Продукція > XP6

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
XP6-1-1-6-1ExeltechDescription: DC TO AC POWER INVERTER, 600WATT
Packaging: Box
Voltage - Output: 120VAC
Voltage - Input: 12VDC
AC Outlets: 2
Type: Inverter
Size: 12.10" L x 7.69" W x 3.57" H (307.3mm x 195.3mm x 90.7mm)
Connector - AC Output: NEMA 5-15R (2)
Connector - Voltage Input: Wire Leads
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 600 W
Power - Output Surge: 1100 W
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+51884.21 грн
XP6-1-2-6-1ExeltechDescription: DC TO AC POWER INVERTER, 600WATT
Packaging: Box
Voltage - Output: 120VAC
Voltage - Input: 24VDC
AC Outlets: 2
Type: Inverter
Size: 12.10" L x 7.69" W x 3.57" H (307.3mm x 195.3mm x 90.7mm)
Connector - AC Output: NEMA 5-15R (2)
Connector - Voltage Input: Wire Leads
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 600 W
Power - Output Surge: 1100 W
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+51884.21 грн
XP6-1-4-6-1ExeltechDescription: DC TO AC POWER INVERTER, 600WATT
Packaging: Box
Voltage - Output: 120VAC
Voltage - Input: 48VDC
AC Outlets: 2
Type: Inverter
Size: 12.10" L x 7.69" W x 3.57" H (307.3mm x 195.3mm x 90.7mm)
Connector - AC Output: NEMA 5-15R (2)
Connector - Voltage Input: Wire Leads
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 600 W
Power - Output Surge: 1100 W
товар відсутній
XP6-1-E-6-1ExeltechDescription: DC TO AC POWER INVERTER, 600WATT
Packaging: Box
Voltage - Output: 120VAC
Voltage - Input: 66VDC
AC Outlets: 2
Type: Inverter
Size: 12.10" L x 7.69" W x 3.57" H (307.3mm x 195.3mm x 90.7mm)
Connector - AC Output: NEMA 5-15R (2)
Connector - Voltage Input: Wire Leads
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 600 W
Power - Output Surge: 1100 W
товар відсутній
XP6-1-I-6-1ExeltechDescription: DC TO AC POWER INVERTER, 600WATT
Packaging: Box
Voltage - Output: 120VAC
Voltage - Input: 108VDC
AC Outlets: 2
Type: Inverter
Size: 12.10" L x 7.69" W x 3.57" H (307.3mm x 195.3mm x 90.7mm)
Connector - AC Output: NEMA 5-15R (2)
Connector - Voltage Input: Wire Leads
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 600 W
Power - Output Surge: 1100 W
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+51884.21 грн
XP6-3-1-5-1ExeltechDescription: INVERTER 600WATT 230VAC 12VDC
Packaging: Box
Voltage - Output: 230VAC
Voltage - Input: 12VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.10" L x 7.69" W x 3.57" H (307.3mm x 195.3mm x 90.7mm)
Connector - AC Output: IEC 320-C13
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 600 W
Power - Output Surge: 1100 W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+51884.21 грн
XP6-3-2-5-1ExeltechDescription: INVERTER 600WATT 230VAC 24VDC
Packaging: Box
Voltage - Output: 230VAC
Voltage - Input: 24VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.10" L x 7.69" W x 3.57" H (307.3mm x 195.3mm x 90.7mm)
Connector - AC Output: IEC 320-C13
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 600 W
Power - Output Surge: 1100 W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+51884.21 грн
XP6-3-4-5-1ExeltechDescription: INVERTER 600WATT 230VAC 48VDC
Packaging: Box
Voltage - Output: 230VAC
Voltage - Input: 48VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.10" L x 7.69" W x 3.57" H (307.3mm x 195.3mm x 90.7mm)
Connector - AC Output: IEC 320-C13
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 600 W
Power - Output Surge: 1100 W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+51884.21 грн
XP6-3-I-5-1ExeltechDescription: INVERTER 600WATT 230VAC 108VDC
Packaging: Box
Voltage - Output: 230VAC
Voltage - Input: 108VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.10" L x 7.69" W x 3.57" H (307.3mm x 195.3mm x 90.7mm)
Connector - AC Output: IEC 320-C13
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 600 W
Power - Output Surge: 1100 W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+51884.21 грн
XP600WELLERWEL.XP600 Screwdrivers Sets
товар відсутній
XP600Apex Tool GroupScrewdrivers, Nut Drivers & Socket Drivers Xcelite Scrwdrvr Set 6 pc Slottd/Phillip
товар відсутній
XP600Apex Tool GroupDescription: SCREWDRIVER SET PHIL W/CASE 6PC
Packaging: Bulk
Features: Black Tip, ESD Safe, Free Turning Cap
Type: Screwdriver Set
Includes: Plastic Case
Tip Type: Phillips, Slotted
Part Status: Active
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3807.33 грн
XP600Weller6-Piece Precision Slotted And Phillips Screwdriver Set
товар відсутній
XP600WELLER XCELITEDescription: WELLER XCELITE - XP600 - Schraubendreher, ESD-sicher, Präzisions-Schraubendreher, Schlitz, Phillips, 6-teiliger Satz
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3808.99 грн
XP600Apex Tool Group B.V.6-Piece Precision Slotted And Phillips Screwdriver Set
товар відсутній
XP600Xcelite6-Piece Precision Slotted And Phillips Screwdriver Set
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5248.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP600W4Apex Tool Group B.V.WIRE CATCH AND SCREW (10)
товар відсутній
XP60AN750INYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP60AN750IN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.75 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: XP60AN750 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+257.03 грн
10+ 207.48 грн
100+ 176.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
XP60AN750INYAGEO XSemiMOSFET N-CH 600V 10A TO-220CFM-NL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+246.38 грн
10+ 204.76 грн
25+ 167.7 грн
100+ 143.55 грн
250+ 135.27 грн
500+ 127.67 грн
1000+ 109.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP60AN750INYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 36.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2688 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.68 грн
50+ 176.03 грн
100+ 150.88 грн
500+ 125.86 грн
1000+ 107.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP60PN72RENYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 600V 53MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.81 грн
10+ 34.87 грн
100+ 24.13 грн
500+ 18.93 грн
1000+ 16.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
XP60PN72RENYAGEO XSemiMOSFET N-CH 600V 0.0 53A SOT-23
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.93 грн
10+ 39.29 грн
100+ 23.33 грн
500+ 19.46 грн
1000+ 16.56 грн
3000+ 15.04 грн
6000+ 13.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
XP60PN72RENYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP60PN72REN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: XP60PN72 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.57 грн
24+ 33.29 грн
100+ 25.7 грн
500+ 20.63 грн
1000+ 16.59 грн
Мінімальне замовлення: 19
XP60PN72RENYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 600V 53MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 100 V
товар відсутній
XP60PN72RENYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP60PN72REN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: XP60PN72 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.7 грн
500+ 20.63 грн
1000+ 16.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP60PN72RLENYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 600V 53MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 100 V
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.81 грн
10+ 34.87 грн
100+ 24.13 грн
500+ 18.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
XP60PN72RLENYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP60PN72RLEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: XP60PN72 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+42.04 грн
24+ 32.98 грн
100+ 25.39 грн
500+ 20.42 грн
1000+ 16.32 грн
Мінімальне замовлення: 19
XP60PN72RLENYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 600V 53MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 100 V
товар відсутній
XP60PN72RLENYAGEO XSemiMOSFET N-CH 600V 0.0 53A SOT-23
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.93 грн
10+ 39.29 грн
100+ 23.33 грн
500+ 19.46 грн
1000+ 16.56 грн
3000+ 15.04 грн
6000+ 13.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
XP60PN72RLENYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP60PN72RLEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: XP60PN72 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.39 грн
500+ 20.42 грн
1000+ 16.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP60SA290DHYAGEO XSemiMOSFET N-CH 600V 13. 3A TO-252
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+334.94 грн
10+ 276.98 грн
25+ 227.05 грн
100+ 195.31 грн
250+ 184.26 грн
500+ 173.22 грн
1000+ 155.97 грн
XP60SA290DHYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP60SA290DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.3 A, 0.29 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: XP60SA290D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+338.32 грн
10+ 273.29 грн
100+ 233.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP60SA290DHYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 600V 13.3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1632 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+307.57 грн
10+ 248.81 грн
100+ 201.25 грн
500+ 167.88 грн
1000+ 143.75 грн
XP60SA290DHXSemiMOSFET N-CH 600V 13. 3A TO-252
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+334.94 грн
10+ 276.98 грн
25+ 227.05 грн
100+ 195.31 грн
250+ 184.26 грн
500+ 173.22 грн
1000+ 155.97 грн
XP60SA290DHYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP60SA290DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.3 A, 0.29 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: XP60SA290D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+233.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP60SA290DHYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 600V 13.3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1632 pF @ 100 V
товар відсутній
XP60SL115DRYAGEO XSemiMOSFET N-CH 600V 28A TO-262
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+776.97 грн
10+ 656.35 грн
25+ 517.6 грн
100+ 475.5 грн
250+ 447.2 грн
500+ 419.6 грн
1000+ 377.5 грн
XP60SL115DRYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP60SL115DR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.00155 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: XP60SL115D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00155ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+871.73 грн
5+ 721.54 грн
10+ 619.35 грн
50+ 528.38 грн
100+ 450.58 грн
XP60SL115DRXSemiMOSFET N-CH 600V 28A TO-262
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+777.78 грн
10+ 657.14 грн
25+ 518.29 грн
100+ 476.19 грн
250+ 447.89 грн
500+ 430.64 грн
1000+ 365.08 грн
XP60SL115DRYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 600V 28A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+715.18 грн
50+ 550.13 грн
100+ 492.22 грн
500+ 407.59 грн
1000+ 366.83 грн
XP60SL600DHYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1072 pF @ 100 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.35 грн
10+ 156.57 грн
100+ 126.69 грн
500+ 105.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP60SL600DHYAGEO XSemiMOSFET N-CH 600V 7A TO-252
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.34 грн
10+ 173.81 грн
25+ 142.17 грн
100+ 122.15 грн
250+ 115.25 грн
500+ 108.35 грн
1000+ 93.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP60SL600DHYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP60SL600DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: XP60SL600D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+172.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP60SL600DHYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1072 pF @ 100 V
товар відсутній
XP60SL600DHXSemiMOSFET N-CH 600V 7A TO-252
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.95 грн
10+ 187.3 грн
100+ 133.2 грн
500+ 113.18 грн
1000+ 95.93 грн
3000+ 90.41 грн
6000+ 87.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP60SL600DHYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP60SL600DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: XP60SL600D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+285.67 грн
10+ 223.74 грн
100+ 172.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP6112-TXPANASONIC09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6114Panasonic
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6114/CK
на замовлення 8550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6115-(TX)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6115-(TX)(6X)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP611FHPanasonic
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6206P332MR
на замовлення 57200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6210-(TX)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6210-(TX)/CR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6211
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6211-(TX)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6212-TXPANASONIC09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6213-(TX)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6213-TXPANASONIC09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6214PANASONIC
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6214-(TX)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6214-(TX)(AA)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6215
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6215-TXPANASONIC09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6215/8X
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6216
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6216-(TX)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP626AOYAMAHA09+ .
на замовлення 455 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP62FP1502PR
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6401PANASONIC
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6401PANAS0NIC03+
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6401-(TX)
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6401-TX
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6401-WPANASONICSOT26/
на замовлення 2241 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6401/50
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6435-(TX)
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6501PAN07+ SOT-363
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6501PanasonicSOT363
на замовлення 4178 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6501Panasonic
на замовлення 1727 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6501 / 5NPanasonic
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6501-(TX)PANASONICSOT23-6
на замовлення 835 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6501-(TX)/5N
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6501-TX
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6501/5NPANASONIC09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6534
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6534-TX
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6534-TX/7F
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6534-W
на замовлення 14324 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6543PAN07+ SOT-363
на замовлення 5390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6543PANASONICSOT-563
на замовлення 780000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6543-(TX)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6543-Q
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6543-Q(TX)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6543-R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6543-R(TX)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6543-R(TX).TD/XP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6543-TX
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP65AN1K2ITYAGEO XSemiMOSFET N-CH 650V 7A TO-220CFM-T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.37 грн
10+ 176.19 грн
25+ 144.93 грн
100+ 123.53 грн
250+ 117.32 грн
500+ 110.42 грн
1000+ 94.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP65AN1K2ITYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.32 грн
50+ 152.19 грн
100+ 130.44 грн
500+ 108.82 грн
1000+ 93.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP65SL190DIYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP65SL190DI - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65SL190D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+562.83 грн
5+ 482.32 грн
10+ 401.03 грн
50+ 357.29 грн
100+ 315.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP65SL190DIYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3312 pF @ 100 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+500.93 грн
50+ 385.19 грн
100+ 344.65 грн
500+ 285.39 грн
XP65SL190DIYAGEO XSemiMOSFET N-CH 650V 20A TO-220CFM
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+536.23 грн
10+ 453.17 грн
25+ 357.49 грн
100+ 327.81 грн
250+ 308.49 грн
500+ 289.16 грн
1000+ 260.87 грн
XP65SL380DHYAGEO XSemiMOSFET N-CH 650V 10A TO-252
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+336.55 грн
10+ 278.57 грн
25+ 228.43 грн
100+ 196 грн
250+ 184.95 грн
500+ 174.6 грн
1000+ 156.66 грн
XP65SL380DHYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP65SL380DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.38 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65SL380D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+326.71 грн
10+ 270.96 грн
100+ 232.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP65SL380DHYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP65SL380DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.38 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65SL380D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+232.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP6677GHYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP6677GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0123 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6677 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+229.93 грн
10+ 196.64 грн
25+ 160.26 грн
100+ 125.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
XP6677GHYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 40V 60A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.89 грн
10+ 148.59 грн
100+ 118.29 грн
500+ 93.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP6677GHYAGEO XSemiMOSFET P-CH -40V -60 A TO-252
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.29 грн
10+ 164.29 грн
100+ 114.56 грн
250+ 105.59 грн
500+ 95.93 грн
1000+ 81.44 грн
3000+ 77.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP6677GHYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP6677GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0123 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6677 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+125.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP6677GHYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 40V 60A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
товар відсутній
XP686AOYAMAHA
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP687A0
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP687ADYAMAHADIP
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP687AO
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP6N090NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP6N090N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6N090 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.88 грн
23+ 34.37 грн
100+ 23.46 грн
500+ 16.82 грн
1000+ 12.48 грн
3000+ 11.15 грн
Мінімальне замовлення: 19
XP6N090NYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
товар відсутній
XP6N090NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP6N090N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6N090 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.46 грн
500+ 16.82 грн
1000+ 12.48 грн
3000+ 11.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP6N090NYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.11 грн
12+ 24.44 грн
100+ 16.97 грн
500+ 12.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
XP6NA1R4CXTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP6NA1R4CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 0.00145 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP6NA1R4C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+634.83 грн
5+ 545.03 грн
10+ 455.22 грн
50+ 405.45 грн
100+ 358.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP6NA1R4CXTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 60V 44.6A 100A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11520 pF @ 50 V
товар відсутній
XP6NA1R4CXTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 60V 44.6 A PMPAK-5x6X
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+608.7 грн
10+ 514.29 грн
25+ 405.8 грн
100+ 372.67 грн
250+ 350.59 грн
500+ 328.5 грн
1000+ 311.94 грн
XP6NA1R4CXTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP6NA1R4CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 0.00145 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP6NA1R4C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+455.22 грн
50+ 405.45 грн
100+ 358.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
XP6NA1R4CXTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 60V 44.6A 100A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11520 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+559.9 грн
10+ 462.17 грн
100+ 385.14 грн
500+ 318.92 грн
1000+ 287.03 грн
XP6NA1R7CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP6NA1R7CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 A, 0.0017 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP6NA1R7C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+382.45 грн
50+ 340.75 грн
100+ 301.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
XP6NA1R7CMTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 60V 41.6A 190A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+471.06 грн
10+ 388.56 грн
100+ 323.8 грн
500+ 268.12 грн
1000+ 241.31 грн
XP6NA1R7CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP6NA1R7CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 A, 0.0017 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP6NA1R7C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+538.06 грн
5+ 460.64 грн
10+ 382.45 грн
50+ 340.75 грн
100+ 301.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP6NA1R7CMTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 60V 41.6A 190A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
товар відсутній
XP6NA1R7CMTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 60V 41.6 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+511.27 грн
10+ 432.54 грн
25+ 340.92 грн
100+ 313.32 грн
250+ 295.38 грн
500+ 276.74 грн
1000+ 262.25 грн
XP6NA2R4ITYAGEO XSemiMOSFET N-CH 60V 93A TO-220CFM-T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+631.24 грн
10+ 532.54 грн
25+ 420.29 грн
100+ 386.47 грн
250+ 363.01 грн
500+ 340.92 грн
1000+ 307.11 грн
XP6NA2R4ITYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP6NA2R4IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 93 A, 0.0024 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA2R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+697.54 грн
10+ 603.86 грн
25+ 534.19 грн
100+ 447.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP6NA2R4ITYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 60V 93A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 192 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+589.02 грн
50+ 453.23 грн
100+ 405.52 грн
500+ 335.8 грн
1000+ 302.22 грн
XP6NA3R0HYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP6NA3R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 126 A, 0.003 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA3R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+410.32 грн
10+ 355.35 грн
25+ 314.32 грн
100+ 263.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP6NA3R0HYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP6NA3R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 126 A, 0.003 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA3R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+263.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP6NA3R5ITYAGEO XSemiMOSFET N-CH 60V 72A TO-220CFM-T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+388.89 грн
10+ 321.43 грн
25+ 264.32 грн
100+ 226.36 грн
250+ 213.94 грн
500+ 200.83 грн
1000+ 171.84 грн
XP6NA3R5ITYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 60V 72A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 32.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5440 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+363.56 грн
50+ 277.42 грн
100+ 237.79 грн
500+ 198.36 грн
1000+ 169.84 грн
XP6NA3R5ITYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP6NA3R5IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 72 A, 0.0035 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA3R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+386.32 грн
10+ 334.45 грн
25+ 295.74 грн
100+ 248.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP6P250NYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.6 грн
10+ 68.37 грн
100+ 53.2 грн
500+ 42.31 грн
1000+ 34.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
XP6P250NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP6P250N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.25 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6P250N Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP6P250NYAGEO XSemiMOSFET P-CH -60V -1. 6A SOT-23S
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.79 грн
10+ 74.52 грн
100+ 50.72 грн
500+ 42.93 грн
1000+ 34.99 грн
3000+ 32.92 грн
6000+ 31.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
XP6P250NYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
товар відсутній
XP6P250NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP6P250N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.25 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6P250N Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.45 грн
10+ 81.29 грн
100+ 66.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
XP6RCOASTDescription: COAST - XP6R - Taschenlampe, Handtaschenlampe, LED, 400lm, 180m, Lithium-Ionen-Akku, CR123-Zelle
tariffCode: 85131000
Strahlreichweite: 180m
productTraceability: No
Taschenlampe: Handtaschenlampe
rohsCompliant: NA
Stromquelle: Akku, CR123-Lithiumbatterien x 1 (nicht im Lieferumfang enthalten)
Material des Taschenlampengehäuses: -
euEccn: NLR
Lumenpaket: 400lm
hazardous: true
hazardCode: 3481
rohsPhthalatesCompliant: NA
Lichtqelle: LED
usEccn: EAR99
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5214.13 грн
6+ 4573.11 грн