 грн
9000+	5.73 грн

Мінімальне замовлення: 10

UMD9NTR