MMUN2211LT1G (транзистор біполярний NPN) ON
Код товару: 28336
Виробник: ONКорпус: SOT-23
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 60
Примітка: Цифровий транзистор
Монтаж: SMD
у наявності 2141 шт:
1415 шт - склад
283 шт - РАДІОМАГ-Київ
130 шт - РАДІОМАГ-Львів
75 шт - РАДІОМАГ-Харків
115 шт - РАДІОМАГ-Одеса
123 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 1.5 грн |
10+ | 1.2 грн |
100+ | 0.95 грн |
1000+ | 0.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції MMUN2211LT1G (транзистор біполярний NPN) за ціною від 0.79 грн до 10.22 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMUN2211LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 918000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMUN2211LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 918000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMUN2211LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMUN2211LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.246W Case: SOT23 Current gain: 35...60 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ |
на замовлення 7049 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMUN2211LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.246W Case: SOT23 Current gain: 35...60 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 7049 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMUN2211LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 158995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMUN2211LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMUN2211LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMUN2211LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 134000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMUN2211LT1G | Виробник : onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN |
на замовлення 301977 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMUN2211LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 158995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMUN2211LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MMUN2211LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
NPN 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k MMUN2211LT1G TMMUN2211lt1g кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 705 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMUN2211LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
З цим товаром купують
MMUN2111 Код товару: 4078 |
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,1 A
h21,max: 60
Примітка: Цифровий транзистор
Корпус: SOT-23
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,1 A
h21,max: 60
Примітка: Цифровий транзистор
у наявності: 1980 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 2 грн |
10+ | 1.5 грн |
100+ | 1.2 грн |
1000+ | 0.9 грн |
IRLML2402TRPBF Код товару: 1173 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 20 V
Idd,A: 1,2 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 110/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 20 V
Idd,A: 1,2 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 110/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 8259 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 3.5 грн |
10+ | 2.9 грн |
100+ | 2.5 грн |
1 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-1KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1768 |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 93310 шт
очікується:
100000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 0.12 грн |
1000+ | 0.09 грн |
10000+ | 0.07 грн |
BC817-40 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 17873 |
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,5 A
h21: 600
Монтаж: SMD
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,5 A
h21: 600
Монтаж: SMD
у наявності: 1360 шт
очікується:
20000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 1.5 грн |
10+ | 0.9 грн |
100+ | 0.8 грн |
1000+ | 0.6 грн |
1N4007 Код товару: 176822 |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності: 28189 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 1 грн |
10+ | 0.6 грн |
100+ | 0.5 грн |