Продукція > STMICROELECTRONICS > IRF630
IRF630

IRF630 STMicroelectronics

cd0000070.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 14
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF630 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Можливі заміни IRF630 STMicroelectronics

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF630NPBF IRF630NPBF
Код товару: 15961 		Виробник : IR irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності: 146 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+18 грн
10+ 15.9 грн
100+ 14.1 грн

Інші пропозиції IRF630 за ціною від 27.88 грн до 123.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF630 IRF630 Виробник : Harris Corporation HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 22729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
353+59.41 грн
Мінімальне замовлення: 353
IRF630 IRF630 Виробник : STMicroelectronics cd0000070.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
180+66.76 грн
212+ 56.51 грн
500+ 38.98 грн
1000+ 36.57 грн
Мінімальне замовлення: 180
IRF630 IRF630 Виробник : STMicroelectronics cd0000070.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+73.44 грн
10+ 62.19 грн
100+ 52.64 грн
500+ 35.01 грн
1000+ 31.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF630 IRF630 Виробник : STMicroelectronics irf630.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+102.97 грн
5+ 88.42 грн
10+ 81.95 грн
25+ 34.51 грн
68+ 32.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF630 IRF630 Виробник : STMicroelectronics en.CD00000701.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 13392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.75 грн
50+ 82.83 грн
100+ 65.64 грн
500+ 52.21 грн
1000+ 42.54 грн
2000+ 40.04 грн
5000+ 37.51 грн
10000+ 35.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF630 IRF630 Виробник : STMicroelectronics irf630.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 869 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.19 грн
10+ 98.34 грн
25+ 41.41 грн
68+ 38.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF630 IRF630 Виробник : STMicroelectronics irf630-1849162.pdf MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.72 грн
10+ 86.51 грн
100+ 59.83 грн
500+ 50.93 грн
1000+ 42.37 грн
2000+ 39.89 грн
5000+ 38.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF630 IRF630 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0007136914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+123.87 грн
10+ 92.9 грн
100+ 70.37 грн
500+ 55.07 грн
1000+ 39.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF630 Виробник : Siliconix en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 165 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+27.88 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF630 Виробник : ST MICROELECTRONICS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
на замовлення 41 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+48.6 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF630 Виробник : IR en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=9,5A; Pdmax=50W; Rds=0,3 Ohm
на замовлення 51 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.38 грн
10+ 58.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF630 (TO-220, ST) IRF630 (TO-220, ST)
Код товару: 3058 		Виробник : ST Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 600/19
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF630 IRF630 Виробник : STMicroelectronics cd0000070.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF630 Виробник : STMicroelectronics cd0000070.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF630 IRF630 Виробник : Vishay sihf630p.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній