Продукція > XP4

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
XP4024EMXSEMIDescription: XSEMI - XP4024EM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Transistor: SOIC
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.5 грн
500+ 33.14 грн
1000+ 26.21 грн
3000+ 24.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP4024EMXSEMIDescription: XSEMI - XP4024EM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4024E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.93 грн
15+ 52.26 грн
100+ 42.5 грн
500+ 33.14 грн
1000+ 26.21 грн
3000+ 24.35 грн
Мінімальне замовлення: 13
XP4024GEMTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 37A PMPAK-5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.1A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 36.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.99 грн
10+ 87.27 грн
100+ 69.45 грн
500+ 55.16 грн
1000+ 46.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP4024GEMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4024GEMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0035 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4024 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.19 грн
10+ 96 грн
100+ 67.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
XP4024GEMTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 37A PMPAK-5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.1A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 36.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
товар відсутній
XP4024GEMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4024GEMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0035 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4024 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP4024GEMTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 30V 26.1 A PMPAK-5x6
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.14 грн
10+ 94.44 грн
100+ 65.49 грн
250+ 60.39 грн
500+ 54.8 грн
1000+ 49.62 грн
3000+ 43.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP4060CMTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 26A PMPAK-5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.56 грн
10+ 161.39 грн
100+ 128.45 грн
500+ 102 грн
1000+ 86.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP4060CMTXSemiMOSFET N-CH 30V 37A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.64 грн
10+ 199.21 грн
100+ 138.72 грн
500+ 113.87 грн
1000+ 94.55 грн
3000+ 84.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP4060CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4060CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.00225 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4060C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00225ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+230.71 грн
10+ 169.55 грн
100+ 124.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
XP4060CMTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 26A PMPAK-5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
товар відсутній
XP4060CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4060CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.00225 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4060C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00225ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+124.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP4062CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4062CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 0.0045 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4062C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+133.16 грн
10+ 99.87 грн
100+ 74.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
XP4062CMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 26A 58A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1488 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.47 грн
10+ 89.29 грн
100+ 69.41 грн
500+ 55.21 грн
1000+ 44.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP4062CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4062CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 0.0045 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4062C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP4062CMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 26A 58A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1488 pF @ 25 V
товар відсутній
XP4062CMTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 30V 26A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.58 грн
10+ 98.41 грн
100+ 66.74 грн
500+ 56.11 грн
1000+ 47.96 грн
3000+ 40.72 грн
9000+ 40.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP4064CMTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 23.4A PMPAK-5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.5A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 25 V
товар відсутній
XP4064CMTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 30V 31.5 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.6 грн
10+ 103.17 грн
100+ 71.08 грн
250+ 66.11 грн
500+ 59.7 грн
1000+ 54.04 грн
3000+ 47 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP4064CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4064CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0031 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4064C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.03 грн
10+ 104.51 грн
100+ 74.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
XP4064CMTXSemiMOSFET N-CH 30V 31.5 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.6 грн
10+ 103.17 грн
100+ 71.08 грн
250+ 66.11 грн
500+ 59.7 грн
1000+ 54.04 грн
3000+ 47 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP4064CMTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 23.4A PMPAK-5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.5A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.7 грн
10+ 95.04 грн
100+ 75.65 грн
500+ 60.07 грн
1000+ 50.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP4064CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4064CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0031 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4064C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP4072CMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 23.4A 52A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.4A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1232 pF @ 25 V
товар відсутній
XP4072CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4072CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 52 A, 0.0045 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4072C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP4072CMTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 30V 23.4 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.58 грн
10+ 98.41 грн
100+ 66.74 грн
500+ 56.11 грн
1000+ 47.96 грн
3000+ 40.72 грн
9000+ 40.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP4072CMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 23.4A 52A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.4A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1232 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.49 грн
10+ 86.91 грн
100+ 67.58 грн
500+ 53.76 грн
1000+ 43.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP4072CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4072CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 52 A, 0.0045 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4072C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+133.16 грн
10+ 99.87 грн
100+ 74.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
XP408AB
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP40M00000S408TGSDescription: CRYSTAL 40MHZ 30ppm, 8pF 2 Pads.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 40 MHz
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+41 грн
Мінімальне замовлення: 2000
XP4111PANASONIC99+ SOT-323-6
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4112
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4113Panasonic
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4113-TXPANASONIC09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4114Panasonic04+ SOT-363
на замовлення 21100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4115
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4115(TX)panasonic
на замовлення 1876 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4115-(TX)panasonic05+
на замовлення 1876 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4116
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4116-(TX)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4117
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4132-(TX)
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4210
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4211Panasonic
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4211PANAS
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4211 / 9VPanasonic
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4211-(TX)Panasonic
на замовлення 63718 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4211-(TX)(9V)
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4212
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4212-(TX)PANASONICSOT23-6
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4212-(TX)(8R)
на замовлення 680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4213
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4213
Код товару: 168732		Мікросхеми > Транзисторні збірки
товар відсутній
XP4213-(TX)MAT
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4213-(TX)PANASONICSOT26/
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4213-(TX)PANASONICSOT23-6
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4213-(TX).SOPANASOT26/SOT363
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4214PANPSONIC09+
на замовлення 5968 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4214PAN06+ SOT-363
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4214-(TX)PANASONICSOT26/SOT363
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4214-(TX).SO
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4214-TX
на замовлення 2738 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4215panasonic
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4215-(TX)Panasonic
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4215-(TX)(8T)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4215-(TX).MTPANASONICSOT363-8T
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4215-(TX).MT SOT363-8TPANASONIC
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4215-(TX).MT SOT363-8TPANASONIC
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4216
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4216-(TX)
на замовлення 68500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4216-X
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP42AZ11Saia-BurgessBasic / Snap Action Switches Door switch
товар відсутній
XP4311 / 7XPanasonic
на замовлення 11187 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4311-(TX)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4311-(TX)(7X)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4311-TXPANASONIC09+
на замовлення 5918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4311/7X
на замовлення 11187 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4312-(TX)PANASONICSOT363
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4312-(TX)PANASONICSOT26/SOT363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4312-(TX)PANASONICSOT23-6
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4312-(TX).ERPANASONICSOT363-7T
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4312-(TX).ER SOT363-7TPANASONIC
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4312-(TX).ER SOT363-7TPANASONIC
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4312-(TX).ERSOT363-7TPANASONIC
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4312-(TX).SO
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4312-(TX)/7T
на замовлення 48700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4312-TXPANASONIC05+PB
на замовлення 4412 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4312-TXPANASONICSOT23-6
на замовлення 2614 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4312-TXPANASONIC09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4312-TX.SO
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4313PAN09+
на замовлення 25818 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4313PAN07+ SOT-363
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4313-(TX)PANASONICSOT363-BZ
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4313-(TX)PANASONICSOT363
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4313-(TX)PANASONIC09+
на замовлення 12038 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4313-(TX) SOT363-BZPANASONIC
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4313-(TX) SOT363-BZPANASONIC
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4313-(TX)SOT363-BZPANASONIC
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4313-TX
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4313/BZ
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4314PANPSONIC09+
на замовлення 72018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4314-CTX7
на замовлення 17754 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4314/CAPANASONIC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4314\CAPanasonicSOT-363
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4315PANASONIC
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4315-TXPANPSONIC09+
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4316PAN
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4316(TX)PANASONIC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4316-TXPANASONIC09+
на замовлення 3068 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4401
Код товару: 168734		Мікросхеми > Транзисторні збірки
товар відсутній
XP4401PANAS
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4401(TX)Panasonic
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4401-(TX)PANASONICSOT23-6
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4401-(TX)(5K)
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4401-(XT)
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4401-TX
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4401-XT
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4401/5KPANASONIC09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4401TX
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4402
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4402/0H
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4414-TX
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4459YTYAGEO XSemiMOSFET P-CH -30V -12 .7A PMPAK-3x3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.47 грн
10+ 85.71 грн
100+ 58.25 грн
500+ 49.34 грн
1000+ 40.17 грн
3000+ 37.82 грн
6000+ 36.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
XP4501
Код товару: 168735		Мікросхеми > Транзисторні збірки
товар відсутній
XP4501(TX)PANASONIC
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4501-(TX)PANASONICSOT36
на замовлення 707 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4501-(TX)PANASONICSOT23-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4501-(TX)(5H)
на замовлення 3046 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4501-(TX)/XP0450
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4501-TXPANASONICSOT363-5H
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4501-TX SOT363-5HPANASONIC
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4501-TX SOT363-5HPANASONIC
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4501-WPANASONICSOT26/
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4501-WPANASONICSOT23
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4501/5HPANASONIC09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4506PANASONIC
на замовлення 14480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4509AGMYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N AND P-CH 30V 11.2A 8A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V, 2000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V, 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товар відсутній
XP4509AGMYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4509AGM - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11.2 A, 8 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4509A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP4509AGMYAGEO XSemiMOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.85 грн
10+ 108.73 грн
100+ 75.22 грн
250+ 69.01 грн
500+ 62.87 грн
1000+ 57 грн
3000+ 49.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP4509AGMYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4509AGM - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11.2 A, 8 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4509A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.77 грн
10+ 109.16 грн
100+ 77.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
XP4509AGMYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N AND P-CH 30V 11.2A 8A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V, 2000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V, 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.92 грн
10+ 98.85 грн
100+ 78.67 грн
500+ 62.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP4601PAN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4601-(TX)PanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Arrays - TRANS ARRAY PNP/NPN SMINI-6P
товар відсутній
XP4601-(TX)(5C)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4601-(TX)/5CPANASONIC
на замовлення 724 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4601-TXPANASONIC
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4601-TX/5C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4601-ЈЁTXЈ©.SO
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4601/5CPANASONIC
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4601CTPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Arrays - TRANS ARRAY PNP/NPN SMINI-6P
товар відсутній
XP4601TRPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Arrays - TRANS ARRAY PNP/NPN SMINI-6P
товар відсутній
XP4654
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4654-(TX)PANASONICSOT23-6
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4878/7Y
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4M32LPTRIDENTBGA
на замовлення 405 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4N2R1MTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 33.8A PMPAK-5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.5A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9056 pF @ 20 V
товар відсутній
XP4N2R1MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4N2R1MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 0.0021 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R1 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+159.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP4N2R1MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4N2R1MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 0.0021 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R1 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+278.71 грн
10+ 196.64 грн
100+ 159.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP4N2R1MTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 33.8A PMPAK-5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.5A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9056 pF @ 20 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.37 грн
10+ 197.12 грн
100+ 159.47 грн
500+ 133.02 грн
1000+ 113.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP4N2R1MTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 40V 37.5 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+258.45 грн
10+ 214.29 грн
25+ 175.29 грн
100+ 150.45 грн
250+ 142.17 грн
500+ 133.2 грн
1000+ 120.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP4N2R5MTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.8A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 20 V
товар відсутній
XP4N2R5MTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 40V 33.8 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.34 грн
10+ 172.22 грн
100+ 118.7 грн
250+ 109.73 грн
500+ 99.38 грн
1000+ 85.58 грн
3000+ 80.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP4N2R5MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4N2R5MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 125 A, 0.00255 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00255ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+123.1 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP4N2R5MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4N2R5MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 125 A, 0.00255 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00255ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.84 грн
10+ 168 грн
100+ 123.1 грн
Мінімальне замовлення: 4
XP4N2R5MTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.8A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 20 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.32 грн
10+ 159.09 грн
100+ 126.64 грн
500+ 100.56 грн
1000+ 85.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP4NA1R4CMT-AYAGEO XSemiMOSFET N-CH 45V 49A PMPAK-5x6
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+322.06 грн
10+ 266.67 грн
25+ 218.77 грн
100+ 187.72 грн
250+ 177.36 грн
500+ 167.01 грн
1000+ 142.17 грн
XP4NA1R4CMT-AYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4NA1R4CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 223 A, 0.0014 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NA1R4C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+345.29 грн
10+ 245.42 грн
100+ 198.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP4NA1R4CMT-AYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 45V 49A 223A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.12 грн
10+ 240.11 грн
100+ 194.25 грн
500+ 162.04 грн
1000+ 138.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP4NA1R4CMT-AYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 45V 49A 223A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
товар відсутній
XP4NA1R4CMT-AYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4NA1R4CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 223 A, 0.0014 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NA1R4C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+198.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP4NAR95CMT-AYAGEO XSemiMOSFET N-CH 45V 58A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+399.36 грн
10+ 330.95 грн
25+ 271.22 грн
100+ 232.57 грн
250+ 219.46 грн
500+ 206.35 грн
1000+ 177.36 грн
XP4NAR95CMT-AYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4NAR95CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 264 A, 950 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 264A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NAR95 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+246.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP4NAR95CMT-AXSemiMOSFET N-CH 45V 58A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
1+420.29 грн
10+ 372.22 грн
100+ 265.01 грн
500+ 225.67 грн
1000+ 190.48 грн
3000+ 172.53 грн
XP4NAR95CMT-AYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4NAR95CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 264 A, 950 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 264A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NAR95 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+425.03 грн
10+ 304.25 грн
100+ 246.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP4P090NYAGEO XSemiMOSFET P-CH -40V -3A SOT-23S
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.65 грн
10+ 38.81 грн
100+ 25.19 грн
500+ 19.74 грн
1000+ 15.25 грн
3000+ 13.94 грн
9000+ 12.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
XP4X230/1DELTA DESIGNDescription: DELTA DESIGN - XP4X230/1 - Antriebseinheit, Xenon, blinkend, 1W, 230V AC, IP67, 35mm hoch
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Nennleistung: 1W
Versorgungsspannung, V AC: 230V
euEccn: NLR
Linsendurchmesser: -mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, min.: -°C
Außenhöhe: 35mm
Betriebstemperatur, max.: -°C
usEccn: EAR99
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3064.22 грн
5+ 2708.1 грн
10+ 2425.52 грн